本发明专利技术实施例公开一种发光器件、显示面板及显示装置。在一具体实施方式中，该发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机功能层；所述有机功能层包括发光层和有机材料层，所述有机材料层包括极性分子，所述有机材料层的极性分子的偶极矩大于其相邻膜层的分子的偶极矩。该实施方式通过设置分子极性强的有机材料层，可增强器件感生电容，减小关断状态像素由于薄膜晶体管漏电流所产生的第一电极电位抬升的幅度，从而改善像素漏光现象。改善像素漏光现象。改善像素漏光现象。
【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示领域。更具体地，涉及一种发光器件、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]目前，对于有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板，常出现关断状态像素产生漏光现象，影响显示效果。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种发光器件、显示面板及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0005]本专利技术第一方面提供了一种发光器件，包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机功能层；所述有机功能层包括发光层和有机材料层，所述有机材料层包括极性分子，所述有机材料层的极性分子的偶极矩大于其相邻膜层的分子的偶极矩。
[0006]可选地，所述有机材料层的极性分子的偶极矩大于1.3德拜。
[0007]可选地，所述有机材料层的迁移率小于等于其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的迁移率。
[0008]可选地，所述有机材料层的迁移率为其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的迁移率的5％
‑
50％。
[0009]可选地，所述有机材料层的厚度小于其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的厚度，和/或，所述有机材料层的厚度小于其远离所述发光层一侧的相邻膜层。
[0010]可选地，所述有机功能层还包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层、所述有机材料层、所述第二空穴传输层和所述发光层依次层叠设置在所述第一电极上。
[0011]可选地，所述有机功能层还包括位于所述发光层与所述第二电极之间的电子传输层。
[0012]可选地，所述有机功能层还包括空穴注入层和电子注入层，所述空穴注入层位于所述第一电极与所述第一空穴传输层之间，所述电子注入层位于所述电子传输层与所述第二电极之间。
[0013]可选地，所述有机功能层还包括电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述第二空穴传输层与所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述发光层与所述电子传输层之间。
[0014]本专利技术第二方面提供一种显示面板，包括红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件，所述红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件中的至少一种为本专利技术第一方面提供的发光器件。
[0015]可选地，所述红色发光器件和/或绿色发光器件为本专利技术第一方面提供的发光器件。
[0016]可选地，所述显示面板还包括低温多晶硅薄膜晶体管。
[0017]本专利技术第三方面一种显示装置，包括本专利技术第二方面提供的显示面板。
[0018]本专利技术的有益效果如下：
[0019]本专利技术所述技术方案，通过设置分子极性强的有机材料层，可增强器件感生电容，减小关断状态像素由于薄膜晶体管漏电流所产生的第一电极电位抬升的幅度，从而改善像素漏光现象。
附图说明
[0020]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0021]图1示出极性分子的示意图。
[0022]图2示出包括极性分子的有机材料层的正、负电荷分布示意图。
[0023]图3示出本专利技术实施例提供的发光器件的一示意图。
[0024]图4示出本专利技术实施例提供的发光器件的另一示意图。
[0025]图5示出本专利技术实施例提供的发光器件的另一示意图。
[0026]图6示出已有显示面板的一示意图。
[0027]图7示出图6所示的已有显示面板中的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的器件感生电容与第一电极(阳极)电位的曲线图。
[0028]图8示出本专利技术实施例提供的显示面板的一示意图。
[0029]图9示出图8所示的显示面板中的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的器件感生电容与第一电极(阳极)电位的曲线图。
[0030]图10示出本专利技术实施例提供的显示面板的另一示意图。
[0031]图11示出图10所示的显示面板中的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的器件感生电容与第一电极(阳极)电位的曲线图。
[0032]图12示出本专利技术实施例提供的显示面板的另一示意图。
[0033]图13示出图12所示的显示面板中的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的器件感生电容与第一电极(阳极)电位的曲线图。
具体实施方式
[0034]本专利技术中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
[0035]需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本专利技术的教导。
[0036]在本专利技术中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。
[0037]在本专利技术中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
[0038]目前，对于OLED显示面板，常出现关断状态像素产生漏光现象，影响显示效果，尤其是影响低灰阶显示画质。专利技术人发现，上述现象的原因在于：在已有设计采用所有像素共阴极的情况下，薄膜晶体管(TFT)的漏电流会抬升关断状态像素的阳极电位，阴极与阳极之间的压差促进少量的空穴、电子注入发光层内，产生漏光现象。
[0039]特别是对于使用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)作为像素电路开关的OLED显示面板而言，为了降低功耗、提升电路响应速度，OLED显示面板常使用LTPS TFT作为像素电路开关。但是，LTPS TFT的高迁移率会带来高漏电流，从而，采用LTPS TFT的OLED显示面板中，关断状态像素由于LTPS TFT的高漏电流所产生的阳极电位抬升的幅度较大，漏光现象严重。
[0040]其中，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)与氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的迁移率与漏电流对比例如表1所示，可见，低温多晶硅PMOS管(LTPS PMOS)和低温多晶硅NMOS管(LTPS NMOS)与氧化物薄本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机功能层；所述有机功能层包括发光层和有机材料层，所述有机材料层包括极性分子，所述有机材料层的极性分子的偶极矩大于其相邻膜层的分子的偶极矩。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机材料层的极性分子的偶极矩大于1.3德拜。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机材料层的迁移率小于等于其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的迁移率。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述有机材料层的迁移率为其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的迁移率的5％
‑
50％。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述有机材料层的厚度小于其靠近所述发光层一侧的相邻膜层的厚度，和/或，所述有机材料层的厚度小于其远离所述发光层一侧的相邻膜层。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层、所述有机材料层、所述第二空穴传输层和所述发光层依次层叠设置在所述第一电极上。7.根据权利要求6所述的发光器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：马立辉，李彦松，孙猛，杨婉箐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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