一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物、制备方法及低油离度导热硅脂技术

本发明专利技术涉及导热硅脂技术领域，为解决现有导热硅脂存在耐热等级低、油离度高和挥发性高等技术缺陷，本发明专利技术公开了一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物，其结构式如式(I)所示：本发明专利技术提供的α

【技术实现步骤摘要】
一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物、制备方法及低油离度导热硅脂


[0001]本专利技术涉及导热硅脂
，具体涉及一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物、制备方法及低油离度导热硅脂。

技术介绍

[0002]导热硅脂为常见的热界面材料，通常以惰性的二甲基硅油等常用硅油为基础聚合物，填充导热粉体为填料制备得到，广泛应用于电子元器件、组件的热管理系统。二甲基硅油是合成聚合物中热性能优异的少数材料之一，但导热性能与电子元器件的导热性相比还有一定的差距。另外，二甲基硅油类导热硅脂一段时间后容易出现硅脂干化、渗油迁移等现象，不仅会污染电子元器件，引起其功能退化和产品可靠性下降，严重时甚至会造成设备失效。其他如甲基封端的聚甲基苯基硅氧烷类的导热硅脂也存在类似的不足。
[0003]中国专利申请CN201910955808.8公开了一种高效导热硅脂，在使用甲基封端的聚二甲基硅氧烷、甲基乙烯基封端的聚甲基硅氧烷、甲基封端的聚甲基苯基硅氧烷或甲基乙烯基封端的聚甲基苯基硅氧烷等作为基础聚合物的基础上，引入羧基类改性硅油以改善导热硅脂的干化和渗油迁移，使用不同种类的微、纳米导热粉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物，其特征在于，所述齐聚物如下式(I)所示：n为10～20。2.根据权利要求1所述的齐聚物，其特征在于，所述齐聚物的PDI指数为1.20～1.30。3.一种如权利要求1或2所述的齐聚物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)惰性气氛下向反应器中加入正丁基锂，再加入四氢呋喃活化正丁基锂；(2)继续向反应器中滴加1,3,5
‑
三甲基
‑
1,3,5
‑
三苯基环三硅氧烷的四氢呋喃溶液反应；(3)步骤(2)反应后滴加三甲基氯硅烷进行链终止反应；(4)调节反应器内物料pH值至中性，过滤除去无机盐、减压蒸馏除去溶剂及低沸物，得到聚甲基苯基硅氧烷齐聚物。4.根据权利要求3所述的齐聚物的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，正丁基锂在THF中的浓度为(100～10000)
×
10
‑6mol/1L；和/或步骤(1)的活化时间为5～120min，活化温度为
‑
30～25℃。5.根据权利要求3所述的齐聚物的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，1,3,5
‑
三甲基
‑
1,3,5
‑
三苯基环三硅氧烷在THF中的浓度为0.2～2.0g/mL；和/或正丁基锂与1,3,5
‑
三甲基
‑
1,3,5

【专利技术属性】
技术研发人员：陈道伟，伍川，侯建超，呼雪，黄亮兵，苏腾，张镇，刘阳，杨威，陈学明，董红，瞿志荣，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：