发光装置、电子设备及基于胺的化合物制造方法及图纸

本申请涉及由式1表示的基于胺的化合物。发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及所述基于胺的化合物。电子设备包括所述发光装置：[式1]式1的描述与说明书中描述的相同。明书中描述的相同。明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、电子设备及基于胺的化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月29日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0167728号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及包含基于胺的化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述基于胺的化合物。

技术介绍

[0004]有机发光装置是自发射装置，其与本领域的装置相比具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性，并且产生全色图像。
[0005]有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子可以在此类发射层区中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]应理解，该
技术介绍
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的基于胺的化合物：[式1][式1A][式2]其中在式1、式1A和式2中，X1是C(Z1)，X2是C(Z2)，X3是C(Z3)，X4是C(Z4)，其中在Z1至Z4中：Z1和Z2键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；Z2和Z3键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者Z3和Z4键合在一起以形成在式1A中表示的环A2，环A1和在式1A中表示的环A2彼此稠合，
式1A中的表示单键或双键，环A2是C3‑
C
30
碳环基团，Z1至Z4各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷硫基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，Z1至Z4中的至少一个是由式2表示的基团，T1和T2各自独立地是由式2表示的基团，a1和a2各自独立地是0至4的整数，a1和a2的和是1或大于1，R1至R4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷硫基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1至b3各自独立地是0至4的整数，b4是0至10的整数，L1可以是单键、未取代或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，n1是1至5的整数，Ar1和Ar2各自独立地是未取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，*表示与相邻原子的结合位点，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝
O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，以及Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包含所述基于胺的化合物。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区，以及所述空穴传输区包含所述基于胺的化合物。4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个，以及所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个包含所述基于胺的化合物。5.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括位于所述第一电极外部或位于所述第二电极外部的覆盖层，其中所述覆盖层包含所述基于胺的化合物。6.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：位于所述第一电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第一覆盖层；位于所述第二电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第二覆盖层；或者所述第一覆盖层和所述第二覆盖层。7.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置。8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。9.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。10.由式1表示的基于胺的化合物：[式1]
[式1A][式2]其中在式1、式1A和式2中，X1是C(Z1)，X2是C(Z2)，X3是C(Z3)，X4是C(Z4)，其中在Z1至Z4中：Z1和Z2键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；Z2和Z3键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者Z3和Z4键合在一起以形成在式1A中表示的环A2，环A1和在式1A中表示的环A2彼此稠合，式1A中的表示单键或双键，环A2是C3‑
C
30
碳环基团，Z1至Z4各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷硫基基团、未取代或被至
少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，Z1至Z4中的至少一个是由式2表示的基团，T1和T2各自独立地是由式2表示的基团，a1和a2各自独立地是0至4的整数，a1和a2的和是1或大于1，R1至R4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷硫基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1至b3各自独立地是0至4的整数，b4是0至10的整数，L1可以是单键、未取代或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，n1是1至5的整数，Ar1和Ar2各自独立地是未取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，*表示与相邻原子的结合位点，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
6...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东俊，金采映，朴韩圭，俞炳旭，赵恕院，赵素嬉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：