用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法。所述 标记结构包括在衬底上的至少4条线。所述线沿第一方向彼此平行地延伸 且在每对线之间设置有节距，所述节距沿垂直于第一方向的第二方向上 被定向。在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线 之间的节距。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于在光刻设备中的晶片粗对准的标记结构。另 外，本专利技术也涉及这样的标记的制造方法。
技术介绍
光刻设备是将需要的图案施加到衬底上，通常是施加到该衬底的目标部分上，的机器。例如，光刻设备可用在集成电路(ICs)的制造中。在 这样的例子中，可替换地称为掩模或掩模版的图案形成装置可用来产生 电路图案，该电路图案将形成在该IC的单独层上。这个电路图案可转移 到衬底(如硅晶片)上的目标部分(包括部分管芯、 一个管芯或几个管芯) 上。该电路图案的转移典型地是通过在提供在该衬底上的辐射敏感材料 (抗蚀剂)层上的成像来进行。通常，单个衬底会包含被连续图案化的邻近 的目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进机和所谓的扫描 器，在该步进机中，通过一次曝光目标部分上的整个图案，使每个目标 部分被照射，在该扫描器中，通过辐射束在给定方向("扫描"方向)上扫 描图案，并同时沿与这个扫描方向的平行或反向平行同步扫描该衬底， 使每个目标部分被照射。通过将该图案压印到该衬底上，将该图案从该 图案形成装置转移到该衬底上也是可能的。对于光刻设备中晶片的粗光学对准，包括三个平行线的标记结构 (本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底上的标记结构，该标记结构包括数目为ｎ的多条线，所述ｎ至少等于４，所述线沿第一方向基本彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对线之间具有节距，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向上被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里克·沃纳阿，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL