一种含Ti3C2Cl2和CsPbCl3的压电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及压电薄膜领域，本发明专利技术公开了一种含Ti3C2Cl2和CsPbCl3的压电薄膜的制备方法。本发明专利技术在P(VDF

【技术实现步骤摘要】
一种含Ti3C2Cl2和CsPbCl3的压电薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及压电薄膜领域，尤其涉及一种含Ti3C2Cl2和CsPbCl3的压电薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]聚(偏氟乙烯
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三氟乙烯)(P(VDF
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TrFE))是一类优良的铁电、压电材料，其本质上是半结晶的，具有良好的机械可靠性，是柔性电子器件的优异候选材料，可广泛应用于机电传感器、激励器、存储和其它换能器件等领域。C.Thirmal等人研究发现了P(VDF
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TrFE)
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Nafion共混物的介电和交流电性能，在较高温度下可用于柔性电气应用；N.Ahmad等人研究发现了P(VDF
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TrFE)/ZnO QD薄膜的能量收集性能；周振基等人研究发现了一种多孔结构P(VDF
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TrFE)/PBDMS复合薄膜，以克服纯P(VDF
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TrFE)的脆性，并人体运动监测的轻量级可穿戴压电传感器；M.T.Rahul等人研究发现了P(VDF
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含Ti3C2Cl2和CsPbCl3的压电薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1)：将Ti3AlC2或Ti3SiC2或Ti3GeC2与CuCl2、NaCl、KCl按摩尔比1:(2.8
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3.2):(1.8
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2.2):(1.8
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2.2)混合后研磨，于气氛管式炉中，在Ar气氛下升至800
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900℃，保温反应后取出，加入去离子水并转移至容器中，静置，移除沉降的单质铜；将剩余悬浮液加入H2O2溶液和稀硫酸溶液，抽滤，冲洗，真空干燥，得到熔融盐
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二维纳米材料Ti3C2Cl2；步骤2)：将P(VDF
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TrFE)粉末溶于丙酮和N，N
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二甲基甲酰胺的混合溶液中，室温超声搅拌，得到15
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25wt％的P(VDF
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TrFE)溶液；然后加入Ti3C2Cl2，Ti3C2Cl2与P(VDF
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TrFE)粉末的摩尔比为1:1.8
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2.2，超声处理，最后将所得分散液室温超声搅拌，得到Ti3C2Cl2/P(VDF
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TrFE)分散液；步骤3)：将CsPbCl3加入到Ti3C2Cl2/P(VDF
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TrFE)分散液中，室温超声搅拌，得到CsPbCl3/Ti3C2Cl2/P(VDF
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TrFE)分散液；所述CsPbCl3与Ti3C2Cl2的摩尔比为1:2.5
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3.5；步骤4)：将CsPbCl3/Ti3C2Cl2/P(VDF
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TrFE)分散液流延在基板上，形成薄膜，真空干燥，得到CsPbCl3/Ti3C2Cl2/P(VDF
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TrFE)薄膜；步骤5)：将CsPbCl3/Ti3C2Cl2/P(VDF
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【专利技术属性】
技术研发人员：邱方燚，万军民，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：