液晶聚酯、液晶聚酯的制造方法、液晶聚酯组合物、膜、膜的制造方法及电路基板技术

本发明专利技术涉及一种液晶聚酯，其是包含来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的液晶聚酯，上述来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的含量相对于液晶聚酯的全部重复单元的合计数100％为80％以上，具有式(A1)所表示的重复单元(A1)及式(A2)所表示的重复单元(A2)，重复单元(A2)/重复单元(A1)为1.2以上，通过1H

【技术实现步骤摘要】
液晶聚酯、液晶聚酯的制造方法、液晶聚酯组合物、膜、膜的制造方法及电路基板


[0001]本专利技术涉及液晶聚酯、液晶聚酯的制造方法、液晶聚酯组合物、膜、膜的制造方法及电路基板。

技术介绍

[0002]液晶聚酯被知晓化学稳定性、耐热性及尺寸精度高，在电气、电子、机械、光学设备、汽车、飞机及医疗领域等各种领域中被利用。
[0003]这些领域中，特别是液晶聚酯由于具有优异的高频特性、并且为低吸水性，因此作为电子部件用的材料而受到关注。
[0004]液晶聚酯由于与其他的热塑性树脂相比分子结构刚直，偶极子性小，即使施加电场也不易运动，因此高频下的介质损耗角正切优异。
[0005]此外，液晶聚酯由于耐热性高，因此相对介电常数及介质损耗角正切在热方面也稳定。此外，液晶聚酯由于为低吸水性，因此基本没有相对介电常数及介质损耗角正切的因吸水而引起的变化。此外，液晶聚酯由于流动性高，因此对于制作薄且小型的成型体而言优异。
[0006]例如在专利文献1中公开了一种绝缘材料用液晶性芳香族聚酯，其包含下述组成：包含(
ⅰ
)来源于对羟基苯甲酸的重复单元及(
ⅱ
)来源于1种以上的羟基萘甲酸的重复单元，(
ⅰ
)相对于(
ⅰ
)及(
ⅱ
)的合计摩尔数的含有比例为5～65摩尔％的范围。
[0007]公开了专利文献1中记载的绝缘材料用液晶性芳香族聚酯在高频区域中的介质损耗角正切小。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本特开2004
‑
250620号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]在专利文献1的液晶聚酯中，关于耐热性存在改善的余地。
[0013]例如在将该液晶聚酯进行熔融成型的情况下，有时耐热性不充分，该液晶聚酯被分解，产生气体。此外，在将该液晶聚酯进行熔融成型来制造膜的情况下，有时在加热时该液晶聚酯分解而产生的气体附着于膜的卷取辊上并固化，从而成为膜中的异物。
[0014]本专利技术是为了解决上述那样的问题而进行的，目的是提供耐热性更加提高的液晶聚酯。
[0015]本专利技术的目的是提供上述液晶聚酯的制造方法、含有上述液晶聚酯的液晶聚酯组合物、包含上述液晶聚酯的膜、上述膜的制造方法及包含上述膜的电路基板。
[0016]用于解决课题的手段
[0017]本专利技术者们为了解决上述课题进行了深入研究，完成本专利技术。
[0018]本专利技术具有以下的方案。
[0019][1]一种液晶聚酯，其是包含来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的液晶聚酯，上述来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的含量相对于液晶聚酯的全部重复单元的合计数100％为80％以上，上述来源于芳香族羟基羧酸的重复单元包含式(A1)所表示的重复单元(A1)及式(A2)所表示的重复单元(A2)，上述重复单元(A1)的数目与上述重复单元(A2)的数目之比[重复单元(A2)/重复单元(A1)]为1.2以上，
[0020]通过1H
‑
NMR算出的酚性羟基相对于酚性羟基与酰基的合计量的摩尔比[酚性羟基/(酚性羟基+酰基)]为0.3以下。
[0021](A1)
‑
O
‑
Ar
11
‑
CO
‑
[0022](A2)
‑
O
‑
Ar
12
‑
CO
‑
[0023][式中，Ar
11
表示亚苯基。Ar
11
中的亚苯基所具有的氢原子也可以被卤素原子、烷基或芳基取代。Ar
12
表示亚萘基。Ar
12
中的亚萘基所具有的氢原子也可以被卤素原子、烷基或芳基取代。][0024][2]根据[1]所述的液晶聚酯，其中，式(A1)中的Ar
11
为1,4
‑
亚苯基，式(A2)中的Ar
12
为2,6
‑
亚萘基。
[0025][3]根据[1]或[2]所述的液晶聚酯，其重均分子量为100000～800000。
[0026][4]根据[1]～[3]中任一项所述的液晶聚酯，其分散度为2.0～6.0。
[0027][5]一种液晶聚酯组合物，其含有[1]～[4]中任一项所述的液晶聚酯和溶剂。
[0028][6]一种膜，其包含[1]～[4]中任一项所述的液晶聚酯。
[0029][7]一种膜的制造方法，其具有将[1]～[4]中任一项所述的液晶聚酯进行熔融成型来制造膜的工序。
[0030][8]根据[7]所述的膜的制造方法，其中，上述进行熔融成型来制造膜的工序使用膨胀法或T型模法。
[0031][9]一种电路基板，其包含[6]所述的膜。
[0032]专利技术效果
[0033]根据本专利技术，能够提供耐热性更加提高的液晶聚酯。
[0034]根据本专利技术，能够提供上述液晶聚酯的制造方法、含有上述液晶聚酯的液晶聚酯组合物、包含上述液晶聚酯的膜、上述膜的制造方法及包含上述膜的电路基板。
附图说明
[0035]图1是表示本实施方式的膜的示意图。
具体实施方式
[0036](液晶聚酯)
[0037]本实施方式的液晶聚酯通过1H
‑
NMR算出的酚性羟基相对于酚性羟基与酰基的合计量的摩尔比[酚性羟基/(酚性羟基+酰基)](以下，也称为比A)为0.3以下。
[0038]本实施方式的液晶聚酯具有来源于作为原料单体的芳香族化合物的重复单元。该芳香族化合物在芳香环上具有羟基(酚性羟基)。此外，本实施方式的液晶聚酯具有来源于
酚性羟基的氢原子被酰基取代而得到的芳香族化合物的重复单元。
[0039]本实施方式的液晶聚酯典型而言在主链末端具有酚性羟基及酰基。
[0040]本说明书中，所谓“来源”是指由于原料单体聚合而化学结构发生变化、其他的化学结构不发生变化。
[0041]比A为0.3以下，优选为0.28以下，更优选为0.26以下，进一步优选为0.24以下。
[0042]通过比A为0.3以下，耐热性提高。此外，通过该比为上述的优选的值以下，耐热性更加提高。
[0043]比A优选为0.01以上，更优选为0.03以上，进一步优选为0.05以上。
[0044]例如，比A优选为0.01以上且0.3以下，更优选为0.03以上且0.28以下，进一步优选为0.05以上且0.26以下，特别优选为0.05以上且0.24以下。
[0045]此外，比A也可以为0.05以上且0.15以下。
[0046]比A通过1H
‑
NMR测定来算出。具体的算出方法如以下那样。
[0047](i)由1H
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶聚酯，其是包含来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的液晶聚酯，所述来源于芳香族羟基羧酸的重复单元的含量相对于液晶聚酯的全部重复单元的合计数100％为80％以上，所述来源于芳香族羟基羧酸的重复单元包含式(A1)所表示的重复单元(A1)及式(A2)所表示的重复单元(A2)，所述重复单元(A1)的数目与所述重复单元(A2)的数目之比即重复单元(A2)/重复单元(A1)为1.2以上，通过1H
‑
NMR算出的酚性羟基相对于酚性羟基与酰基的合计量的摩尔比即酚性羟基/(酚性羟基+酰基)为0.3以下，(A1)
‑
O
‑
Ar
11
‑
CO
‑
(A2)
‑
O
‑
Ar
12
‑
CO
‑
式中，Ar
11
表示亚苯基，Ar
11

【专利技术属性】
技术研发人员：大友新治，莇昌平，土佐桃波，增井希望，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：