【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在电子部件的电介质层等中使用的电介质陶瓷组合物，进而详细来说，涉及具有高介电常数，同时温度特性较好、介电损耗低、且绝缘电阻和交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物以及使用该电介质陶瓷组合物的电子部件。
技术介绍
近年来，伴随着急速进行的电子仪器的高性能化，电子电路的小型化、复杂化也在迅猛发展。因而电子部件也被要求进一步的小型化、高性能化。即，为了维持良好的温度特性，同时即使对于小型化也可维持静电容量，人们要求介电常数高的电介质陶瓷组合物和电子部件，进而为了在高电压下使用，还要求交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物和电子部件。 作为介电常数高、进而交流击穿电压也高的电介质陶瓷组合物，例如在特开2006-096576号公报中得到公开。但是，在该现有例中，烧成温度高达1400°C，另外在电极形成时使用溅射法等的薄膜形成法，因此制备成本变高。 另一方面，在特开2003-104774号公报中同样介绍了介电常数或交流击穿电压良好、且不使用薄膜形成法的例子，但在上述现有例中，作为添加物，将Mn换算成MnO时含有2重量％，因此在形成价格便宜的Cu电极时通过暴露在还原氛围中，...
【技术保护点】
电介质陶瓷组合物，其具有用通式（Ｂａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｃａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｔｉ↓［１－ｚ］Ｚｒ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］表示的主成分， 包含选自Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ和Ｙ的至少１种元素的化合物的第１副成分，和 包含选自Ｓｉ和Ａｇ的至少１种元素的化合物的第２副成分， 其特征在于，在上述通式中， ０．０２≤ｘ≤０．３、 ０≤ｙ≤０．０５、 ０．０６≤ｚ≤０．２，且 ０．９９５≤ｍ≤１．０１５， 相对于上述主成分１００摩尔％，上述第１副成分以各金属元素换算含有４摩尔...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梅田裕二，佐佐木则夫，阿部贤，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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