磁元件和集成装置制造方法及图纸

本实施方式的磁元件具备配线层和与所述配线层相接的第一铁磁性层，所述配线层包括晶质的第一层、和位于所述第一铁磁性层与所述第一层之间的非晶的第二层。一层之间的非晶的第二层。一层之间的非晶的第二层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁元件和集成装置


[0001]本专利技术涉及磁元件和集成装置。
[0002]本申请以2020年10月2日在日本申请的特愿2020
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167660号为基础要求优先权，将其内容援引于此。

技术介绍

[0003]作为磁阻效应元件，已知由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻(GMR)元件、以及使用绝缘层(隧道势垒层、势垒层)作为非磁性层的隧道磁阻(TMR)元件。磁阻效应元件能够应用于磁传感器、高频部件、磁头和非易失性随机访问存储器(MRAM)。
[0004]MRAM是由磁阻效应元件集成得到的存储元件。MRAM利用当磁阻效应元件中夹持非磁性层的二个铁磁性层彼此的磁化方向变化时，磁阻效应元件的电阻会发生变化这一特性，进行数据读写。
[0005]例如，专利文献1记载了一种利用自旋轨道转矩(SOT)来改变磁阻效应元件的电阻的方法。SOT是由于自旋轨道相互作用产生的自旋流或异种材料界面上的拉什巴效应引发的。用于在磁阻效应元件内引发SOT的电流在与磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向上流动。不需要使电流在磁阻效应元件的层叠方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁元件，其中，具备：配线层、和与所述配线层相接的第一铁磁性层，所述配线层具备：晶质的第一层；和非晶的第二层，其位于所述第一铁磁性层与所述第一层之间。2.如权利要求1所述的磁元件，其中，所述第一层的电阻率比所述第二层的电阻率低。3.如权利要求1或2所述的磁元件，其中，所述第二层含有Ta、W、Ti、Ag中的至少一种元素。4.如权利要求1或2所述的磁元件，其中，所述第二层含有Fe、Co、Mn中的至少一种元素。5.如权利要求1～4中任一项所述的磁元件，其中，所述第二层含有B或C中的任意元素。6.如权利要求1～5中任一项所述的磁元件，其中，所述第二层含有氮化物，所述氮化物包含选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、W中的至少一种元素。7.如权利要求1～6中任一项所述的磁元件，其中，所述第二层的膜厚为4nm以下。8.如权利要求1～7中任一项所述的磁元件，其中，所述第一层的膜厚为10nm以下。9.如权利要求1～8中任一项所述的磁元件，其中，所述配线层的第一方向上的长度比其他方向上的长度长，所述第一层的所述第一方向上的长度比所述第二层的所述第一方向上的长度长。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，盐川阳平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：