【技术实现步骤摘要】
源极跟随电路以及运算放大器
[0001]本专利技术涉及集成电路
,更具体地,涉及一种源极跟随电路以及运算放大器。
技术介绍
[0002]在模拟集成电路中,源极跟随器具有结构简单,速度快,线性度较好,驱动能力强等特点,因此被广泛应用地用作电路缓冲驱动级,电平转换单元。然而,基本的源极跟随器结构存在拉电流和灌电流能力不同的问题,一般灌电流能力受限于偏置电流大小。而在用作大摆幅输入高速缓冲驱动级并且负载电容较大时,需要较大的偏置电流。基本源极跟随器偏置电流源的输出阻抗有限,大摆幅输出状态下,偏置电流变化范围较大,为满足驱动要求功耗会较大,导致功耗变化范围较大的问题,为了解决这一问题,方法是提升偏置电流源的输出阻抗,一般采用共源共栅电流源,然而这种电路结构的问题是,偏置电流的变化并不稳定。
[0003]图1a和图1b分别示出了现有技术的两种用于电路缓冲驱动级的推挽共源放大器的电路示意图。如图1a和图1b所示,类型为P型MOSFET(Positive channel
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Metal
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O ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种源极跟随电路,包括:输入节点,用于接收输入电压;输出节点,用于提供输出电压;源极跟随晶体管,电连接于供给第一电压的第一电源节点与所述输出节点之间,用于根据所述输入电压向所述输出节点提供一灌电流;以及共源放大电路,电连接于所述第一电源节点与供给第二电压的第二电源节点之间,并与所述输出节点连接,用于根据所述输入电压向所述输出节点提供一拉电流,其中,所述源极跟随晶体管的阈值电压为零或零以下。2.根据权利要求1所述的源极跟随电路,其中,所述输出节点的所述输出电压在所述第一电压至所述第二电压的范围内变化。3.根据权利要求1所述的源极跟随电路,其中,所述源极跟随晶体管包括:第一导电类型的第一晶体管,所述第一晶体管电连接于所述第一电源节点与所述输出节点之间,所述第一晶体管的控制端用于与所述输入节点连接。4.根据权利要求3所述的源极跟随电路,其中,所述共源放大电路包括:第二导电类型的第二晶体管以及所述第一导电类型的第三晶体管和第四晶体管,所述第二晶体管和所述第三晶体管串联连接于...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯佳威,
申请(专利权)人:圣邦微电子北京股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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