模型参数生成方法、装置、电子设备和可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种模型参数生成方法、装置、电子设备和可读存储介质。模型参数生成方法包括：设定晶体管模型的初始参数；根据所述初始参数计算所述晶体管模型的拟合特性数据，所述拟合特性数据包括对于转移特性的转移拟合结果以及对输出特性的输出拟合结果；计算晶体管的测试特性数据和所述拟合特性数据之间的适应度；根据所述适应度迭代更新所述初始参数；在满足预设迭代条件的情况下，将更新后的所述初始参数作为所述晶体管模型的模型参数。本发明专利技术实施例能够简化模型参数生成过程，同时提高模型参数的生成准确性。模型参数的生成准确性。模型参数的生成准确性。

【技术实现步骤摘要】
模型参数生成方法、装置、电子设备和可读存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及仿真
，尤其涉及一种模型参数生成方法、装置、电子设备和可读存储介质。

技术介绍

[0002]集成电路开发中，需要建立器件模型和并设定相应的模型参数提取策略。相关技术中，可以通过SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis，仿真电路模拟器)模拟集成电路，例如，模拟集成电路中的薄膜晶体管(TFT)、的全部工作区间特性。而为了缩小模型仿真数据与实验数据的差异，需要技术人员不断手动校准参数，找出与实验数据最接近的模型仿真参数值，这种仿真方式的模型参数设置较为复杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种模型参数生成方法、装置、电子设备和可读存储介质，以解决现有仿真方式的模型参数设置较为复杂的问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术是这样实现的：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种模型参数生成方法，包括：
[0006]设定晶体管模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模型参数生成方法，其特征在于，包括：设定晶体管模型的初始参数；根据所述初始参数计算所述晶体管模型的拟合特性数据，所述拟合特性数据包括对于转移特性的转移拟合结果以及对输出特性的输出拟合结果；计算晶体管的测试特性数据和所述拟合特性数据之间的适应度；根据所述适应度迭代更新所述初始参数；在满足预设迭代条件的情况下，将更新后的所述初始参数作为所述晶体管模型的模型参数。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算晶体管的测试特性数据和所述拟合特性数据之间的适应度之前，所述方法还包括：获取晶体管的测试特性数据；根据所述测试特性数据确定所述晶体管的测试特性数据，所述测试特性数据包括对于转移特性的测试结果和输出特性的测试结果。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，计算晶体管的测试特性数据和所述拟合特性数据之间的适应度，包括：确定所述模型参数中目标参数的模拟特性数据和各组测试特性数据中每一数据点的数据最大值；根据所述目标参数的模拟特性数据、各组测试特性数据以及所述数据最大值确定各组所述测试特性数据对应的归一化差值；将各组测试特性数据的归一化差值的最大值作为该组测试特性数据的子适应度；计算各组所述测试特征数据的子适应度的加权平均值作为所述目标参数的适应度。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，计算晶体管的测试特性数据和所述拟合特性数据之间的适应度，包括：确定所述模型参数中目标参数的模拟特性数据和各组测试特性数据中每一数据点的数据最大值；根据所述目标参数的模拟特性数据、各组测试特性数据以及所述数据最大值确定各组所述测试特性数据对应的归一化差值；根据晶体管的的工作特性将各组测试特性数据划分为多个工作区域，并计算各组测试数据在同一工作区域内的子适应度；计算各组所述测试特征数据的子适应度的加权平均值作为所述目标参数的适应度。5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述目标参数的各组测试特征数据的权重系数相等，且所述权重系数之和为1；或者所述目标参数的各组测试特征数据的权重系数随所述测试特征数据的重要性程度的增加而增加，且所述权重系数之和为1。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：