玻璃陶瓷及电子部件制造技术

本发明专利技术涉及一种玻璃陶瓷，其包含长石晶相、非晶玻璃相、Al2O3相和SiO2相，Al2O3相通过长石晶相结合。长石晶相结合。长石晶相结合。

【技术实现步骤摘要】
玻璃陶瓷及电子部件


[0001]本专利技术涉及一种玻璃陶瓷及电子部件。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了一种玻璃陶瓷基板的制造方法的专利技术。玻璃陶瓷含有部分或全部为扁平颗粒的填料。
[0003]专利文献2中记载了一种叠层电感器(laminated inductor)的专利技术。线圈导体内置于叠层结构中，适用于高频区域。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平09
‑
71472号公报
[0007]专利文献2：日本特开2017
‑
73536号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]理想的电感器是随着频率的升高而阻抗增加。然而，在实际的电感器中，在高频区域内阻抗与杂散电容的大小成反比，阻抗反而降低。而且，电感器的杂散电容与电感器材料的介电常数成正比。因此，特别是用于高频区域的RF电感器的陶瓷需要低介电常数。此外，RF电感器的强度高也很重要。特别是车载用RF电感器与其它用途的RF电感器相比，需要更高的强度。
[0010]本专利技术的目的在于提供一种相对介电常数ε低且强度高的玻璃陶瓷等。
[0011]解决课题的技术手段
[0012]本专利技术的玻璃陶瓷是包含长石晶相、非晶玻璃相、Al2O3相和SiO2相的玻璃陶瓷，上述Al2O3相通过上述长石晶相结合。
[0013]上述长石晶相可以主要包含Sr。
[0014]构成上述Al2O3相的各Al2O3填料的平均长径比可以是15以上且75以下。
[0015]构成上述SiO2相的各SiO2填料的平均粒径可以是0.10μm以上且3.0μm以下。
[0016]上述长石晶相的面积比率除以上述非晶玻璃相的面积比率的值可以为0.10以上且低于1.00。
[0017]上述Al2O3相的面积比率可以是7.0％以上且20.0％以下。
[0018]上述SiO2相的面积比率可以是10.0％以上且30.0％以下。
[0019]本专利技术的电子部件包含上述玻璃陶瓷。
附图说明
[0020]图1是玻璃陶瓷截面的STEM图像。
[0021]图2是玻璃陶瓷截面的相分离分析图像。
[0022]符号说明
[0023]1…
玻璃陶瓷
[0024]11
…
SiO2相
[0025]12
…
非晶玻璃相
[0026]13
…
长石晶相
[0027]14
…
Al2O3相
具体实施方式
[0028]下面，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。本专利技术并不仅限于以下说明的实施方式。此外，以下记载的构成要素包括本领域技术人员容易想到的构成要素及实质上相同的构成要素。此外，以下记载的构成要素可以适当组合。
[0029]本实施方式的玻璃陶瓷1是包含长石晶相13、非晶玻璃相12、Al2O3相14、SiO2相11的玻璃陶瓷。而且，Al2O3相14通过长石晶相13结合。
[0030]长石晶相13是主要包含长石晶体的相。长石晶体是含有第2主族金属元素(Be除外)、氧化铝及二氧化硅的晶体，以通式M(Si,Al)4O8表示。M是第2主族金属元素(Be除外)。M可以主要是Sr。“M主要是Sr”意味着在长石晶体中作为M而含有的元素中，Sr的含量比率以质量基准计为最高。需要说明的是，当简记为“长石晶相13主要包含Sr”等时，意味着在长石晶相13所含长石晶体中作为M而含有的元素中，Sr的含量比率以质量基准计为最高。
[0031]长石晶相13除长石晶体以外，还可包含金属氧化物。作为金属氧化物，可举出例如Na2O、K2O、ZrO2、Ag2O等。长石晶相13中的长石晶体的比率没有特别的限制，例如可以是80质量％以上。
[0032]非晶玻璃相12是指由不含晶体的玻璃构成的相。非晶玻璃相12中所含玻璃的组成没有特别的限制。例如，非晶玻璃相12可以包含合计为70质量％以上的M的氧化物、Si的氧化物、Al的氧化物及B的氧化物。
[0033]Al2O3相14是指主要包含Al2O3(氧化铝)晶体的相。Al2O3相14中的Al2O3的比没有特别的限制。例如可以是97质量％以上。SiO2相11是指主要包含SiO2(二氧化硅)的相。SiO2相11中的SiO2的比没有特别的限制。例如可以是97质量％以上。
[0034]而且，多个Al2O3相14通过长石晶相13结合。没有必要所有Al2O3相14均通过长石晶相13结合。至少一组Al2O3相14通过长石晶相13结合即可。此外，也可以是按照个数比为25％以上的Al2O3相14通过长石晶相13与其它Al2O3相14结合。
[0035]本实施方式的玻璃陶瓷因为具有上述构成，由此形成相对介电常数ε低且强度高的玻璃陶瓷。
[0036]包含大量SiO2相11和非晶玻璃相12这样的非晶相的玻璃陶瓷的相对介电常数ε容易变低。然而，包含大量非晶相的玻璃陶瓷容易出现裂纹，强度容易降低。
[0037]当仅含Al2O3相14等晶相时，因包含晶相而使相对介电常数ε提高，但强度并未充分提高。但是，本专利技术人等发现：通过使玻璃陶瓷除了Al2O3相14以外还具有长石晶相13，且Al2O3相14通过长石晶相13结合，由此形成相对介电常数ε低且强度高的玻璃陶瓷。
[0038]玻璃陶瓷的微观结构可以通过用STEM
‑
EDS等观察玻璃陶瓷的截面，并进行相分离分析得到确认。通过STEM观察本实施方式的玻璃陶瓷的截面所得图像(以下简称为STEM图
像)示于图1。此外，通过进行RGB图像相分析作为与图1相同观察范围的相分离分析所得图像(下文简称为相分离分析图像)示于图2。观察范围的大小和图像的倍率没有特别的限制，只要大到足以观察玻璃陶瓷的微观结构即可。例如，观察范围的大小为200μm2以上即可。图像的倍率为5000倍以上即可。此外，观察范围可以设定多个。多个观察范围的大小合计为200μm2以上即可。
[0039]如图1、图2所示，玻璃陶瓷1包含长石晶相13、非晶玻璃相12、Al2O3相14和SiO2相11。在图1的STEM图像中，长石晶相13与Al2O3相14之间的边界不明确。但通过并用图1的STEM图像和图2的相分离分析图像，长石晶相13与Al2O3相14之间的边界变得明确。在Al2O3相14周围，存在着长石晶相13和/或非晶玻璃相12。而且，至少有一组Al2O3相14通过长石晶相13结合。
[0040]此外，在鉴定各相时，可以向各相照射电子射线，测量电子束衍射图案。当对非晶玻璃相12进行电子束衍射图案测量时，仅得到来自非晶质的光晕图案，未得到来自晶体的斑点。相比之下，当对长石晶相13及Al2O3相14进行电子束衍射图案测量时，得到大量来自晶体的斑点。当对SiO2相11进行电子束衍射图案测量时，得到来自非晶质的光晕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃陶瓷，其中，所述玻璃陶瓷包含长石晶相、非晶玻璃相、Al2O3相和SiO2相，所述Al2O3相通过所述长石晶相结合。2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其中，所述长石晶相主要包含Sr。3.根据权利要求1或2所述的玻璃陶瓷，其中，构成所述Al2O3相的各Al2O3填料的平均长径比为15以上且75以下。4.根据权利要求1或2所述的玻璃陶瓷，其中，构成所述SiO2相的各SiO2填料的平均粒径为0.10μm以上且3.0μm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田秀信，高桥圣树，佐佐木香，榎本奈美，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：