导电性高分子组合物、覆盖品及图案形成方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种导电性高分子组合物，其能够适宜地用于过滤性及在电子束抗蚀剂上的平坦膜成膜性良好，并且在电子束描绘工序中也显示优良的抗静电性能，且将因该膜扩散的酸的影响降至最低限度，剥离性也优异的电子束抗蚀剂描绘用抗静电膜。所述导电性高分子组合物包含：(A)具有下述通式(1)所表示的重复单元的聚苯胺类导电性高分子、及(B)下述通式(2)所表示的结构的聚合物。式(1)中，R1～R4表示氢原子、酸性基团、羟基、烷氧基、羧基、硝基、卤素原子、烃基。式(2)中，R5、R6各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的直链状或支链状、环状的烷基、包含杂原子的烃基，X

【技术实现步骤摘要】
导电性高分子组合物、覆盖品及图案形成方法


[0001]本专利技术涉及包含聚苯胺类导电性高分子的导电性高分子组合物、使用了该导电性高分子组合物的覆盖品及图案形成方法。

技术介绍

[0002]在IC及LSI等半导体元件的制造工艺中，以往进行基于使用了光致抗蚀剂的平版印刷(lithography)法的精细加工。这是一种通过利用光照射引发薄膜的交联或分解反应，从而使该薄膜的溶解性发生显著变化，并将利用溶剂等进行显影处理而得到的抗蚀图案作为掩模，对基板进行蚀刻的方法。近年来，伴随着半导体元件的高集成化，要求使用短波长的光束的高精度的精细加工。由于基于电子束的平版印刷具备短波长特性，因此将其作为新一代技术而进行开发。
[0003]作为基于电子束的平版印刷特有的技术问题，可列举出曝光时的带电现象(电荷聚集(charge
‑
up))。这是一种当进行电子束曝光的基板被绝缘性的抗蚀膜覆盖时，电荷在抗蚀膜上或膜中累积而发生带电的现象。由于该带电会导致所入射的电子束的轨道发生弯曲，因此描绘精度会显著降低。因此，正在研究一种涂布在电子束抗蚀剂上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电性高分子组合物，其特征在于，其包含：(A)具有至少一种以上的下述通式(1)所表示的重复单元的聚苯胺类导电性高分子；及(B)含有下述通式(2)所表示的加成盐的结构中的至少一种的聚合物，式(1)中，R1～R4各自独立地表示：氢原子；酸性基团；羟基；烷氧基；羧基；硝基；卤素原子；碳原子数为1～24的直链状或支链状的烷基；包含杂原子的碳原子数为1～24的直链状、支链状、环状的烃基；或被卤素原子部分取代的碳原子数为1～24的直链状、支链状、环状的烃基，式(2)中，R5、R6各自独立地表示：氢原子；碳原子数为1～10的直链状或支链状、环状的烷基；包含杂原子的碳原子数为1～24的直链状、支链状、环状的烃基，X
a
‑
为阴离子且a表示价数。2.根据权利要求1所述的导电性高分子组合物，其特征在于，所述通式(1)中的酸性基团为磺基。3.根据权利要求1所述的导电性高分子组合物，其特征在于，在所述通式(2)所表示的结构中，X
a
‑
所表示的阴离子为羧酸根离子。4.根据权利要求2所述的导电性高分子组合物，其特征在于，在所述通式(2)所表示的结构中，X
a
‑
所表示的阴离子为羧酸根离子。5.根据权利要求1所述的导电性高分子组合物，其特征在于，相对于100质量份的所述(A)成分，所述(B)成分的含量为1质量份至200质量份。6.根据权利要求2所述的导电性高分子组合物，其特征在于，相对于100质量份的所述(A)成分，所述(B)成分的含量为1质量份至200质量份。7.根据权利要求3所述的导电性高分子组合物，其特征在于，相对于100质量份...

【专利技术属性】
技术研发人员：长泽贤幸，畠山润，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：