一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法技术

本发明专利技术涉及样品检测的技术领域，更具体地，涉及一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法，本发明专利技术的一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法通过在金属导电网上切割出用于容纳样品的样品槽以及用于透视观察的孔洞，增加样品与金属导电网之间固定的稳定性，在厚度满足TEM观察需求的同时利用金属导电网的支撑也满足了AFM施加原子力的观察的需求，使TEM和AFM可以观察同一个样品，实现样品的结构和性能直接建立起关联性要求，建立起准确、高效地联系，解决了现有技术中无法制作同时满足TEM和AFM同区域观察要求的样品的技术问题。品的技术问题。品的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法


[0001]本专利技术涉及样品检测的
，更具体地，涉及一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法。

技术介绍

[0002]随着材料和半导体器件领域飞速发展，对材料和器件结构观察、分析以及不同结构所起性能功能分析越来越精细，尤其是科研、研发以及失效分析方面对高分辨透射电子显微镜（TEM）以及原子力显微镜（AFM）使用频率也越来越高，要求愈发精细，因此这两种技术的样品前处理变得非常重要。
[0003]透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）是现代材料和半导体领域研究和研发必不可少的工具，目前的观察方法是通过TEM观察样品结构，通过原子力显微镜利用电、磁、热和力学模块观察样品的性能表征或者功能表征，TEM制样根据需要不同，可以分为碳复型、研碎、研磨抛光
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离子减薄、超薄切片以及FIB制样等，而AFM观察时会对样品施加原子力，需要保证样品的固定和导电连接；目前的观察方法解决了大部分材料和半导体的大部分科学或质量问题。/>[0004]由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1. 取金属导电网(1)置于FIB机台的真空腔内，利用聚焦离子束聚焦所述金属导电网(1)的任意一侧平面V，使聚焦离子束与所述平面V垂直，由所述金属导电网(1)的外缘向内进行切割，切出长度为L、宽度为B且深度为h的样品槽(2)，其中所述平面V到金属导电网(1)的相对侧平面的距离为H、且H＞h；S2. 利用聚焦离子束继续聚焦所述平面V，对所述样品槽(2)内未切穿的部分继续切割出贯穿金属导电网(1)的孔洞(3)，所述孔洞(3)的长度为l、宽度为b且L>l、B>b，所述孔洞(3)与样品槽(2)之间形成台阶面(4)；S3. 制备可用于TEM观察的样品，所述样品尺寸：l<样品长度<L、b<样品宽度<B、样品厚度＜h，所述样品的形状与样品槽(2)的形状匹配；将所述样品转移至样品槽(2)内，保证所述样品完全进入样品槽(2)内并贴合于台阶面(4)；S4. 在所述样品上做用于后续TEM和AFM观察时定位同一位置的标记点，将样品从FIB机台的真空腔内取出得到可供TEM和AFM同区域观察的样品。2.根据权利要求1所述的一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法，其特征在于，步骤S1的具体步骤为：S11. 利用聚焦离子束聚焦金属导电网(1)的任意一侧平面V1，使聚焦离子束与所述平面V1垂直，由所述金属导电网(1)的外缘向内进行切割，切出长度为L、宽度为B且深度为h/2的第一卡槽(201)；S12. 利用聚焦离子束聚焦所述平面V1的相对侧平面V2，使聚焦离子束与所述平面V2垂直，由所述金属导电网(1)外缘向内进行切割，切出长度为L、宽度为B且深度为h/2的第二卡槽(202)，所述第一卡槽(201)与第二卡槽(202)的截面投影在聚焦离子束方向上重合。3.根据权利要求1所述的一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法，其特征在于：步骤S2得到的所述孔洞(3)的截面投影在聚焦离子束方向上落在样品槽(2)的截面投影内。4.根据权利要求1所述的一种利用FIB制备TEM和AFM同区域观察样品的制备方法，其特征在于，步骤S3中的具体步骤为：S31. 取块体样品置于FIB机台的真空腔内，在扫描电子显微镜模式下选择较平坦区域，对该区域进行Pt层沉积获得被Pt保护的目标区域，并利用聚焦离子束在目标区域进...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海利，薛玮，李满荣，朱庭顺，苏成勇，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：