一种氮掺杂的碳纳米管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种氮掺杂的碳纳米管及其制备方法和应用，涉及电子元器件制造和加工领域。本发明专利技术的氮掺杂的碳纳米管的制备方法包括：介电电泳组装和局部热掺杂，或者，介电电泳组装、电选择性刻蚀和局部热掺杂；该方法不仅具有制备效率高、掺杂效果好、制备方法简单、可控性强、环保、适合碳纳米管用量少和已经组装好的电子器件加工工艺的优势，还具有有效降低碳纳米管与金属接触电阻的效果，特别适合应用于微纳器件和柔性器件中的导线连接。同时，本发明专利技术还提供该方法制得的氮掺杂的碳纳米管及其在小型化电子器件中的应用。其在小型化电子器件中的应用。其在小型化电子器件中的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种氮掺杂的碳纳米管及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及电子元器件的制造的
，具体涉及一种氮掺杂的碳纳米管及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]碳纳米管(CNT)因具有质量轻、电学和热学性能优异、化学稳定好等优势，成为近年来小型或便携式电子器件中的热点研究材料之一。在小型或便携式电子器件中金属是常用的电极或导体，为了减轻其电子器件的质量和提高其电性能，一般会在电子器件中将碳纳米管与金属电极进行组装或连接。但是，碳纳米管与金属电极之间存在接触电阻过高的问题，不仅会导致纳米器件发热大功耗高，还直接影响了碳纳米管纳米器件的性能和使用寿命。
[0003]目前，降低碳纳米管的接触电阻的方法主要有金属沉积法、高温退火法、超声纳米焊接法、杂原子掺杂法等；其中，金属沉积法是利用金属将碳纳米管与金属电极的连接处包围起来增加金属电极与碳纳米管的接触面积的方法，其存在不利于小型器件的质量的减轻与成本的降低的问题；高温退火法容易对器件性能造成损害，其可控性较差；超声纳米焊接法在技术上还不够成熟，还存在可重复性较低且生长成本较高；杂原子掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮掺杂的碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将碳纳米管分散液添加至沟道电极的沟槽上，进行介电电泳组装，得到组装有碳纳米管的沟道电极；2)对组装有碳纳米管的沟道电极进行气相沉积掺杂，并在气相沉积掺杂过程中对组装有碳纳米管的沟道电极施加电压，得到氮掺杂的碳纳米管。2.根据权利要求1所述的氮掺杂的碳纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)还包括使用电压设置为8V～10V的直流电压20～60s，进行电击穿的步骤。3.根据权利要求1或2所述的氮掺杂的碳纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)所述沟道电极包括基底、沟槽和若干个导电图案，所述导电图案固载于所述基底上，且每2个导电图案之间设置有沟槽；所述导电图案的材料包括金属、合金中的一种或多种。4.根据权利要求1或2所述的氮掺杂的碳纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)所述碳纳米管分散液的用量为0.1uL～10uL；步骤1)所述碳纳米管分散液的浓度为0.5ug/mL～10ug/mL。5.根据权利要求1或2所述的氮掺杂的碳纳米管的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宇健，邵庆益，苗瑞，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：