有机金属化合物、方法及使用方法技术

本发明专利技术涉及式(L1)yM(L2)z代表的有机金属化合物，其中M是金属 或准金属，L1是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴离子4电 子给体配体或(ii)具有中性2电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离 子4电子给体配体，L2是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴 离子2电子给体配体或(ii)取代或未取代的中性2电子给体配体；y是2 的整数；并且z是0-2的整数；并且其中M的氧化数与L1和L2的电荷 数的加和等于0；制备有机金属化合物的方法，以及由有机金属化合物 产生膜或涂层的方法。所述有机金属化合物可作为膜沉积的化学蒸气 或原子层沉积前体而用于半导体应用中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机金属化合物，制备有机金属化合物的方法，以及由有机金属前体化合物制备膜或涂层的方法。
技术介绍
目前，对于多种应用，半导体工业正考虑使用多种不同金属的薄膜。已经评估了作为形成这些薄膜的可能前体的很多有机金属络合物。工业中需要开发出新的化合物以及探索这些化合物作为用于膜沉积的前体的可能性。由于在薄膜中对于更高的一致性和共形性的需求不断增加而从物理蒸气沉积(PVD)到化学蒸气沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)过程的工业运动，已经导致对于用于未来半导体材料的适当前体的需求。 已经评估了作为形成这些薄膜的可能前体的很多有机金属络合物。这些有机金属络合物包括例如羰基络合物如Ru3(CO)12，二烯络合物例如Ru(η3-C6H8)(CO)3、Ru(η3-C6H8)(η6-C6H6)，β-二酮酸盐络合物例如Ru(DPM)3、Ru(OD)3，和二茂钌络合物例如RuCp2、Ru(EtCp)2。 羰基和二烯络合物往往会表现出低的热稳定性，这使得他们的加工变得复杂。而β-二酮酸盐在中等温度是热稳定的，其低的蒸气压及其在室温的固态一起使得在膜沉积期间难以达到高的生长速度。 二茂钌络本文档来自技高网...

【技术保护点】
式（Ｌ↓［１］）↓［ｙ］Ｍ（Ｌ↓［２］）↓［ｚ］代表的化合物，其中Ｍ是金属或准金属，Ｌ↓［１］是相同或不同的，并且是（ｉ）取代或未取代的阴离子４电子给体配体或（ｉｉ）具有中性２电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离子４电子给体配体，Ｌ↓［２］是相同或不同的，并且是（ｉ）取代或未取代的阴离子２电子给体配体或（ｉｉ）取代或未取代的中性２电子给体配体；ｙ是２的整数；并且ｚ是０－２的整数；并且其中Ｍ的氧化数与Ｌ↓［１］和Ｌ↓［２］的电荷数的加和等于０。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·汤普森，J·吉尔里，A·R·拉瓦，J·E·多明格斯，
申请(专利权)人：普莱克斯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US