一种绝缘陶瓷环及石墨舟制造技术

技术编号:37760078 阅读:58 留言:0更新日期:2023-06-05 23:52
本实用新型专利技术属于石墨舟镀膜技术领域,公开了一种绝缘陶瓷环及石墨舟,石墨舟包括多个石墨舟片,任意相邻的两个石墨舟片之间均设置有绝缘陶瓷环,绝缘陶瓷环包括第一管部及第二管部,第一管部抵接于两个石墨舟片之间,第二管部套设于第一管部的外周,第二管部的内径大于或等于第一管部的外径,第二管部沿其轴向的长度小于第一管部沿其轴向的长度,第二管部能够沿其轴向相对第一管部移动,在石墨舟使用预设次数后,使第二管部沿其轴向移动一段距离,以露出第一管部上部分未被镀膜的区域,从而恢复绝缘陶瓷环的绝缘性能,本实用新型专利技术能够增加石墨舟的使用寿命。墨舟的使用寿命。墨舟的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘陶瓷环及石墨舟


[0001]本技术涉及石墨舟镀膜
,尤其涉及一种绝缘陶瓷环及石墨舟。

技术介绍

[0002]Topcon电池是一种基于选择性载流子原理的太阳能电池,目前,Topcon电池中的隧穿氧化层的制备主要有LPCVD、PVD、PECVD和PEALD四种工艺,其中PECVD和PEALD两种原位掺杂的工艺均需要用到石墨舟。
[0003]石墨舟作为对太阳能硅片进行PECVD镀膜时的载体,在进行镀膜时,将插有待镀膜硅片的石墨舟装入PECVD真空镀膜设备中对硅片进行磷掺杂非晶硅镀膜。石墨舟包括绝缘陶瓷环以及可放置太阳能硅片的石墨舟页,绝缘陶瓷环抵接于两个石墨舟页之间,以保证两个石墨舟页之间的间距满足要求,同时还能够将两个与不同电极连接的石墨舟页绝缘隔离,使两片石墨舟页之间形成电场,进而在硅片上沉积非晶硅层。
[0004]但现有技术中的绝缘陶瓷环一般为单管结构,随着石墨舟使用次数增加,呈单管结构的绝缘陶瓷环的外周会覆设一层非晶硅掺杂层,随着非晶硅掺杂层的厚度增加,绝缘陶瓷环的绝缘性能会逐渐降低,从而影响后续石墨舟的镀膜效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘陶瓷环,包括第一管部(1),所述第一管部(1)抵接于两个石墨舟片之间,其特征在于,所述绝缘陶瓷环还包括第二管部(2),所述第二管部(2)套设于所述第一管部(1)的外周,所述第二管部(2)的内径大于或等于所述第一管部(1)的外径,所述第二管部(2)沿其轴向的长度小于所述第一管部(1)沿其轴向的长度,所述第二管部(2)能够沿其轴向相对所述第一管部(1)移动。2.根据权利要求1所述的绝缘陶瓷环,其特征在于,所述第二管部(2)的内径大于所述第一管部(1)的外径,所述第二管部(2)与所述第一管部(1)同轴设置,所述绝缘陶瓷环还包括支撑部(3),所述支撑部(3)抵接于所述第二管部(2)和所述第一管部(1)之间,所述支撑部(3)沿所述第一管部(1)轴向的长度小于所述第二管部(2)沿其轴向的长度。3.根据权利要求2所述的绝缘陶瓷环,其特征在于,所述支撑部(3)包括多个第一顶针(31)及多个第二顶针(32),多个所述第一顶针(31)和多个所述第二顶针(32)均沿所述第一管部(1)的轴向间隔设置于所述第一管部(1)的外周,多个所述第一顶针(31)和多个所述第二顶针(32)一一对应设置,且对应设置的所述第一顶针(31)和所述第二顶针(32)沿所述第一管部(1)的径向分布于所述第一管部(1)的两侧,所述第一顶针(31)和所述第二顶针(32)均抵接于所述第一管部(1)和所述第二管部(2)之间,多个所述第一顶针(31)中在所述第一管部(1)轴向上最外侧的两个相互背离的一侧的间距小于所述第二管部(2)沿其轴向的长度,多个所述第二顶针(32)中在所述第一管部(...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶晓亚曹芳王栩生
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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