本公开提供一种显示基板，属于显示技术领域。本公开的显示基板包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多个发光器件，以及为发光器件提供参考电压的参考电压线；发光器件包括沿背离衬底基板方向依次设置的第一电极、发光功能层和第二电极；第二电极与参考电压线电连接；其中，显示基板包括至少一层发光功能层，其包括位于发光器件的第一电极和第二电极之间的用于发光的发光功能层，以及位于参考电压线背离衬底基板一侧的冗余发光功能层；用于发光的发光功能层与冗余发光功能层分离；参考电压线包括主体部和与主体部连接的连接部；第二电极覆盖冗余发光功能层和连接部的侧壁，且与连接部电连接；冗余发光功能层掺杂有P型材料。冗余发光功能层掺杂有P型材料。冗余发光功能层掺杂有P型材料。
【技术实现步骤摘要】
显示基板和显示面板
[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种显示基板和显示面板。
技术介绍
[0002]显示基板在衬底基板上的设置多个发光器件，以及为发光器件提供参考电压的参考电压线。以OLED发光器件为例，发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光功能层和第二电极。显示基板还设置有参考电压线，参考电压线用于向第二电极提供参考电压；参考电压线包括主体部和连接部，第二电极通过连接部与参考电压线电连接，由于制作工艺和材料的影响，第二电极与连接部的接触面积较小，导致接触部位的电阻较大。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板和显示面板。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，
[0005]其包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个发光器件，以及为所述发光器件提供参考电压的参考电压线；所述发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光功能层和第二电极；所述第二电极与所述参考电压线电连接；其中，
[0006]所述显示基板包括至少一层所述发光功能层，其包括位于所述发光器件的第一电极和第二电极之间的用于发光的所述发光功能层发光功能层，以及位于所述参考电压线背离所述衬底基板一侧的冗余发光功能层；用于发光的所述发光功能层与所述冗余发光功能层分离；
[0007]所述参考电压线包括主体部和与所述主体部连接的连接部；所述第二电极覆盖所述冗余发光功能层和所述连接部的侧壁，且与所述连接部电连接；所述冗余发光功能层掺杂有P型材料。
[0008]其中，所述第二电极包括背离衬底基板方向依次设置的主体电极层和辅助电极层；位于所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的所述主体电极层与位于所述连接部背离所述衬底基板一侧的主体电极层分离；所述辅助电极层覆盖所述参考电压线，以及所述连接部的侧壁。
[0009]其中，所述发光功能层包括沿第一电极指向第二电极方向设置的发光层和空穴传输层；所述空穴传输层包括位于所述第一电极和第二电极之间的用于发光的所述空穴传输层，以及位于所述参考电压线背离所述衬底基板一侧的冗余空穴传输层；所述冗余空穴传输层掺杂有P型材料。
[0010]其中，所述连接部与所述参考电压线的长度方向平行的两个侧壁设置有凹槽。
[0011]其中，所述显示基板还包括像素驱动电路，用于驱动所述发光器件，所述像素驱动电路包括至少一个晶体管，所述参考电压线和所述晶体管的源极和漏极同层设置且材料相
同；
[0012]所述晶体管位于所述衬底基板的正投影与所述发光器件位于所述衬底基板的正投影至少部分重叠，所述发光器件的第一电极通过第一连接过孔与所述晶体管的漏极连接。
[0013]其中，所述连接部沿背离所述衬底基板方向叠层设置的第一子连接部、第二子连接部、第三子连接部；所述主体部包括第一金属层、第二金属层、第三金属层；其中，所述第一子连接部和所述第一金属层同层设置且材料相同；所述第二子连接部与所述第二金属层同层设置且材料相同；所述第三子连接部与所述第三金属层同层设置且材料相同。
[0014]其中，当所述连接部与所述参考电压线的长度方向平行的两个侧壁设置有凹槽时，所述第二子连接部在所述衬底基板上的正投影的外边界位于所述第一子连接部、所述第三子连接部在所述衬底基板上的正投影的外边界内侧，以在所述连接部的侧壁形成所述凹槽。
[0015]其中，所述第一子连接部、所述第二子连接部和所述第三子连接部的材料包括钛、钼、铝、铜中的至少一种或几种组合。
[0016]其中，所述第一子连接部和所述第三子连接部的材料为钛，所述第二子连接部的材料为铝。
[0017]其中，所述参考电压线包括多个连接部，且各所述连接部间隔设置。
[0018]其中，所述参考电压线背离所述衬底基板一侧设置至少三层所述冗余空穴传输层；且至少一层所述冗余空穴传输层掺杂有P型材料；掺杂有P型材料的所述冗余空穴传输层与未掺杂有P型材料的所述冗余空穴传输层交替设置。
[0019]其中，掺杂有P型材料的各所述冗余空穴传输层其P型材料的掺杂比例相同，且未掺杂P型材料的所述冗余空穴传输层的厚度大于掺杂P型材料的所述冗余空穴传输层的厚度。
[0020]其中，所述发光功能层包括沿第一电极指向第二电极方向依次设置空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层；所述冗余发光功能层包括与发光功能层对应设置的冗余空穴注入层、冗余电子阻挡层、冗余空穴阻挡层、冗余电子传输层和冗余电子注入层；
[0021]其中，至少一层所述冗余发光功能层中掺杂有P型材料。
[0022]第二方面，本公开实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述中任一所述的显示基板。
附图说明
[0023]图1为本公开实施例提供的一种显示基板截面图；
[0024]图2为本公开实施例提供的一种显示基板俯视图；
[0025]图3为一种示例性的像素电路的结构示意图；
[0026]图4为图3所示的像素电路的一种驱动时序图；
[0027]图5为本公开实施例提供的参考电压线俯视图；
[0028]图6为本公开实施例提供的连接部截面图；
[0029]图7为本公开实施例提供的另一种显示基板俯视图；
[0030]图8为本公开实施例提供的发光器件结构示意图；
[0031]图9
‑
15为本公开实施例提供的位于参考电压线背离衬底基板一侧的发光功能层结构示意图。
具体实施方式
[0032]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0033]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0034]显示基板在衬底基板上的设置多个发光器件，以及为发光器件提供参考电压的参考电压线。发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光功能层和第二电极。显示基板还设置有参考电压线，参考电压线用于向辅助电极提供参考电压；参考电压线包括主体部和连接部，第二电极通过连接部与参考电压线电连接。为了降低第二电极的电阻并且改善连接效果，第二电极包括主体电极层和辅助电极层，辅助电极层覆盖参本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个发光器件，以及为所述发光器件提供参考电压的参考电压线；所述发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光功能层和第二电极；所述第二电极与所述参考电压线电连接；其中，所述显示基板包括至少一层所述发光功能层，其包括位于所述发光器件的第一电极和第二电极之间的用于发光的所述发光功能层发光功能层，以及位于所述参考电压线背离所述衬底基板一侧的冗余发光功能层；用于发光的所述发光功能层与所述冗余发光功能层分离；所述参考电压线包括主体部和与所述主体部连接的连接部；所述第二电极覆盖所述冗余发光功能层和所述连接部的侧壁，且与所述连接部电连接；所述冗余发光功能层掺杂有P型材料。2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二电极包括背离衬底基板方向依次设置的主体电极层和辅助电极层；位于所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的所述主体电极层与位于所述连接部背离所述衬底基板一侧的主体电极层分离；所述辅助电极层覆盖所述参考电压线，以及所述连接部的侧壁。3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述发光功能层包括沿第一电极指向第二电极方向设置的发光层和空穴传输层；所述空穴传输层包括位于所述第一电极和第二电极之间的用于发光的所述空穴传输层，以及位于所述参考电压线背离所述衬底基板一侧的冗余空穴传输层；所述冗余空穴传输层掺杂有P型材料。4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述连接部与所述参考电压线的长度方向平行的两个侧壁设置有凹槽。5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素驱动电路，用于驱动所述发光器件，所述像素驱动电路包括至少一个晶体管，所述参考电压线和所述晶体管的源极和漏极同层设置且材料相同；所述晶体管位于所述衬底基板的正投影与所述发光器件位于所述衬底基板的正投影至少部分重叠，所述发光器件的第一电极通过第一连接过孔与所述晶体管的漏极连接。6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述连接部沿背离所述衬底基板方向叠层设置的第一子连接部、第二子连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈财玉，王纯阳，陈登云，汪炳伟，李然，郝艳军，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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