一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法，陶瓷的化学式为Zr3InC2和Hf3InC2，是含铟元素的纳米层状结构三元层状碳化物陶瓷；制备方法为：将Zr/Hf粉、In粉和C粉按摩尔比3：(1.3～1.5)：2在氩气保护下混合，得混合粉体；将混合粉体升温至1300～1450℃，其后冷却、磨去表面碳化层，即得样品。本发明专利技术首次提出并成功合成Zr3InC2和Hf3InC2；为设计高温陶瓷光电材料提供了全新思路，拓宽了铟元素在耐高温光电材料领域的应用范围。耐高温光电材料领域的应用范围。耐高温光电材料领域的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术属于材料科学领域，具体涉及一种含铟三元层状碳化物陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]铟(In)由于其较好的光渗透性和导电性，已经被广泛应用于电子信息、宇航、能源等领域。但很可惜，金属铟质地柔软，易发生塑性形变，熔点仅156.51℃，这些特质大大限制了In在光电材料领域的应用。
[0003]碳化锆、碳化铪是典型的超高温陶瓷，具有不错的力学性能的同时具有极高的熔点(超过3500℃)。

技术实现思路

[0004]为了得到一种可以在高温环境下工作的光电材料，本专利技术引入碳化锆/碳化铪骨架，设计出了两种新型含In三元层状陶瓷Zr3InC2和Hf3InC2。这两种材料中难熔金属碳化物层与In元素单层交替排布。难熔金属的加入，一方面可以有效地提高材料的熔点，另一方面可以形成多层的柔性
‑
刚性结构，有效提升材料的承载能力。同时，这种结构由于保留了结合力较弱的In元素单层，可以有效地保留In本身较好的导电性等物理性质，扩展了In在耐高温光电材料领域的应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含铟三元层状碳化物陶瓷，其特征在于，陶瓷的化学式为Zr3InC2和Hf3InC2；所述Zr3InC2的空间群为P63/mmc；晶格参数为Zr原子位于(0，0，0)和(1/3，2/3，0.12774)处、In原子位于(0，0，1/4)、C原子位于(1/3，2/3，0.19410)；所述Hf3InC2的空间群为P63/mmc；晶格参数为Hf原子位于(0，0，0)和(1/3，2/3，0.12455)处、In原子位于(0，0，1/4)、C原子位于(1/3，2/3，0.54894)。2.如权利要求1所述的一种含铟三元层状碳化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将Zr/Hf粉、In粉和C粉按摩尔比3：(1.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡春峰，罗嘉，张奇强，文博，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：