一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备制造方法及图纸

本说明书公开了一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备，可以基于干涉原理，将远场图像和近场图像同时调制到由各微纳单元组成的超表面中，从而可以通过超表面记录两个不同图像，以提升超表面的信息容量，还可以通过相变材料实现远场图像和近场图像的动态隐藏，进而可以进一步地提升存储的远场图像和近场图像的安全性。图像的安全性。图像的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备


[0001]本说明书涉及光学加密
，尤其涉及一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]光学加密技术是基于光学原理的数据加密和信息隐藏技术，由于在光学加密系统中，光波传输时受到衍射限制，必然伴随着衍射现象的发生，并且具有偏振态、入射角、波长、轨道角动量等参数，而每个微纳结构针对不同的偏振态、入射角、波长、轨道角动量的光波具有不同的折射率，因此，可以将组成指定图像数据的光波对应的光的偏振态、入射角、波长、轨道角动量等参数，作为指定参数，从而根据微纳结构在指定参数下的折射率，来对微纳结构进行排列，以组成超表面，进而使得在具有指定参数的光波照射在该超表面上时，可以呈现出指定图像数据。
[0003]但是，目前通过微纳结构组成的超表面来存储图像信息的信息容量较差，因此，如何进一步的提升信息容量则是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本说明书提供一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备，以部分的解决现有技术存在的上述问题。
[0005]本说明书采用下述技术方案：本说明书提供了一种数据加密方法，包括：获取第一目标图像、第二目标图像；确定所述第一目标图像的强度分布以及确定所述第二目标图像的相位分布；针对组成超表面的每个微纳单元，根据所述第一目标图像的强度分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位差；以及根据所述第二目标图像的相位分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位和；根据所述相位差、所述相位和以及预先确定的各候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位，从各候选微纳结构中，筛选出用于组成该微纳单元的两个微纳结构；确定用于组成各微纳单元的各微纳结构之间的排列顺序，以根据所述排列顺序得到指定超表面，并通过所述指定超表面进行任务执行，所述指定超表面在所述指定解密光波的照射下在近场区域呈现所述第一目标图像，在远场区域呈现所述第二目标图像。
[0006]可选地，所述微纳结构由相变材料组成；确定的各候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位，具体包括：在组成所述各候选微纳结构的相变材料处于第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个候选微纳结构，根据所述折射率以及该候选微纳结构的结构参数，确定
该候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位。
[0007]可选地，所述微纳结构由相变材料组成；确定的各候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位，具体包括：获取各基础微纳结构；在组成所述各基础微纳结构的相变材料处于指定第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个基础微纳结构，根据所述折射率以及该基础微纳结构的结构参数，确定该基础微纳结构在指定解密光波照射下的相位；从各基础微纳结构中筛选出在指定解密光波照射下的相位为指定相位的各基础微纳结构，作为各候选微纳结构。
[0008]可选地，所述方法还包括：通过在组成所述指定超表面的各微纳结构施加第一指定条件值的处理，以使组成所述各微纳结构的相变材料从所述第一目标相变状态转换为第二相变状态，所述第一指定条件值的处理包括：加热到指定温度、施加指定电压的电流、施加指定频率的脉冲中的一种。
[0009]可选地，所述方法还包括：根据所述第一指定条件值与所述相变材料的相变状态之间的关联关系，确定当组成所述各微纳结构的相变材料处于第一目标相变状态时所需的第二指定条件值；通过在组成所述指定超表面的各微纳结构施加符合第二指定条件值的处理，以使组成所述各微纳结构的相变材料从所述第二相变状态转换为第一目标相变状态，并使所述指定超表面在指定解密光波的照射下在近场区域呈现所述第一目标图像，在远场区域呈现所述第二目标图像。
[0010]可选地，所述相变材料包括：三硫化锑Sb2S3，硒化锑Sb2Se3，硒化锗GeSe3，碲锑锗Ge2Sb2Te5中的一种。
[0011]可选地，所述指定解密光波具有指定参数，所述指定参数包括：指定偏振态、指定入射角、指定波长中的至少一种。
[0012]本说明书提供了一种数据加密装置，包括：获取模块，用于获取第一目标图像、第二目标图像；第一确定模块，用于确定所述第一目标图像的强度分布以及确定所述第二目标图像的相位分布；第二确定模块，用于针对组成超表面的每个微纳单元，根据所述第一目标图像的强度分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位差；以及第三确定模块，用于根据所述第二目标图像的相位分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位和；筛选模块，用于根据所述相位差、所述相位和以及预先确定的各候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位，从各候选微纳结构中，筛选出用于组成该微纳单元的两个微纳结构；执行模块，用于确定用于组成各微纳单元的各微纳结构之间的排列顺序，以根据所述排列顺序得到指定超表面，并通过所述指定超表面进行任务执行，所述指定超表面在
所述指定解密光波的照射下在近场区域呈现所述第一目标图像，在远场区域呈现所述第二目标图像。
[0013]可选地，所述微纳结构由相变材料组成；所述筛选模块具体用于，在组成所述各候选微纳结构的相变材料处于第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个候选微纳结构，根据所述折射率以及该候选微纳结构的结构参数，确定该候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位。
[0014]可选地，所述微纳结构由相变材料组成；所述筛选模块具体用于，获取各基础微纳结构；在组成所述各基础微纳结构的相变材料处于指定第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个基础微纳结构，根据所述折射率以及该基础微纳结构的结构参数，确定该基础微纳结构在指定解密光波照射下的相位；从各基础微纳结构中筛选出在指定解密光波照射下的相位为指定相位的各基础微纳结构，作为各候选微纳结构。
[0015]可选地，所述执行模块具体用于，通过在组成所述指定超表面的各微纳结构施加第一指定条件值的处理，以使组成所述各微纳结构的相变材料从所述第一目标相变状态转换为第二相变状态，所述第一指定条件值的处理包括：加热到指定温度、施加指定电压的电流、施加指定频率的脉冲中的一种。
[0016]可选地，所述装置还包括：解密模块；所述解密模块具体用于，根据所述第一指定条件值与所述相变材料的相变状态之间的关联关系，确定当组成所述各微纳结构的相变材料处于第一目标相变状态时所需的第二指定条件值；通过在组成所述指定超表面的各微纳结构施加符合第二指定条件值的处理，以使组成所述各微纳结构的相变材料从所述第二相变状态转换为第一目标相变状态，并使所述指定超表面在指定解密光波的照射下在近场区域呈现所述第一目标图像，在远场区域呈现所述第二目标图像。
[0017]可选地，所述相变材料包括：三硫化锑Sb2S3，硒化锑Sb2Se3，硒化锗GeSe3，碲锑锗Ge2Sb2Te5中的一种。
[0018]可选地，所述指定解密光波具有指定参数，所述指定参数包括：指定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
3
，硒化锑Sb 2
Se 3
，硒化锗GeSe 3
，碲锑锗Ge 2
Sb 2
Te 5
中的一种。7.如权利要求1~5任一项所述的方法，其特征在于，所述指定解密光波具有指定参数，所述指定参数包括：指定偏振态、指定入射角、指定波长中的至少一种。8.一种数据加密装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取第一目标图像、第二目标图像；第一确定模块，用于确定所述第一目标图像的强度分布以及确定所述第二目标图像的相位分布；第二确定模块，用于针对组成超表面的每个微纳单元，根据所述第一目标图像的强度分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位差；以及第三确定模块，用于根据所述第二目标图像的相位分布，确定该微纳单元中包含的两个微纳结构之间的相位和；筛选模块，用于根据所述相位差、所述相位和以及预先确定的各候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位，从各候选微纳结构中，筛选出用于组成该微纳单元的两个微纳结构；执行模块，用于确定用于组成各微纳单元的各微纳结构之间的排列顺序，以根据所述排列顺序得到指定超表面，并通过所述指定超表面进行任务执行，所述指定超表面在所述指定解密光波的照射下在近场区域呈现所述第一目标图像，在远场区域呈现所述第二目标图像。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述微纳结构由相变材料组成；所述筛选模块具体用于，在组成所述各候选微纳结构的相变材料处于第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个候选微纳结构，根据所述折射率以及该候选微纳结构的结构参数，确定该候选微纳结构在指定解密光波照射下的相位。10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述微纳结构由相变材料组成；所述筛选模块具体用于，获取各基础微纳结构；在组成所述各基础微纳结构的相变材料处于指定第一目标相变状态时，确定所述相变材料在所述指定解密光波照射下的折射率；针对每个基础微纳结构，根据所述折射率以及该基础...

【专利技术属性】
技术研发人员：张萌徕，张磊，焦文婷，高阳，尹坤，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：