【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体材料基板，压电材料基板或者玻璃基板等加 工对象物的切割中使用的激光加工方法以及激光加工装置。
技术介绍
激光的应用之一是切割，由激光进行的一般的切割如下。例如， 在半导体晶片或者玻璃基板这样的加工对象物的切割位置，照射加工对象物吸收的波长的激光，通过激光的吸收在切割的位置从切割对象 物的表面向背面进行加热熔融，切割加工对象物。但是，在该方法中， 在加工对象物的表面中成为切割位置的区域周围也被熔融。由此，在加工对象物是半导体晶片的情况下，在形成于半导体晶片的表面的半 导体元件中，有可能熔融位于上述区域附近的半导体元件。作为防止加工对象物的表面熔融的方法，例如有在特开 2000 - 219528号公报或者特开2000 - 15467号公报中公开的由激光进 行的切割方法。在这些公报的切割方法中，通过激光加热加工对象物 的切割位置，然后通过冷却加工对象物，使在加工对象物的切割位置 中产生热冲击，切割加工对象物。但是，在这些公报的切割方法中，知果在加工对象物中产生的热 冲击大，则在加工对象物的表面，有可能发生偏离了切割预定线的切 割或者切割到没有进行...
【技术保护点】
一种加工对象物切割方法，特征在于： 具备： 在晶片状加工对象物的内部对准焦点照射激光，在所述加工对象物的内部形成多光子吸收产生的改质区，沿着所述加工对象物的切割预定线，在从所述加工对象物的激光入射面到离开该入射面一定距离的位置之 间的区域中，由所述改质区构成切割起点区的工序； 通过对所述加工对象物施加力，以所述切割起点区为起点，切割所述加工对象物的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：福世文嗣，福满宪志，内山直己，和久田敏光，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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