一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法技术

本发明专利技术涉及一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法，利用废塑料作为碳源与硅粉来合成碳化硅，金属钠、金属镁粉为还原剂，硫粉为辅助剂，在高压釜中于３５０～５００℃、０．５～１０ＭＰａ条件下反应１０～３０小时；在经洗涤、提纯得产品。本发明专利技术在相对较低温度下廉价和大规模制备结晶程度良好的３Ｃ－ＳｉＣ超细粉，扩大碳化硅陶瓷及其相关复合材料的应用，特别是以废塑料作为碳源，有利于节能降耗和降低原料成本，并且可实现废弃物资源化和环境污染控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及废塑料的再利用及立方碳化硅制备，尤其涉及用废塑料低温制备立方碳化 硅超细粉的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)具有高的热传导性、抗氧化性以及耐化学腐蚀性，同时它又属于硬质材 料，可广泛用于陶瓷、金属及聚合物基体复合材料的增强剂，参见Adv. Mater. ， 2000， 12， 1186。 3C-SiC材料由于具有宽带隙(2.3 eV)、高临界击穿电场、高热导率、高稳定性等特 点，在微电子半导体器件方面具有巨大的应用潜力，是21世纪重要的新型功能半导体器件 材料之一，许多国家相继投入了大量的资金对SiC进行了广泛深入的研究。传统制备碳化硅方法的为碳热还原法，即Acheson法(US Patent, 492767. 1892)，其 制备温度通常要高于1800 °C，制备过程可由下面的反应式表示Si02(s) + 3 C(s) = SiC(s) + 2 C0W Cutler等人用特殊处理的稻壳加热至2000。C生长出SiC晶须，参见L Am. Ceram. Soc. Bull., 1975,54， 195; US patent, 3754076. 1973。 Dai H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温制备立方碳化硅超细粉的方法，步骤如下：　（１）将原料硅粉、废塑料（按单质碳计）与金属钠、金属镁粉和升华硫按摩尔比（０．１－３）∶１∶（０．５－８）∶（０．２－３．２）∶（０．１－３）混合，密封在不锈钢高压釜中，将该高压釜放置在电阻炉中，于３５０～５００℃、０．５～１０ＭＰａ条件下反应１０～３０小时；　（２）步骤（１）所得产物经醇洗、水洗和常规离心分离、干燥，即获得含有微量硅粉和无定形碳的立方碳化硅粗品，　（３）步骤（２）所得产品经７０％ｗｔ高氯酸回流或在空气中于６００℃下灼烧３小时，除去无定形碳，然后经酸洗除去单质硅，即得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱逸泰，鞠治成，马小健，庞巧莲，邢政，徐立强，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]