一种氯法拉滨的新晶型制造技术

本发明专利技术涉及一种氯法拉滨的新晶型，具体地涉及一种制备工艺简单、稳定性较好的氯法拉滨晶型Ｉ。该晶型不含水和有机溶剂，其Ｘ射线粉末衍射光谱如附图１所示，熔点为２３５．０℃；本发明专利技术还提供氯法拉滨晶型Ｉ的制备方法，所述方法包括将非晶型Ｉ形式的氯法拉滨从水中重结晶，并将得到的晶体在真空下干燥脱水的步骤。本发明专利技术提供的不含水和有机溶剂的氯法拉滨晶型Ｉ稳定性很好，其对强光稳定，在６０℃高温下放置１０天仍稳定，用聚乙烯塑料袋包装后常温放置半年，各项理化性质稳定。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种不含水和有机溶剂的氯法拉滨晶型Ⅰ，其特征在于，用Ｃｕ－Ｋａ辐射，以晶面距ｄ表示的Ｘ射线粉末衍射光谱在１１．１８２、７．７６９、６．１３７、５．４０１、５．２５４、４．９６２、３．６５１、３．５１７、３．４４２处有衍射峰。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏春光，张喜全，邓艳君，缪文宏，陶一飞，
申请(专利权)人：江苏正大天晴药业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]