一种DOB抗浪涌LED驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种DOB抗浪涌LED驱动电路，包括整流桥、控制IC和保护电容C1；所述整流桥的交流输入端连接市电，直流输出端连接至LED负载的正负极；所述保护电容C1与控制IC内部的开关管Q1并联，并且电容C1的容值大于开关管Q1漏极与铝基板之间的耦合电容C3。管Q1漏极与铝基板之间的耦合电容C3。管Q1漏极与铝基板之间的耦合电容C3。

【技术实现步骤摘要】
一种DOB抗浪涌LED驱动电路


[0001]本技术涉及LED驱动电路。

技术介绍

[0002]目前DOB(驱动贴在铝基板上)的应用越来越多，当使用在一类产品上的时候就会需要对地线与LN之间打1000V(或者更高的电压)的浪涌电压，这个电压容易造成IC的失效。失效的机理是铝基板与铜箔走线有耦合电容，高电压会通过耦合电容进入到IC内部，造成IC失效。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的主要技术问题是提供一种抗浪涌LED驱动电路，能够实现DOB应用上的抗浪涌作用。
[0004]为了解决上述的技术问题，本技术提供了一种DOB抗浪涌LED驱动电路，其特征在于：包括整流桥、控制IC和保护电容C1；
[0005]所述整流桥的交流输入端连接市电，直流输出端连接至LED负载的正负极；所述保护电容C1与控制IC内部的开关管Q1并联，并且电容C1的容值大于开关管Q1漏极与铝基板之间的耦合电容C3。
[0006]在一较佳实施例中：所述开关管为MOS管，保护电容C1连接在开关管的源极和漏极之间；所述源极和漏极连接整流桥的直流输出负极。
[0007]在一较佳实施例中：所述LED负载的正极和负极之间还并联有串联连接的电解电容EC1、电阻R6和R7。
[0008]在一较佳实施例中：所述电解电容EC1的两端还并联有串联连接的电阻R0和R1。
[0009]相较于现有技术，本技术的技术方案具备以下有益效果：
[0010]本技术提供了一种抗浪涌LED驱动电路，通过增加电容C1可以实现对IC的保护，不至于造成IC的失效。通过将电容C1并联在IC内部MOS管Q1的DS引脚上。当GND对L施加浪涌电压时有两个电流回路，一个回路电流就通过GND经过电容C2到达B点再到L；另一个回路电流就通过GND经过电容C3到达A点，再通过MOS管Q1回到B点。由于B点与L压差很低，大部分电压都加在C2上。由于Q1的阻抗存在，所以在Q1上会有电压存在，且由于Q1处于开通状态，这样电流加电压的叠加损耗很大，就会造成Q1失效。但增加电容C1就降低了Q1的阻抗，由于C3是耦合电容，容值较低，C1的容值较大，这样在C1上分到的电压就很低，Q1上的电压也就很低，电压与电流的叠加损耗就很低，Q1就不会失效。从而实现Q1不被浪涌电压损坏。
附图说明
[0011]图1为本技术优选实施例的电路图；
[0012]图2为本技术优选实施例的等效电路图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0015]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是壁挂连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0016]参考图1和图2，本实施例提供了一种DOB抗浪涌LED驱动电路，包括整流桥、控制IC和保护电容C1；
[0017]所述整流桥的交流输入端连接市电，直流输出端连接至LED负载的正负极；所述保护电容C1与控制IC内部的开关管Q1并联，并且电容C1的容值大于开关管Q1漏极与铝基板之间的的耦合电容C3。
[0018]本实施例中，所述开关管为MOS管，保护电容C1连接在开关管的源极和漏极之间；所述源极和漏极连接整流桥的直流输出负极。
[0019]上述的抗浪涌LED驱动电路，通过增加电容C1可以实现对IC的保护，不至于造成IC的失效。通过将电容C1并联在IC内部MOS管Q1的DS引脚上。当GND对L施加浪涌电压时有两个电流回路，一个回路电流就通过GND经过电容C2到达B点再到L；另一个回路电流就通过GND经过电容C3到达A点，再通过MOS管Q1回到B点。由于B点与L压差很低，大部分电压都加在C2上。由于Q1的阻抗存在，所以在Q1上会有电压存在，且由于Q1处于开通状态，这样电流加电压的叠加损耗很大，就会造成Q1失效。但增加电容C1就降低了Q1的阻抗，由于C3是耦合电容，容值较低，C1的容值较大，这样在C1上分到的电压就很低，Q1上的电压也就很低，电压与电流的叠加损耗就很低，Q1就不会失效。从而实现Q1不被浪涌电压损坏。
[0020]此外，所述LED负载的正极和负极之间还并联有串联连接的电解电容EC1、电阻R6和R7。所述电解电容EC1的两端还并联有串联连接的电阻R0和R1。
[0021]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的设计构思并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，利用此构思对本技术进行非实质性的改动，均属于侵犯本技术保护范围的行为。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DOB抗浪涌LED驱动电路，其特征在于：包括整流桥、控制IC和保护电容C1；所述整流桥的交流输入端连接市电，直流输出端连接至LED负载的正负极；所述保护电容C1与控制IC内部的开关管Q1并联，并且电容C1的容值大于开关管Q1漏极与铝基板之间的耦合电容C3。2.根据权利要求1所述的一种DOB抗浪涌LED驱动电路，其特征在于：所述开关管为MOS管，保护电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤，刘小彬，张建华，
申请(专利权)人：厦门阳光恩耐照明有限公司，
类型：新型
国别省市：