一种提纯铟的方法技术

本发明专利技术公开了一种提纯铟的方法，所述方法包括：将铟粗品在不锈钢坩埚中加热，形成粗铟熔体，去除所述粗铟熔体表面的浮渣；向所述粗铟熔体中加入氯化铵和甘油，使所述粗铟熔体中的杂质进行反应；所述反应结束后，冷却，去除所述粗铟熔体表面的悬浮物，得到精铟。由此，本发明专利技术通过添加甘油，可以降低对坩埚的腐蚀性，本发明专利技术方法具有操作简单的优点，而且，使用本发明专利技术方法得到的精铟中的杂质含量少，可以达到市场对精铟产品的要求。场对精铟产品的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种提纯铟的方法


[0001]本专利技术属于湿法冶金
，具体涉及一种提纯铟的方法。

技术介绍

[0002]铟具有十分优良的性能，广泛应用于现代信息产业、核工业、航天航空、国防军事、光电、电子、能源和电子计算机等领域，在国民经济中的作用日趋重要。
[0003]金属材料纯度的提高，可使其化学、电学、光磁性、力学性能得到增强，随着原子能、光电学、航空航天等领域高新行业的发展，对材料纯度的要求也越来越高。由于微量杂质的引入就会严重影响材料本身性能，因此铟的纯度是决定材料性能的重要因素。
[0004]现有的提纯铟的方法存在操作复杂、提纯效果较差等缺陷，因此，有必要对提纯铟的方法进行改进。

技术实现思路

[0005]为改善上述技术问题，本专利技术提供一种提纯铟的方法，所述方法包括：
[0006]将铟粗品在不锈钢坩埚中加热，形成粗铟熔体，去除所述粗铟熔体表面的浮渣；
[0007]向所述粗铟熔体中加入氯化铵和甘油，使所述粗铟熔体中的杂质进行反应；
[0008]所述反应结束后，冷却，去除所述粗铟熔体表面的悬浮物，得到精铟。
[0009]由此，本专利技术通过添加甘油，可以降低对坩埚的腐蚀性，本专利技术方法具有操作简单的优点，而且，使用本专利技术方法得到的精铟中的杂质含量少，可以达到市场对精铟产品的要求。
[0010]根据本专利技术的实施例，所述铟粗品为电解析出铟。
[0011]根据本专利技术的实施例，所述加热的温度为160
‑
180℃。由此，可以使铟粗品成熔融态。
[0012]根据本专利技术的实施例，所述铟粗品与所述氯化铵的质量比为(10
‑
15):1。由此，可以保证铟粗品中的全部铊都与氯化铵进行反应生成氯化物，氯化物溶于甘油中，通过撇去甘油可以除去溶于其中的氯化物，可以使铟粗品的提纯效果更好。
[0013]根据本专利技术的实施例，所述氯化铵与所述甘油的含量比为10：(0.5
‑
2)kg/L。由此，可以使反应产生的氯化物全部溶于甘油中，而甘油会悬浮于粗铟熔体的表面，通过将粗铟熔体表面的浮渣撇去，可以去除氯化物，提高精铟的纯度，提纯效果较好。
[0014]根据本专利技术的实施例，所述反应的温度是220
‑
280℃。由此，可以使铟粗品中的铊与氯化铵进行反应。
[0015]根据本专利技术的实施例，所述反应的时间是1
‑
2小时。由此，可以使铟粗品中的铊与氯化铵的反应完全。
[0016]根据本专利技术的实施例，所述方法包括：所述反应结束后，冷却，当所述粗铟熔体的温度降低到160
‑
180℃时，去除表面的悬浮物，得到精铟。由于氯化物会先结晶析出至表面渣层，将悬浮在表面的渣层撇出，可达到除杂提纯的效果。
[0017]根据本专利技术的实施例，所述不锈钢包括316不锈钢。
[0018]根据本专利技术的实施例，所述精铟中的镍含量为0.0005％以下。由此，由本专利技术方法得到的精铟中的镍杂质含量少，可以达到市场对精铟产品的要求。
具体实施方式
[0019]下面将结合实施例对本专利技术的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限定本专利技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0020]专利技术人发现，在使用不锈钢坩埚提纯铟的过程中，通常使用氯化铵进行除铊反应，以去除铟粗品中的铊，具体地，氯化铵除铊的主要反应式为：
[0021]2Tl+2NH4Cl＝2TlCl+2NH3↑
+H2↑
[0022]铟金属熔体中的铊以TlCl的形式进入浮渣。基于铊在氯化铵熔体中具有一定的溶解度，实现铟和铊的分离，但是在加热条件下，氯化铵会发生分解，主要反应式为：
[0023]NH4Cl＝NH3↑
+HCl
[0024]氯化铵在高温条件下分解成氨气和氯化氢，不锈钢中含镍，高温条件下，氯化氢对不锈钢有极大的腐蚀性，不锈钢中的镍会随着不断腐蚀而进入精铟，其中镍则进入铟的熔体，导致精铟的品质降低。
[0025]为改善上述技术问题，本专利技术提供一种提纯铟的方法，所述方法包括：
[0026]S100、将铟粗品在不锈钢坩埚中加热，形成粗铟熔体，去除所述粗铟熔体表面的浮渣；
[0027]根据本专利技术的实施例，所述铟粗品为电解析出铟。
[0028]根据本专利技术的实施例，所述加热的温度为160
‑
180℃。在该温度下，可以使铟粗品成熔融态。进一步地，所述加热的温度可以为160℃、165℃、170℃、175℃、180℃。
[0029]在铟粗品的熔融过程中，由于杂质和铟的比重差异，杂质会以浮渣的形式悬浮在粗铟熔体的表面，通过步骤S100，可以将表面漂浮的灰层撇出，可以去除铟粗品中的杂质，得到清亮的粗铟熔体。
[0030]S200、向所述粗铟熔体中加入氯化铵和甘油，使所述粗铟熔体中的杂质进行反应；
[0031]在氯化铵试剂表面加入甘油后，甘油对不锈钢坩埚起到了保护性作用。具体地，氯化铵溶于甘油中，甘油会漂浮于氯化铵熔体表面，氯化铵受热以氨气形式挥发之后，甘油会漂浮于氯化氢表面，降低了对不锈钢的腐蚀性。而且，甘油不会与铟混溶，甘油悬浮于粗铟熔体的表面，通过撇去粗铟熔体表面的悬浮物，可以使粗铟熔体与甘油分离开。
[0032]根据本专利技术的实施例，所述铟粗品与所述氯化铵的质量比为(10
‑
15):1，例如10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1。本专利技术方法中所加入的氯化铵的含量是根据铟粗品中铊的含量而定的。当铟粗品与氯化铵的质量比为(10
‑
15):1时，可以保证铟粗品中的全部铊都与氯化铵进行反应生成氯化物，氯化物溶于甘油中，通过撇去甘油可以除去溶于其中的氯化物，可以使铟粗品的提纯效果更好。如果上述质量比过低，氯化铵的含量过多，过多的氯化铵会与铟反应，虽然氯化铟溶于甘油，能浮在粗铟熔体的表面，不会使精铟的纯度降低，但是会使精铟的量减少，造成铟损失。如果上述质量比过高，氯化铵的含量过少，则会使铟粗
品中的铊反应不完全，会造成部分的铊杂质仍然掺杂在粗铟熔体中，进而降低精铟的纯度，导致提纯效果较差。
[0033]根据本专利技术的实施例，所述氯化铵(质量，kg)与所述甘油(体积，L)的含量比为10：(0.5
‑
2)kg/L，例如10:0.5kg/L、10:1kg/L、10:1.5kg/L、10:2kg/L。由此，甘油会漂浮于氯化铵熔体表面，氯化铵受热以氨气形式挥发之后，甘油会漂浮于氯化氢表面，降低了对不锈钢的腐蚀性。当氯化铵与甘油的含量比为10：(0.5
‑
2)kg/L时，可以使反应产生的氯化物全部溶于甘油中，而甘油会悬浮于粗铟熔体的表面，通过将粗铟熔体表面的浮渣撇去本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提纯铟的方法，其特征在于，所述方法包括：将铟粗品在不锈钢坩埚中加热，形成粗铟熔体，去除所述粗铟熔体表面的浮渣；向所述粗铟熔体中加入氯化铵和甘油，使所述粗铟熔体中的杂质进行反应；所述反应结束后，冷却，去除所述粗铟熔体表面的悬浮物，得到精铟。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铟粗品为电解析出铟。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为160
‑
180℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铟粗品与所述氯化铵的质量比为(10
‑
15):1。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氯化铵与所述甘油的含量比...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪嶂，潘辉，陆开臣，秦绍学，蒋建文，李文武，王天龙，燕金林，
申请(专利权)人：云锡文山锌铟冶炼有限公司，
类型：发明
国别省市：