电子部件制造技术

本发明专利技术涉及一种电子部件，其包含玻璃陶瓷层及导体层，该玻璃陶瓷层包含长石晶相、非晶玻璃相、Al2O3相，导体层附近的长石晶相的面积比率大于除导体层附近以外的部分的长石晶相的面积比率。的面积比率。的面积比率。

【技术实现步骤摘要】
电子部件


[0001]本专利技术涉及电子部件。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了一种玻璃陶瓷基板的制造方法的专利技术。玻璃陶瓷含有部分或全部为扁平颗粒的填料。
[0003]专利文献2中记载了一种叠层电感器(laminated inductor)的专利技术。线圈导体内置于叠层结构中，适用于高频区域。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平09
‑
71472号公报
[0007]专利文献2：日本特开2017
‑
73536号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]理想的电感器是随着频率的升高而阻抗增加。然而，在实际的电感器中，在高频区域内阻抗与杂散电容的大小成反比，阻抗反而降低。而且，电感器的杂散电容与电感器材料的介电常数成正比。因此，特别是用于高频区域的RF电感器的陶瓷需要低介电常数。此外，RF电感器的强度高也很重要。特别是车载用RF电感器需要强度高。
[0010]本专利技术的目的在于提供一种相对介电常数ε低且强度高的电子部件。
[0011]解决课题的技术手段
[0012]本专利技术的电子部件包含玻璃陶瓷层及导体层，上述玻璃陶瓷层包含长石晶相、非晶玻璃相、Al2O3相，上述导体层附近的上述长石晶相的面积比率大于除上述导体层附近以外的部分的上述长石晶相的面积比率。
[0013]上述导体层可以主要包含Ag。
[0014]构成上述Al2O3相的各Al2O3填料的平均长径比可以是15以上且75以下。
[0015]上述长石晶相可以主要包含Sr。
[0016]上述长石晶相可以包含Ag。
附图说明
[0017]图1是叠层线圈部件的立体图。
[0018]图2是图1的叠层线圈部件的分解立体图。
[0019]图3是例示除导体层附近以外部分的图像。
[0020]图4是例示导体层附近的图像。
[0021]图5是玻璃陶瓷截面的STEM图像。
[0022]图6是玻璃陶瓷截面的相分离分析图像。
[0023]符号说明
[0024]1…
叠层线圈部件
[0025]2…
玻璃陶瓷素体
[0026]2a、2b
…
端面
[0027]2c～2f
…
侧面
[0028]3…
装配用导体
[0029]5…
线圈导体
[0030]6、7：连接导体
[0031]10
…
线圈
[0032]21、22
…
凹部
[0033]31、32
…
导体部分
[0034]12a～12h
…
玻璃陶瓷素体层
[0035]13
…
装配用导体层
[0036]15c～15f
…
线圈导体层
[0037]16、17
…
连接导体层
[0038]La～Lh
…
层
[0039]Rb～Rg
…
缺损部
[0040]51
…
除导体层附近以外的部分
[0041]53
…
导体层附近
[0042]111
…
SiO2相
[0043]112
…
非晶玻璃相
[0044]113
…
长石晶相
[0045]114
…
Al2O3相
具体实施方式
[0046]下面，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。
[0047](叠层线圈部件的结构)
[0048]图1是作为电子部件的一种的叠层线圈部件1的立体图。图2是图1的叠层线圈部件1的分解立体图。如图1和图2所示，叠层线圈部件1具备玻璃陶瓷素体2、由一对装配用导体3及线圈导体5构成的线圈10、和连接导体6、7。
[0049]玻璃陶瓷素体2的形状为长方体形状。长方体形状包括角部和棱线部呈倒角的长方体的形状，以及角部和棱线部呈圆角的长方体的形状。在玻璃陶瓷素体2中，作为外表面，有端面2a、2b和侧面2c、2d、2e、2f。下文将端面2a、2b的相对方向设为X方向，将侧面2c、2d的相对方向设为Y方向，将侧面2e、2f的相对方向设为Z方向。X方向、Y方向和Z方向彼此正交。
[0050]端面2a、2b以连结侧面2c、2d的方式沿Y方向延伸。此外，端面2a、2b还以连结侧面2e、2f的方式沿Z方向延伸。侧面2c、2d以连结端面2a、2b的方式沿X方向延伸。此外，侧面2c、2d还以连结侧面2e、2f的方式沿Z方向延伸。侧面2e、2f以连结侧面2c、2d的方式沿Y方向延伸。此外，侧面2e、2f还以连结端面2a、2b的方式沿X方向延伸。
[0051]侧面2c是装配面。例如，当将叠层线圈部件1装配在未图示的其它电子部件(例如
电路基材、叠层线圈部件等)上时，是与未图示的其它电子部件相对的装配面。侧面2c与端面2a、2b及侧面2e、2f邻接。
[0052]玻璃陶瓷素体2的各方向上的长度没有特别限定。
[0053]玻璃陶瓷素体2的外表面设有一对凹部21及一对凹部22。具体而言，一个凹部21设置在侧面2c的端面2a侧，向侧面2d凹陷。另一个凹部21设置在侧面2c的端面2b侧，向侧面2d凹陷。一个凹部22设置在端面2a的侧面2c侧，向端面2b凹陷。另一个凹部22设置在端面2b的侧面2c侧，向端面2a凹陷。
[0054]一个凹部21和一个凹部22设为连续，对应于一个装配用导体3。另一个凹部21和另一个凹部22设为连续，对应于另一个装配用导体3。凹部21和凹部22呈例如相同的形状。一对凹部21设置为在X方向上彼此分离。
[0055]玻璃陶瓷素体2通过图2所示的多个玻璃陶瓷素体层12a～12h在Z方向上叠层而成。即，多个玻璃陶瓷素体层12a～12h的叠层方向为Z方向。具体的叠层结构将在后文说明。在实际的玻璃陶瓷素体2中，多个玻璃陶瓷素体层12a～12h一体化，难以目视识别各层间的边界。玻璃陶瓷素体层12a～12h由后述的玻璃陶瓷制成。
[0056]一对装配用导体3配置于玻璃陶瓷素体2。具体而言，一个装配用导体3设置在一个凹部21及一个凹部22内，另一个装配用导体3设置在另一个凹部21及另一个凹部22内。一对装配用导体3在X方向上彼此分离。装配用导体3由多个装配用导体层13在Z方向上叠层而成。即，装配用导体层13的叠层方向为Z方向。在实际的装配用导体3中，多个装配用导体层13一体化，难以目视识别各层间的边界。
[0057]装配用导体3从Z方向看呈L形。装配用导体3具有彼此一体化设置的导体部分31和导体部分32。从Z方向看，导体部分31沿X方向延伸，导体部分32沿Y方向延伸。导体部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子部件，其中，所述电子部件包含玻璃陶瓷层及导体层，所述玻璃陶瓷层包含长石晶相、非晶玻璃相和Al2O3相，所述导体层附近的所述长石晶相的面积比率大于除所述导体层附近以外的部分的所述长石晶相的面积比率。2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述导体层主要包含A...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田秀信，高桥圣树，佐佐木香，榎本奈美，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：