霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法及装置制造方法及图纸

技术编号:37783938 阅读:19 留言:0更新日期:2023-06-09 09:14
本发明专利技术公开了一种霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法及装置,属于传感器芯片技术领域,基于预先刻录的驱动电流值,调节所述可调电流源输出对应比例的电流I1;调节所述固定电流源输出固定电流值I2,其中,I1=I2H2/H1,H1为所述第一霍尔单元的输出信号,H2为所述第二霍尔单元的输出信号;基于所述电流I1和所述电流I2,分别驱动所述第一霍尔单元和所述第二霍尔单元,消除外部磁场所引入的共模信号。本发明专利技术有效解决因CMOS制造工艺引入的灵敏度失配所导致的外部磁场干扰难以消除的问题。失配所导致的外部磁场干扰难以消除的问题。失配所导致的外部磁场干扰难以消除的问题。

【技术实现步骤摘要】
霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法及装置


[0001]本专利技术涉及传感器芯片
,具体涉及一种霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法及装置。

技术介绍

[0002]基于霍尔效应的电流传感器利用电流流过导体产生相应的磁场,此磁场穿过临近的霍尔单元,从而产生霍尔电压,测量霍尔电压可以推算出流过导体的电流。
[0003]基于CMOS工艺的霍尔传感器单元,是电流传感器芯片的重要组成部分。当传感器工作在强磁场环境下,如靠近电动机马达时,为克服外部磁场的干扰,在电流传感器芯片内流过大电流的引线两侧,分别放置一个霍尔单元,用以抵消外部磁场所引入的共模信号;此时取两个霍尔单元输出电压的差模作为下级差分放大电路的输入。
[0004]比如相关技术中,公布号为CN109143122A的专利技术专利申请提出的一种霍尔传感器,这一方案的缺陷在于:CMOS制造工艺难以保证芯片上不同位置的两个霍尔元件的灵敏度即输入电流与输出电压的线性斜率完全匹配,这种失配导致共模信号不能完全消除,从而影响整个电流传感器的精度。
[0005]公布号为CN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法,其特征在于,电流传感器内流过待测电流的导线两侧分别放置第一霍尔单元、第二霍尔单元,所述第一霍尔单元的驱动端连接可调电流源,所述第二霍尔单元的驱动端连接固定电流源,所述方法包括:基于预先刻录的驱动电流值,调节所述可调电流源输出对应比例的电流I1;调节所述固定电流源输出固定电流值I2,其中,I1=I2H2/H1,H1为所述第一霍尔单元的输出信号,H2为所述第二霍尔单元的输出信号;基于所述电流I1和所述电流I2,分别驱动所述第一霍尔单元和所述第二霍尔单元,消除外部磁场所引入的共模信号。2.如权利要求1所述的霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法,其特征在于,在所述基于预先刻录的驱动电流值,调节所述可调电流源输出对应比例的电流I1之前,所述方法还包括:在针对所述电流传感器施加外部磁场B+时,分别记录两个所述霍尔单元产生的霍尔电压V
1(+)
和V
2(+)
;在针对所述电流传感器施加外部磁场B

时,分别记录两个所述霍尔单元产生的霍尔电压V
1(

)
和V
2(

)
,其中,B+和B

的磁场大小相同、方向相反;基于霍尔电压V
1(+)
和V
2(+)
及霍尔电压V
1(

)
和V
2(

)
,计算所述第一霍尔单元的输出信号H1和所述第二霍尔单元的输出信号H2;基于所述第二霍尔单元的驱动电流值I2,计算预先刻录的驱动电流为I2/p,p=H1/H2。3.如权利要求2所述的霍尔效应的电流传感器的外部磁干扰消除方法,其特征在于,所述基于霍尔电压V
1(+)
和V
2(+)
及霍尔电压V
1(

)
和V
2(

)
,计算所述第一霍尔单元的输出信号H1和所述第二霍尔单元的输出信号H2,包括:计算所述第一霍尔单元的输出信号为H1=(V
1(+)
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘斌王苹黄正伟
申请(专利权)人:安庆振昌芯力电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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