半导体激光装置制造方法及图纸

半导体激光装置(100)具备：次基台(30)，具备底板部(45)和从底板部(45)的表面突出的凸部(46)；和半导体激光器(1)，与次基台(30)接合。半导体激光器(1)具备：半导体基板(2)；半导体构造部(3)，形成于半导体基板(2)的表面，并包含活性层(5)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。半导体激光器(1)的与凸部(46)相对的侧面以及第二电极(9)分别通过接合部件(40)而与凸部(46)的与半导体激光器(1)相对的侧面以及底板部(45)的表面接合。将凸部(46)的侧面与半导体激光器(1)的侧面接合的接合部件(40)的在凸部(46)所突出的方向亦即z方向上的端部，位于比半导体激光器(1)的半导体基板(2)的表面更靠z方向的远处的位置。靠z方向的远处的位置。靠z方向的远处的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置


[0001]本申请涉及半导体激光装置。

技术介绍

[0002]通常在半导体激光装置中芯片状的半导体激光器与次基台接合。半导体激光装置有时要求例如在
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40℃～95℃的宽的温度范围内动作。为了在
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40℃～95℃的宽的温度范围内动作，通常的半导体激光装置与对动作中的半导体激光装置进行冷却的帕尔贴冷却器(Peltier cooler)等温度调整机构一起搭载于壳封装(can package)等封装、或与其他光学部件一起搭载于模块化的光模块。为了将封装化的半导体激光装置或搭载有半导体激光装置的光模块设为小型等，而有时要求能够进行所谓的非冷却动作即不需要温度调整机构所进行的温度调整的半导体激光装置。
[0003]为了实现能够在宽的温度范围内进行非冷却动作的半导体激光装置，即使不存在温度调整机构也需要将由半导体激光器产生的热充分地释放，需要提高散热性。在专利文献1中公开了一种半导体激光装置，其为了提高散热性，而将形成于绝缘性基板的氮化物半导体激光器插入到在内表面形成有金属的支承体(次基台)的凹部。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置，所述半导体激光装置具备：次基台，具备底板部和从所述底板部的表面突出的凸部；和半导体激光器，与所述次基台接合，其中，所述半导体激光器具备：半导体基板；半导体构造部，形成于所述半导体基板的表面，并包含生成从射出端面射出的光的活性层；第一电极，形成于所述半导体构造部的与所述半导体基板相反侧的表面；以及第二电极，形成于所述半导体基板的背面，所述半导体激光器的与所述凸部相对的侧面以及所述第二电极，分别通过接合部件而与所述凸部的与所述半导体激光器相对的侧面以及所述底板部的表面接合，将所述凸部的侧面与所述半导体激光器的侧面接合的所述接合部件的在所述凸部所突出的方向亦即z方向上的端部，位于比所述半导体激光器的所述半导体基板的表面更靠所述z方向的远处的位置。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述次基台的所述凸部的在所述z方向上突出的端部，位于比所述半导体激光器的所述第一电极的表面更靠所述z方向的远处的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其中，将所述半导体激光器的所述活性层所延伸的方向设为x方向，将与所述x方向以及所述z方向垂直的方向设为y方向，所述活性层配置于比所述半导体激光器的所述y方向的两个侧面间的中心更靠所述凸部侧的位置。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其中，从所述活性层的在所述活性层所延伸的方向上的中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川喜之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：