有源矩阵基板、液晶显示装置及有源矩阵基板的制造方法制造方法及图纸

技术编号:37773766 阅读:13 留言:0更新日期:2023-06-06 13:40
提供一种有源矩阵基板,其抑制了由水分等杂质引起的氧化物半导体TFT的特性变动。有源矩阵基板具备:基板;像素TFT,其支撑于基板,与多个像素区域中的每个像素区域对应地设置,具有氧化物半导体层;有机绝缘层,其配置在像素TFT的至少氧化物半导体层的上方;以及无机绝缘层,其与有机绝缘层的上表面接触地配置在有机绝缘层上,在有机绝缘层和无机绝缘层,设置有多个两层孔结构部,各两层孔结构部包含:贯通孔,其设置于无机绝缘层;以及有底孔,其设置于有机绝缘层,并且位于贯通孔的下方,在从基板的法线方向观看时,贯通孔与有底孔的外缘相比位于内侧。比位于内侧。比位于内侧。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板、液晶显示装置及有源矩阵基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及有源矩阵基板、液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法。

技术介绍

[0002]当前,具备有源矩阵基板的液晶显示装置广泛应用于各种用途。有源矩阵基板按每个像素区域具有开关元件。具有薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵基板被称为TFT基板。
[0003]TFT基板具有按每个像素区域设置的TFT和像素电极、向TFT供应栅极信号的栅极配线(栅极总线)、向TFT供应源极信号的源极配线(源极总线)等。TFT的栅极电极、源极电极以及漏极电极分别电连接到栅极配线、源极配线以及像素电极。TFT由层间绝缘层(钝化层)覆盖。
[0004]有时在层间绝缘层上形成有机绝缘层作为用于将表面平坦化的平坦化层。通过形成有机绝缘层,也能够降低负载电容(寄生电容)而降低功耗。作为有机绝缘层的材料,使用感光性树脂材料的情况较多。为了得到充分的平坦化效果、负载电容降低效果,在形成有机绝缘层时感光性树脂材料被涂布得较厚(例如数μm的厚度)。
[0005]在形成有有机绝缘层的情况下,例如,在有机绝缘层上,多个像素电极相互分隔开地设置,在其上设置用于将像素电极彼此绝缘的无机绝缘层。在FFS(Fringe Field Switching:边缘场开关)模式的液晶显示装置所使用的TFT基板中,像素电极和共用电极隔着电介质层(无机绝缘层)层叠在有机绝缘层上。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:特开2014

90068号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]已知在TFT基板的制造工艺中,抗蚀剂剥离液、湿式蚀刻液、大气中等所包含的水分等杂质易于侵入到有机绝缘层。若如上所述的那样有机绝缘层的上表面由无机绝缘层覆盖,则在制造工艺中侵入到有机绝缘层的杂质不易从有机绝缘层的上表面放出到TFT基板的外部。因此,侵入到有机绝缘层的杂质的一部分有可能向下方(基板侧)移动并进入像素TFT的氧化物半导体层。
[0011]若水分等杂质进入到氧化物半导体层,则有可能在氧化物半导体层形成载流子而载流子密度增加。这样的话,有时像素TFT的阈值电压会发生变化(向负方向偏移)而截止漏电流增加。这成为显示不良的主要原因。另外,在使用氧化物半导体层作为构成驱动电路的TFT(电路TFT)的活性层的情况下,也有可能由于杂质进入到氧化物半导体层而不能得到所希望的特性。
[0012]对此,专利文献1提出了在TFT基板中,在配置于有机绝缘层上的无机绝缘层设置
使有机绝缘层的上表面的一部分露出的开口部,从而使有机绝缘层所包含的水分等杂质通过开口部扩散到外部。
[0013]近年来,液晶显示装置的高清晰化正在推进,在(例如1000ppi以上的)高清晰的液晶显示装置所使用的TFT基板中,有时有机绝缘层形成得更厚(例如4~5μm)。在这样的TFT基板中,有机绝缘层的体积在TFT基板中所占的比例变大,因此由有机绝缘层所包含的杂质带来的影响变得显著。因此,正在谋求将有机绝缘层所吸收的杂质进一步高效地放出到外部的结构。
[0014]本公开的一实施方式是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供能抑制由水分等杂质引起的氧化物半导体TFT的特性的变动的有源矩阵基板。
[0015]用于解决问题的方案
[0016]本说明书公开了以下的项目记载的有源矩阵基板、液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法。
[0017][项目1][0018]一种有源矩阵基板,具有包含在行方向和列方向上排列为矩阵状的多个像素区域的显示区域和位于所述显示区域的周边的非显示区域,其中,具备:
[0019]基板;
[0020]像素TFT,其支撑于所述基板,与所述多个像素区域中的每个像素区域对应地设置,所述像素TFT具有氧化物半导体层作为活性层;
[0021]有机绝缘层,其配置在所述像素TFT的至少所述氧化物半导体层的上方;以及
[0022]无机绝缘层,其与所述有机绝缘层的上表面接触地配置在所述有机绝缘层上,
[0023]在所述有机绝缘层和所述无机绝缘层,设置有多个两层孔结构部,
[0024]各两层孔结构部包含:
[0025]贯通孔,其设置于所述无机绝缘层;以及
[0026]有底孔,其设置于所述有机绝缘层,并且位于所述贯通孔的下方,
[0027]在从所述基板的法线方向观看时,所述贯通孔与所述有底孔的外缘相比位于内侧。
[0028][项目2][0029]根据项目1所述的有源矩阵基板,其中,
[0030]所述有底孔的内表面与所述无机绝缘层不直接接触。
[0031][项目3][0032]根据项目1或2所述的有源矩阵基板,其中,
[0033]所述有源矩阵基板还具备配置在所述无机绝缘层上的透明导电层,所述透明导电层在所述各两层孔结构部上具有开口部,
[0034]在所述各两层孔结构部中,所述有底孔的内表面的至少一部分从所述透明导电层和所述无机绝缘层露出。
[0035][项目4][0036]根据项目3所述的有源矩阵基板,其中,
[0037]所述有源矩阵基板还具备与所述透明导电层形成在同层的岛状透明导电部,
[0038]在所述各两层孔结构部中,
[0039]所述透明导电层覆盖所述无机绝缘层的上表面的至少一部分和所述无机绝缘层的所述贯通孔的内侧面的至少一部分,
[0040]所述岛状透明导电部配置在所述有机绝缘层的所述有底孔的内部并与所述透明导电层分隔开,
[0041]所述有底孔的所述内表面的一部分从所述岛状透明导电部、所述透明导电层以及所述无机绝缘层露出。
[0042][项目5][0043]根据项目4所述的有源矩阵基板,其中,
[0044]在从所述基板的法线方向观看时,所述开口部与所述贯通孔的所述外缘相比位于内侧。
[0045][项目6][0046]根据项目3所述的有源矩阵基板,其中,
[0047]在所述各两层孔结构部中,所述透明导电层的所述开口部使所述贯通孔的内侧面和所述有底孔的所述内表面露出,
[0048]在从所述基板的法线方向观看时,所述开口部与所述有底孔的所述外缘相比位于内侧。
[0049][项目7][0050]根据项目1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
[0051]所述有机绝缘层包含第1有机绝缘层以及与所述第1有机绝缘层相比位于上层的第2有机绝缘层,
[0052]所述第1有机绝缘层和所述第2有机绝缘层各自包含有在所述各两层孔结构部的所述有底孔露出的部分。
[0053][项目8][0054]根据项目1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,
[0055]所述有机绝缘层包含第1有机绝缘层和第2有机绝缘层,所述第2有机绝缘层与所述第1有机绝缘层相比位于上层,并且包含与所述第1有机绝缘层直本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵基板,具有包含在行方向和列方向上排列为矩阵状的多个像素区域的显示区域和位于所述显示区域的周边的非显示区域,其特征在于,具备:基板;像素TFT,其支撑于所述基板,与所述多个像素区域中的每个像素区域对应地设置,所述像素TFT具有氧化物半导体层作为活性层;有机绝缘层,其配置在所述像素TFT的至少所述氧化物半导体层的上方;以及无机绝缘层,其与所述有机绝缘层的上表面接触地配置在所述有机绝缘层上,在所述有机绝缘层和所述无机绝缘层,设置有多个两层孔结构部,各两层孔结构部包含:贯通孔,其设置于所述无机绝缘层;以及有底孔,其设置于所述有机绝缘层,并且位于所述贯通孔的下方,在从所述基板的法线方向观看时,所述贯通孔与所述有底孔的外缘相比位于内侧。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其中,所述有底孔的内表面与所述无机绝缘层不直接接触。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其中,所述有源矩阵基板还具备配置在所述无机绝缘层上的透明导电层,所述透明导电层在所述各两层孔结构部上具有开口部,在所述各两层孔结构部中,所述有底孔的内表面的至少一部分从所述透明导电层和所述无机绝缘层露出。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板,其中,所述有源矩阵基板还具备与所述透明导电层形成在同层的岛状透明导电部,在所述各两层孔结构部中,所述透明导电层覆盖所述无机绝缘层的上表面的至少一部分和所述无机绝缘层的所述贯通孔的内侧面的至少一部分,所述岛状透明导电部配置在所述有机绝缘层的所述有底孔的内部并与所述透明导电层分隔开,所述有底孔的所述内表面的一部分从所述岛状透明导电部、所述透明导电层以及所述无机绝缘层露出。5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,其中,在从所述基板的法线方向观看时,所述开口部与所述贯通孔的所述外缘相比位于内侧。6.根据权利要求3所述的有源矩阵基板,其中,在所述各两层孔结构部中,所述透明导电层的所述开口部使所述贯通孔的内侧面和所述有底孔的所述内表面露出,在从所述基板的法线方向观看时,所述开口部与所述有底孔的所述外缘相比位于内侧。7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,所述有机绝缘层包含第1有机绝缘层以及与所述第1有机绝缘层相比位于上层的第2有机绝缘层,
所述第1有机绝缘层和所述第2有机绝缘层各自包含有在所述各两层孔结构部的所述有底孔露出的部分。8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,所述有机绝缘层包含第1有机绝缘层和第2有机绝缘层,所述第2有机绝缘层与所述第1有机绝缘层相比位于上层,并且包含与所述第1有机绝缘层直接接触的部分,所述第1有机绝缘层和所述第2有机绝缘层中的仅任意一方包含有在所述各两层孔结构部的所述有底孔露出的部分。9.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,所述有源矩阵基板还具备隔着所述无机绝缘层配置在所述有机绝缘层上的其它有机绝缘层,所述其它有机绝缘层以填埋所述各两层孔结构部中的所述贯通孔和所述有底孔的方式配置。10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,所述多个两层孔结构部包含配置在所述显示区域的多个第1两层孔结构部。11.根据权利要求10所述的有源矩阵基板,其中,所述有源矩阵基板还具备多个像素电极,所述多个像素电极各自配置于所述多个像素区域中的每个像素区域,并且电连接到对应的1个像素TFT,各第1两层孔结构部在所述显示区域中配置在与所述多个像素电极不重叠的位置。12.根据权利要求10或11所述的有源矩阵基板,其中,所述多个第1两层孔结构部以1个第1两层孔结构部与3个以上的像素区域对应的方式配置在所述显示区域。13.根据权利要求10至12中的任意一项所述的有源矩阵基板,其中,所述有源矩阵基板还具备配置...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐藤裕一古川博章蜂谷笃史松木园广志
申请(专利权)人:夏普显示科技株式会社
类型:发明
国别省市:

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