【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】玻璃熔解装置、玻璃的制造方法以及熔融玻璃的坯料更换方法
[0001]本公开涉及玻璃熔解装置、玻璃的制造方法以及熔融玻璃的坯料更换方法。
技术介绍
[0002]在专利文献1中记载了连续玻璃熔融炉中的熔融玻璃的坯料更换(例如，组成的变更、或颜色的变更)方法。在该坯料更换方法中，在从熔融炉暂时排出大部分熔融玻璃之后，投入新的玻璃原料。
[0003]在专利文献2中记载了在底部具备多个电极的熔解炉。熔解炉的底部具有围绕电极的第一砖、和配置于第一砖的彼此之间的第二砖。第一砖为电铸砖，例如为氧化锆系耐火材料。另一方面，第二砖为致密锆英石(Dense zircon)烧制砖。
[0004]专利文献1：日本国专利第6670460号公报
[0005]专利文献2：国际公开第2019/004434号
[0006]玻璃熔解装置具备熔解槽、电极以及冷却器。熔解槽积存熔融玻璃。电极通过熔解槽的底壁的贯通孔并向底壁的上方突出，对熔融玻璃进行通电加热。冷却器为水冷套等，在底壁的贯通孔处包围电极，使熔融玻璃固化，而密封贯通孔。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种玻璃熔解装置，其中，所述玻璃熔解装置具备：熔解槽，积存熔融玻璃；电极，通过所述熔解槽的底壁的贯通孔，并向所述底壁的上方突出，对所述熔融玻璃进行通电加热；以及冷却器，在所述底壁的所述贯通孔处包围所述电极，所述熔解槽的所述底壁包括：第一砖，形成与所述熔融玻璃接触的表层；和第二砖，在所述表层的所述贯通孔处包围所述电极和所述冷却器，所述第一砖的耐腐蚀性比所述第二砖的耐腐蚀性优异，所述第二砖在1000℃～1200℃的温度区域不产生可逆的相变。2.根据权利要求1所述的玻璃熔解装置，其中，所述第一砖为电铸砖，所述第二砖为致密锆英石烧制砖。3.根据权利要求1或2所述的玻璃熔解装置，其中，所述第一砖为氧化锆质电铸砖。4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃熔解装置，其中，所述熔解槽的所述底壁还包括对所述第二砖的上表面的至少一部分进行覆盖的第三砖，所述第三砖为电铸砖。5.根据权利要求4所述的玻璃熔解装置，其中，在俯视观察时，所述第三砖配置于比所述第二砖远离所述电极的位置。6.根据权利要求4或5所述的玻璃熔解装置，其中，所述熔解槽的所述底壁包括在所述表层...
【专利技术属性】
技术研发人员：赤木亮介，松山俊明，藤崎和幸，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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