平面磁性器件及布线方法技术

本申请实施例公开了一种平面磁性器件及布线方法，属于电子技术领域。其中，该平面磁性器件包括：边柱，边柱上设有第一气隙；中柱，与边柱平行，中柱上设有第二气隙；线圈绕组，缠绕在中柱上，且靠近第一气隙或第二气隙的线圈绕组的线宽小，且远离第一气隙和第二气隙的线圈绕组的线宽大。因此，本申请实施例可以解决相关技术中平面磁性器件损耗大的问题。关技术中平面磁性器件损耗大的问题。关技术中平面磁性器件损耗大的问题。

【技术实现步骤摘要】
平面磁性器件及布线方法


[0001]本申请涉及电子领域，具体而言，涉及一种平面磁性器件及布线方法。

技术介绍

[0002]现如今，各行各业中的电子产品都离不开开关电源的使用。开关电源中影响体积的关键器件为磁性器件，为了使开关电源小型化，可以采用平面磁性器件。由于平面磁性器件的厚度较薄，平面磁性器件中的磁芯的高度会受到限制。如图1所示，磁芯上一般会开气隙用来存储较大的磁通能量，经过磁芯的为主磁通111，扩散到窗口内部的为扩散磁通222，穿越磁柱之间的为旁路磁通333，由于磁通是闭合的曲线，当经过气隙时，会有部分磁力线分散到磁芯窗口内部，扩散磁通222会切割放置在窗口内的绕组线圈，而绕组线圈内部通入的是交变电流，导致交变电流切割扩散磁通222的磁力线，产生损耗，而且，气隙越大，扩散磁通越多，导致损耗越大。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种平面磁性器件及布线方法，以至少解决现有的平面磁性器件损耗大的技术问题。
[0004]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种平面磁性器件，包括：边柱，边柱上设有第一气隙；中柱，与边柱平行，中柱上设有第二气隙；线圈绕组，缠绕在中柱上，且靠近第一气隙或第二气隙的线圈绕组的线宽小，且远离第一气隙和第二气隙的线圈绕组的线宽大。
[0005]可选的，缠绕在第一位置的线圈绕组的第一线宽小于缠绕在第二位置的线圈绕组的第二线宽，其中，第一位置与第二气隙的第一距离小于第二位置与第二气隙的第二距离。
[0006]可选的，线宽基于线圈绕组与第一气隙的第一距离，线圈绕组与第二气隙的第二距离，流过线圈绕组的电流，及平面磁性器件的损耗确定。
[0007]可选的，在第一距离小于第二距离的情况下，线宽基于第一距离、电流及损耗确定；在第一距离大于第二距离的情况下，线宽基于第二距离、电流及损耗确定。
[0008]可选的，第一气隙和第二气隙相对设置。
[0009]根据本申请实施例的另一个方面，还提供了一种布线方法，应用于上述任意一项平面磁性器件，布线方法包括：获取流过线圈绕组的电流，及平面磁性器件的损耗；基于电流和损耗，确定线圈绕组在中柱上不同位置的线宽；按照不同位置的线宽将线圈绕组缠绕在中柱上。
[0010]可选的，基于电流和损耗，确定线圈绕组在中柱上的缠绕方式包括：确定线圈绕组缠绕在中柱上的多个位置；确定每个位置与第一气隙的第一距离，每个位置与第二气隙的第二距离；基于第一距离或第二距离、电流和损耗求解目标函数，得到缠绕方式。
[0011]可选的，布线方法还包括：获取线圈绕组的电阻率、电流的平方和集肤效应系数的乘积，得到第一乘积，并获取第一乘积与线宽的比值，得到集肤效应损耗函数；获取线宽、电
阻率、线圈绕组的匝数、电流的平方和临近效应系数的乘积，得到第二乘积，并获取第二乘积与第一距离或第二距离的平方的比值，得到邻近效应损耗函数；获取集肤效应损耗函数和邻近效应损耗函数的加权和，得到目标函数。
[0012]根据本申请实施例的另一个方面，还提供了一种布线装置，应用于上述任意一项平面磁性器件，装置包括：获取模块，用于获取流过线圈绕组的电流，及平面磁性器件的损耗；确定模块，用于基于电流和损耗，确定线圈绕组在中柱上不同位置的线宽；缠绕模块，用于按照不同位置的线宽将线圈绕组缠绕在中柱上。
[0013]根据本申请实施例的另一个方面，还提供了一种可读存储介质，可读存储介质存储有多条指令，指令适于由处理器加载并执行上述任意一项的布线方法步骤。
[0014]根据本申请实施例的另一个方面，还提供了一种电子设备，包括：处理器和存储器；其中，存储器存储有计算机程序，计算机程序适于由处理器加载并执行上述任意一项布线方法步骤。
[0015]在本申请实施例中，提供了一种平面磁性器件，包括：边柱，边柱上设有第一气隙；中柱，与边柱平行，中柱上设有第二气隙；线圈绕组，缠绕在中柱上，且靠近第一气隙或第二气隙的线圈绕组的线宽小，且远离第一气隙和第二气隙的线圈绕组的线宽大。需要注意到的是，靠近气隙的绕组适当减小线宽，而远离气隙的绕组可以适当增大线宽，达到了可以有效的减小总交流损耗的技术效果，进而解决了现有的平面磁性器件损耗大的技术问题。
附图说明
[0016]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0017]图1是根据现有技术的一种磁通走势示意图；
[0018]图2是根据现有技术的一种的平面磁性器件的示意图；
[0019]图3是根据本申请实施例的一种平面磁性器件的示意图；
[0020]图4是根据本申请实施例提供的平面磁性器件和传统平面磁性器件的交流电阻对比曲线的示意图；
[0021]图5是根据本申请实施例的一种可选的布线方法的流程图；
[0022]图6是根据本申请实施例的一种可选的布线装置的结构示意图；
[0023]图7是根据本申请实施例的一种可选的电子设备的示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0025]下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法
的例子。
[0026]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0027]现有的平面磁性器件为了降低扩散磁通对线圈绕组的影响，如图2所示，对于平面磁性器件其中一种做法是中柱201和边柱202均开气隙，分别为中柱气隙2011，边柱气隙2021，线圈绕组203缠绕在中柱201上，其中这样可以使气隙的高度变为原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面磁性器件，其特征在于，包括：边柱，所述边柱上设有第一气隙；中柱，与所述边柱平行，所述中柱上设有第二气隙；线圈绕组，缠绕在所述中柱上，且靠近所述第一气隙或所述第二气隙的所述线圈绕组的线宽小，且远离所述第一气隙和所述第二气隙的所述线圈绕组的线宽大。2.根据权利要求1所述的平面磁性器件，其特征在于，所述线宽基于所述线圈绕组与所述第一气隙的第一距离，所述线圈绕组与所述第二气隙的第二距离，流过所述线圈绕组的电流，及所述平面磁性器件的损耗确定。3.根据权利要求2所述的平面磁性器件，其特征在于，在所述第一距离小于所述第二距离的情况下，所述线宽基于所述第一距离、所述电流及所述损耗确定；在所述第一距离大于所述第二距离的情况下，所述线宽基于所述第二距离、所述电流及所述损耗确定。4.根据权利要求1所述的平面磁性器件，其特征在于，所述第一气隙和所述第二气隙相对设置。5.一种布线方法，其特征在于，应用于所述权利要求1至4中任意一项所述的平面磁性器件，所述方法包括：获取流过所述线圈绕组的电流，及所述平面磁性器件的损耗；基于所述电流和所述损耗，确定所述线圈绕组在所述中柱上不同位置的线宽；按照所述不同位置的线宽将所述线圈绕组缠绕在所述中柱上。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于所述电流和所述损耗，确定所述线圈绕组在所述中柱上的缠绕方式包括：确定所述线圈绕组缠绕在所述中柱上的多个位置；确定每个位置与第一气隙的第一距...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖胜峰，任文，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：