【技术实现步骤摘要】
用于连接材料的高温方法及利用该方法的装置
专利
[0001]本专利技术涉及用于将物体连接在一起的方法，且更具体地涉及用于连接陶瓷物体的钎焊(brazing)方法。
[0002]背景
[0003]半导体处理和类似的制造工艺一般采用薄膜沉积技术，诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、气相外延(VPE)、反应离子蚀刻及其它处理方法。在CVD处理以及其他制造技术中，使用诸如加热器或静电吸盘的半导体处理设备，将诸如硅晶片的衬底固定在处理室内，并暴露于该工艺的特定处理条件下。加热器或静电吸盘基本上是基座，该基座除了固定衬底之外，在一些情况下也可以用于加热衬底。
[0004]由于加热器暴露于高操作温度和腐蚀性工艺气体中，并且由于良好的温度控制需要良好的导热性，所以已经由非常有限的材料选择(诸如氮化铝(AlN)陶瓷或PBN、二氧化硅(石英)、石墨和各种金属(诸如铝合金、镍合金、不锈钢合金、Inconel等))制成现有技术的加热器。一般用于半导体处理或室清洁的反应性工艺气体通常与由金属合金制成的加热器反应。这些反应可产生腐...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于由具有第一界面区域并且属于第一密实陶瓷材料的第一陶瓷半导体处理设备件和具有第二界面区域并且属于第二密实陶瓷材料的第二陶瓷半导体处理设备件制造半导体处理设备的方法，包括：将钎焊元件放置在所述第一界面区域和所述第二界面区域之间以形成连接预组件，所述钎焊元件选自纯硅和不含另外的合金化元素的硅锗合金，将所述连接预组件放入处理室中，从所述处理室除去氧，且将所述连接预组件加热至连接温度，以便在所述第一陶瓷半导体处理设备件和所述第二陶瓷半导体处理设备件之间形成适用于半导体处理环境的气密密封接头。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陶瓷半导体处理设备件是板且所述第二陶瓷半导体处理设备件是轴。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陶瓷半导体处理设备件是第一板层且所述第二陶瓷半导体处理设备件是第二板层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述钎焊元件是硅粉末，且将粘合剂与所述连接预组件中的所述钎焊元件包括在一起。5.如权利要求1所述的方法，其中所述气密密封接头具有在整个接头中大于零的厚度。6.如权利要求1所述的方法，其中纯硅的所述钎焊元件包含大于98重量％的硅。7.如权利要求1所述的方法，其中纯硅的所述钎焊元件包含大于99重量％的硅。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一密实陶瓷材料选自氮化铝和氧化铝并且所述第二密实陶瓷材料选自氮化铝和氧化铝。9.如权利要求1所述的方法，其中将所述连接预组件加热至第一连接温度的所述步骤包括将所述连接预组件加热至1410℃和1625℃之间的温度。10.一种用于半导体处理室的装置，包含具有第一界面区域并且属于第一密实陶瓷材料的第一陶瓷半导体处理设备件、具有第二界面区域并且属于第二密实陶瓷材料的第二陶瓷半导体处理设备件、通过...
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