声波谐振器封装件及其制造方法技术

本公开提供一种声波谐振器封装件及其制造方法。所述声波谐振器封装件包括：声波谐振器，包括位于基板的表面上的声波发生器；盖构件，设置在所述声波发生器上方；结合构件，设置在所述基板和所述盖构件之间以将所述基板和所述盖构件彼此结合；以及布线层，沿着所述盖构件的表面设置，连接到所述声波谐振器。在所述盖构件的表面中，所述结合构件和所述布线层结合到的结合表面至少部分地具有在70nm至3.5μm的范围内的表面粗糙度Rz。μm的范围内的表面粗糙度Rz。μm的范围内的表面粗糙度Rz。

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器封装件及其制造方法
[0001]本申请要求于2021年12月3日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0172276号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]本公开涉及一种声波谐振器封装件及其制造方法。

技术介绍

[0003]当减小无线通信装置的尺寸时，期望高频组件的尺寸减小。作为示例，可在无线通信装置中使用利用半导体薄膜晶片制造技术的体声波(BAW)谐振器型滤波器或表面声波(SAW)谐振器型滤波器。
[0004]BAW谐振器是指实现为滤波器的薄膜型元件，BAW谐振器使用沉积在硅晶片(半导体基板)上的压电介电材料的压电特性来产生谐振。另外，SAW谐振器是指实现为滤波器的薄膜型元件，SAW谐振器使用通过在作为压电基板的钽酸锂(LT)晶片或铌酸锂(LN)晶片上沉积叉指(IDT)电极而引起的表面声波特性来产生谐振。在5G通信技术中，期望可在候选频带内实现并且更容易以降低的成本制造的声波谐振器。

技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声波谐振器封装件，包括：声波谐振器，包括位于基板的表面上的声波发生器；盖构件，设置在所述声波发生器上方；结合构件，设置在所述基板和所述盖构件之间，以将所述基板与所述盖构件彼此结合；以及布线层，沿着所述盖构件的表面设置，连接到所述声波谐振器，其中，在所述盖构件的表面中，所述结合构件和所述布线层结合到的结合表面至少部分地具有在70nm至3.5μm的范围内的表面粗糙度Rz。2.根据权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖构件包括：芯层，包含玻璃纤维；以及树脂层，设置在所述芯层的相对表面中的一者或两者上。3.根据权利要求2所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖构件还包括设置在所述树脂层中的填料，并且所述填料的热膨胀系数低于所述树脂层的热膨胀系数。4.根据权利要求3所述的声波谐振器封装件，其中，所述填料利用氧化铝或二氧化硅材料形成。5.根据权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖构件的侧表面与所述盖构件的下表面成锐角地倾斜。6.根据权利要求5所述的声波谐振器封装件，其中，所述布线层沿着所述盖构件的所述侧表面和上表面设置。7.根据权利要求6所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括形成在所述布线层的设置在所述盖构件的所述上表面上的部分上的镀层。8.根据权利要求1所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括穿透所述盖构件的贯穿过孔，其中，所述贯穿过孔的一端电连接到所述声波谐振器。9.根据权利要求8所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括无源元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴昇旭，罗圣勳，郑载贤，韩成，朴章皓，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：