一种磁控管高频结构及真空器件制造技术

本发明专利技术提供一种磁控管高频结构及真空器件，磁控管高频结构包括：具有阳极谐振腔的阳极管；所述阳极管的外周侧壁包括有至少两个输出结构；所述输出结构包括有贯穿阳极管管壁且与阳极谐振腔连通的输出耦合口；以及与所述输出耦合口连通的微波通道。本申请提供的磁控管高频结构，结构紧凑、体积小、成本低、重量轻、所需电压低、磁场低、工作电源简单、相位稳定性好，还提高了磁控管的输出功率，降低了输出耦合口高频击穿的风险，适合应用于需要使用高功率微波的领域，能够满足大多数应用场合所需的微波大功率的需求，尤其适合在毫米波、短毫米波、甚至太赫兹频段应用。甚至太赫兹频段应用。甚至太赫兹频段应用。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控管高频结构及真空器件


[0001]本专利技术涉及真空电子
更具体地，涉及一种磁控管及真空器件。

技术介绍

[0002]高功率微波武器是现代武器装备的研制热点，它要求具有高功率微波的输出能力，可以有效实现对目标的强干扰或毁伤的效能。
[0003]高功率微波武器的关键器件是高功率微波源，即要求微波源输出高功率，实现高功率的两种途径是单个器件提高功率和多个器件的功率合成，但合适的高功率微波源种类少，尤其是毫米波及以上频段高功率微波源种类单一，限制了高功率微波的应用。
[0004]在传统的真空微波管中，磁控管是脉冲功率最大的一种，Ka波段磁控管输出功率可达100kW，W波段磁控管输出功率可达10kW，但传统磁控管只有一个输出端口，相位不相干，很难满足大多数应用场合所需的大功率的要求。
[0005]因此，为了克服现有技术存在的缺陷，需要提供一种磁控管高频结构及真空器件。

技术实现思路

[0006]针对上述问题，本专利技术提供一种磁控管及真空器件，以解决上述技术问题中的至少一个。<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控管高频结构，其特征在于，包括：具有阳极谐振腔的阳极管；所述阳极管的外周侧壁包括有至少两个输出结构；所述输出结构包括有贯穿阳极管管壁且与阳极谐振腔连通的输出耦合口；以及与所述输出耦合口连通的微波通道。2.根据权利要求1所述的磁控管高频结构，其特征在于，所述输出耦合口的径向截面为矩形；所述输出耦合口的径向截面的长边L设计为：L＝0.5λ所述输出耦合口的径向截面的短边S设计为：S＝(0.09
‑
0.01N)λ其中，N表示输出结构的数量，λ表示输出微波的波长。3.根据权利要求1所述的磁控管高频结构，其特征在于，当输出结构的数量为两个时，两个所述输出结构之间的夹角为90
°
。4.根据权利要求1所述的磁控管高频结构，其特征在于，相邻两个所述输出结构之间的夹角α设计为：α＝360
°
/N其中，N表示输出结构的数量。5.根据权利要求1所述的磁控管高频结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎深根，武朝辉，姚昉，宋振红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十二研究所，
类型：发明
国别省市：