多通道PWM电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多通道PWM电路，包括：光耦输入部分、隔离光耦U19和输出回路，光耦输入部分和输出回路通过隔离光耦U19进行隔离，光耦输入部分包括发出PWM信号的MCU，隔离光耦U19前级的一端串联电阻R184后接MCU的PWM接口，输出回路包括MOS管Q12，隔离光耦U19后级的一端分别连接电阻R188的一端和MOS管Q12的G端，MOS管Q12的D端对应输出回路的输出端，电阻R188的另一端和MOS管Q12的S端相连接，且连接点的引出线接GND。通过上述方式，本实用新型专利技术多通道PWM电路用低电压和小幅度的PWM信号驱动高MOS管，通过使用合适的电阻，降低功耗，能够规避多路PWM同时输出超限的现象，避免过载、过流等现象的发生，提高全时段电源的利用效率，极大地提高产品的稳定性和寿命。极大地提高产品的稳定性和寿命。极大地提高产品的稳定性和寿命。

【技术实现步骤摘要】
多通道PWM电路


[0001]本技术涉及电气
，特别是涉及一种多通道PWM电路。

技术介绍

[0002]目前在轨道交通的许多方面，如照明等，需要用到多路PWM同时输出，以达到多样化控制目的。
[0003]但是当同时启动多路PWM波峰时，容易造成瞬时功耗超过额定设计，从而导致过载、过流等现象的发生。现有的PWM电路对电源的利用率不高，影响产品整体寿命。

技术实现思路

[0004]本技术主要解决的技术问题是提供一种多通道PWM电路，用低电压和小幅度的PWM信号驱动高MOS管，通过使用合适的电阻，降低功耗，能够规避多路PWM同时输出超限的现象，避免过载、过流等现象的发生，提高全时段电源的利用效率，极大地提高产品的稳定性和寿命。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种多通道PWM电路，包括：光耦输入部分、隔离光耦U19和输出回路，所述光耦输入部分和输出回路通过隔离光耦U19进行隔离，
[0006]所述光耦输入部分包括发出PWM信号的MCU，所述隔离光耦U19前级的一端串联电阻R184后接MCU的PWM接口，
[0007]所述输出回路包括MOS管Q12，所述隔离光耦U19后级的一端分别连接电阻R188的一端和MOS管Q12的G端，MOS管Q12的D端对应输出回路的输出端，所述电阻R188的另一端和MOS管Q12的S端相连接，且连接点的引出线接GND。
[0008]在本技术一个较佳实施例中，所述光耦输入部分还包括光耦电源，光耦电源为5V供电源。
[0009]在本技术一个较佳实施例中，所述隔离光耦U19前级的另一端串联电阻R180后接5V供电源。
[0010]在本技术一个较佳实施例中，所述输出回路还包括回路电源，回路电源为24V供电源。
[0011]在本技术一个较佳实施例中，所述隔离光耦U19后级的另一端串联电阻R177后接24V供电源。
[0012]在本技术一个较佳实施例中，所述输出回路的输出端上还串联有电阻R174。
[0013]本技术的有益效果是：本技术多通道PWM电路用低电压和小幅度的PWM信号驱动高MOS管，通过使用合适的电阻，降低功耗，能够规避多路PWM同时输出超限的现象，避免过载、过流等现象的发生，提高全时段电源的利用效率，极大地提高产品的稳定性和寿命。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0015]图1是本技术的多通道PWM电路的原理图；
[0016]图2是本技术的多路PWM波峰图。
具体实施方式
[0017]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0018]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0021]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0022]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0023]请参阅图1至图2，本技术给出了一种多通道PWM电路的一个较佳实施例。
[0024]所述多通道PWM电路，包括光耦输入部分、隔离光耦U19和输出回路，所述光耦输入部分和输出回路通过隔离光耦U19进行隔离。
[0025]当隔离光耦U19没有PWM输入时，隔离光耦U19不工作，输出回路不启动；当隔离光
耦U19有PWM输入时，隔离光耦U19工作，启动输出回路。
[0026]本实施例优选的，所述光耦输入部分包括发出PWM信号的MCU和光耦电源，光耦电源为5V供电源，所述隔离光耦U19前级的另一端串联电阻R180后接5V供电源。
[0027]进一步地，所述隔离光耦U19前级的一端串联电阻R184后接MCU的PWM接口，通过MCU输出PWM信号来驱动输出回路的开断。
[0028]本实施例优选的，所述输出回路包括MOS管Q12和回路电源，回路电源为24V供电源，所述隔离光耦U19后级的另一端串联电阻R177后接24V供电源。
[0029]进一步地，所述隔离光耦U19后级的一端分别连接电阻R188的一端和MOS管Q12的G端，所述电阻R188的另一端和MOS管Q12的S端相连接，且连接点的引出线接GND，MOS管Q12的D端对应输出回路的输出端，输出回路的输出端上还串联有电阻R174。
[0030]MCU发出5V低压PWM信号至隔离光耦U19的前级，通过隔离光耦U19与后端24V输出回路隔离，并同步产生PWM信号至MOS管Q12，控制输出回路的开断，产生PWM输出。
[0031]本技术多通道PWM电路的工作过程是：
[0032]当隔离光耦U19没有PWM输入时，隔离光耦U19不工作，此时MOS管Q12处于截本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多通道PWM电路，其特征在于，包括：光耦输入部分、隔离光耦U19和输出回路，所述光耦输入部分和输出回路通过隔离光耦U19进行隔离，所述光耦输入部分包括发出PWM信号的MCU，所述隔离光耦U19前级的一端串联电阻R184后接MCU的PWM接口，所述输出回路包括MOS管Q12，所述隔离光耦U19后级的一端分别连接电阻R188的一端和MOS管Q12的G端，MOS管Q12的D端对应输出回路的输出端，所述电阻R188的另一端和MOS管Q12的S端相连接，且连接点的引出线接GND。2.根据权利要求1所述的多通道PWM电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡丰伟，庄天浩，
申请(专利权)人：常州今创电工有限公司，
类型：新型
国别省市：