一种提高Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片使用寿命的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片使用寿命的方法，属于一种延长硬盘使用寿命的技术领域，将Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片中的数据块Ｂｌｏｃｋ划分到动态存储区与静态存储区，并在设定的条件下，动态存储区与静态存储区区域转换，从而达到读写次数的均衡。本发明专利技术的一种提高Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片使用寿命的方法和现有技术相比，能克服现有技术热点均衡算法的局限性，更好的均衡了Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片中Ｂｌｏｃｋ的擦除次数，从而提高了Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片的使用寿命，继而提高了以ＮａｎｄＦｌａｓｈ芯片为存储介质的ＳＳＤ的使用寿命；设计合理、操作方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种延长硬盘使用寿命的技术，具体地说是。
技术介绍
Nand Flash是现在市场上主要的非易失闪存芯片，是存储芯片的一种。 Nand Flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写 入和擦除的速度也很快。Nand Flash芯片具有速度快、体积小、功耗低、轻 便、抗震及数据不易失的特点，而以Nand Flash芯片为存储介质的SSD(固态 硬盘Solid State Disk或Solid State Drive)与带有机械部分的传统硬盘相比，同样具备以上的优势。目前主流的SSD通常都采用了Nand Flash芯片技术，Nand Flash芯片闪 存阵列分为一系列128kB的Block (Block是数据库中的最小存储和处理单 位，包含块本身的头信息数据或PL/SQL代码，也称为区块)，每个单位Block 可通过电子放电的原理纪录一个数值。这个过程就好像用一个杯子装水一样， 当这个杯子装满水的时候，系统记录为"1"，当杯子为空的时候，系统就自 动记录为"0"，正是在"0"与"1"的切换中，数据被保存了下来。但是，由于Nand Flash芯片的存储结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片使用寿命的方法，其特征在于将Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ芯片中的数据块Ｂｌｏｃｋ划分到动态存储区与静态存储区，并在设定的条件下，动态存储区与静态存储区区域转换，从而达到读写次数的均衡；由一个参数Ｅｉ来确定每个数据块Ｂｌｏｃｋ是为动态存储区或为静态存储区，Ｅ↓［ｉ］＝αＸ↓［ｉ］／（∑Ｘ↓［ｉ］／ｎ），其中，Ｂｌｏｃｋｉ为第ｉ（ｉ为正整数）个数据块Ｂｌｏｃｋ，Ｘｉ为Ｂｌｏｃｋｉ的擦除次数，ｎ为数据块Ｂｌｏｃｋ的总数，α为可设置的参数；根据需求设定一个临界值，当Ｅ↓［ｉ］大于这个临界值时，则Ｂｌｏｃｋｉ为动态存储区，当Ｅ↓［ｉ］小于这个临界值时，则Ｂｌｏｃｋｉ为静态存储区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于治楼，李峰，姜凯，梁智豪，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]