用于检测高电流的栅极电压的诊断制造技术

本公开的实施例涉及一种用于检测高电流的栅极电压的诊断。用于功率开关电路的过载检测和保护。对于具有更快切换速度的电路，快速故障检测和对检测到的过载状况的响应可能是被期望的。检测电路系统可以监测一个或多个功率开关的控制端子上的电压。基于经验测量，在功率开关电路(例如，半桥电路)的过载状况下，在控制端子处的电压可能增加，并且在一些示例中，增加到大于电源电压的大小。比较器可以检测到超过电压大小阈值的电压增加，向功率开关电路的控制电路系统输出指示，并且控制电路系统可以采取措施以保护电路系统的其余部分，诸如降低电压或关闭功率开关电路。如降低电压或关闭功率开关电路。如降低电压或关闭功率开关电路。

【技术实现步骤摘要】
用于检测高电流的栅极电压的诊断


[0001]本公开涉及功率开关，并且更具体地，涉及用于保护功率开关电路免受可能发生的不同问题的技术和电路。

技术介绍

[0002]功率开关被用于多种多样的应用中以控制递送到负载的功率。作为示例，功率开关可以包括场效应晶体管(FET)、双极结晶体管(BJT)、氮化镓(GaN)开关或碳化硅(SiC)开关或者可以包括可控硅整流器(SCR)。FET的示例可以包括但不限于结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体FET(MOSFET)、双栅MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、任何其他类型的FET或它们的任何组合。MOSFET的示例可以包括但不限于PMOS、NMOS、DMOS或任何其他类型的MOSFET或它们的任何组合。MOSFET可以由硅、氮化镓、碳化硅或其他材料形成。BJT的示例可以包括但不限于PNP、NPN、异质结或任何其他类型的BJT或它们的任何组合。
[0003]功率开关通常由驱动器电路经由调制控制信号来控制，诸如脉冲宽度调制(PWM)、脉冲频率调制(PFM)、脉冲持续时间调制、脉冲密度调制或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种被配置为控制功率开关的驱动器电路，所述驱动器电路包括：输出引脚，其中所述驱动器电路被配置为将驱动信号从所述输出引脚递送到所述功率开关的控制端子，以控制所述功率开关的开/关切换；电压检测电路，被配置为检测所述功率开关的所述控制端子上的电压过冲；以及保护电路系统，被配置为：从所述电压检测电路接收所述电压过冲满足电压阈值的指示；基于接收到的所述指示确定存在过载状况；以及响应于确定存在所述过载状况，调整经由所述输出引脚递送的所述驱动信号以改变所述功率开关的操作。2.根据权利要求1所述的电路，其中来自所述电压检测电路的所述电压过冲满足电压阈值的所述指示包括第一指示；以及其中所述保护电路系统还被配置为：从保护电路接收关于在所述功率开关处存在故障状况的第二指示，其中所述保护电路与所述电压检测电路分离；以及响应于接收到所述第二指示，确定存在所述过载状况。3.根据权利要求2所述的电路，其中所述保护电路包括去饱和DESAT检测电路或过电流保护OCP电路。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述功率开关包括绝缘栅极氧化物型功率开关，以及其中所述控制端子包括所述绝缘栅极氧化物型功率开关的栅极。5.根据权利要求1所述的电路，其中所述功率开关包括选自由以下各项组成的组的晶体管：绝缘栅双极型晶体管IGBT；硅金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；碳化硅SiC MOSFET；以及氮化镓GaN MOSFET。6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电压检测电路包括：二极管，被配置为提供静电放电ESD保护。7.根据权利要求6所述的电路，其中所述电压检测电路包括：比较器，被配置为基于所述二极管两端的电压来输出所述电压过冲满足电压阈值的所述指示。8.根据权利要求1所述的电路，其中为了调整所述驱动信号，所述保护逻辑电路系统被配置为输出关闭所述功率开关的驱动信号。9.一种系统，包括：负载；包括晶体管的功率开关，其中所述功率开关被配置为控制递送到所述负载的功率；以及驱动器电路，被配置为控制所述功率开关，所述驱动器电路包括：输出引脚，其中所述驱动器电路被配置为将驱动信号从所述输出引脚递送到所述功率
开关的控制端子，以控制所述功率开关的开/关切换；以及电压检测电路，被配置为检测所述功率开关的所述控制端子上的电压过冲；以及保护电路系统，被配置为：从所述电压检测电路接收所述电压过冲满足电压阈值的指示；基于接收到的所述指示确定存在过载状况；以及响应于确定存在...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：