【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年11月26日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0165345的优先权，在此出于所有目的通过引用的方式将该韩国专利申请并入，就像在本文中完整阐述该韩国专利申请一样。
[0003]本公开的实施例涉及一种显示装置。
技术介绍
[0004]在显示面板的制造过程中，由于各种原因可能出现一系列缺陷，例如，当异物存在于子像素的各种位置时，使得子像素形成亮点或暗点。例如，通过各种操作形成每个子像素中的驱动晶体管。这里，驱动晶体管中可能存在微小的工艺引起的问题。当驱动晶体管以这种方式具有异物时，异物可能导致节点之间的短路，并且具有非常大的幅度的异常电流可能流过驱动晶体管。由于这种现象，子像素可能形成异常亮的亮点，从而成为有缺陷的子像素。
技术实现思路
[0005]在显示
中，已经开发了用于在确定子像素有缺陷时对子像素执行修复处理的技术。然而，现有技术的修复方法存在开口率减小或其中可以设置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：包括在第一子像素中的第一驱动晶体管；包括在与所述第一子像素相邻设置的第二子像素中的第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管与所述第一驱动晶体管相邻设置；位于所述第一驱动晶体管下方的第一屏蔽金属；位于所述第二驱动晶体管下方的第二屏蔽金属；设置在所述第一屏蔽金属和所述第二屏蔽金属上或之上的缓冲层；设置在所述缓冲层之上的层间绝缘膜；第一源电极，其包括在所述第一驱动晶体管中，位于所述层间绝缘膜上或之上，并且通过所述层间绝缘膜和所述缓冲层中的第一孔电连接到所述第一屏蔽金属；第二源电极，其包括在所述第二驱动晶体管中，位于所述层间绝缘膜上或之上，并且通过所述层间绝缘膜和所述缓冲层中的第二孔电连接到所述第二屏蔽金属；以及位于所述缓冲层和所述层间绝缘膜之间的焊接修复线，其中，所述焊接修复线包括与所述第一屏蔽金属的至少一部分重叠的第一部分、通过所述层间绝缘膜中的孔而电连接到所述第二源电极的第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括第一扫描晶体管，并且所述第二子像素包括第二扫描晶体管，所述第一扫描晶体管和所述第二扫描晶体管连接到单条数据线，并且所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管位于所述第一扫描晶体管和所述第二扫描晶体管之间。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述焊接修复线的所述第一部分与所述第一源电极间隔开。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一发射装置从所述第一驱动晶体管接收驱动电流，并且所述焊接修复线的所述第一部分与所述第一屏蔽金属电断开。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素的第一发射装置从所述第二驱动晶体管接收驱动电流，并且所述焊接修复线的所述第一部分电连接到所述第一屏蔽金属。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一子像素中的所述第一扫描晶体管的漏极节点或源极节点与电连接到所述第二子像素中的所述第二扫描晶体管的漏极节点或源极节点的数据线电断开。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一源电极包括与所述焊接修复线的所述第一部分的至少一部分重叠的屏蔽部分，并且包括在所述第一子像素的第一发射装置中的第一像素电极设置在所述第一源电极的所述屏蔽部分之上，所述第一源电极的所述屏蔽部分位于所述第一像素电极和所述焊接修复线的所述第一部分之间，并且所述第一源电极的所述屏蔽部分与所述第一像素电极的至少一部分重叠。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述焊接修复线包括与所述第一屏蔽金属和所述第二屏蔽金属相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一子像素中的第一发射装置的第一像素电极和所述第二子像素中的第二发射装置的第二像素电极中的每一个具有第一比电阻，并且所述焊接修复线、所述第一屏蔽金属和所述第二屏蔽金属中的每一个具有低于所述第一比电阻的第二比电阻。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括第一存储电容器，通过所述第一屏蔽金属与所述第一驱动晶体管的第一栅电极之间的全部或部分重叠来构造所述第一存储电容器，所述第一栅电极包括在第...
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