电致发光器件及其制备方法、光电装置制造方法及图纸

本申请公开了一种电致发光器件及其制备方法、光电装置，通过将具有光反射性的纳米球分散于电致发光器件电子传输层中的电子传输材料之中，利用纳米球光反射特性，减少光在传输过程中向外逸散的状况，减少外耦合损失，从而提高器件的透过亮度和外量子效率。此外，纳米球还可以小幅地填充电子传输层膜层中的缺陷，改善膜层的平整性，便于载流子的传输，提升外量子效率，从而提升器件的性能。从而提升器件的性能。从而提升器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及其制备方法、光电装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种电致发光器件及其制备方法、光电装置。

技术介绍

[0002]QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，量子点发光器件)，是一种新兴的电致发光器件，结构与OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光显示器)相似，即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，QLED核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点是一种粒子球径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。
[0003]然而，以QLED为代表的电致发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和所述阳极之间的发光层和电子传输层，所述发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层由电子传输材料和分散于所述电子传输材料中的纳米球组成，所述纳米球在可见光范围内的透射率小于电子传输材料在可见光范围内的透射率，且所述纳米球吸收光谱的吸收峰的主峰位大于所述发光层发射光谱的发射峰的主峰位，或小于所述发光层发射光谱的发射峰的主峰位。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米球吸收光谱的吸收峰的主峰位小于420nm或高于670nm。3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米球吸收光谱的吸收峰的主峰位小于320nm或高于770nm，和/或，所述纳米球在可见光范围内的透射率小于50％。4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米球吸收光谱的吸收峰的主峰位比所述发光层发射光谱的发射峰的主峰位大100nm，或比所述发光层发射光谱的发射峰的主峰位小100nm。5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米球的材料选自无机物或有机聚合物中的至少一种。6.根据权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述无机物选自氧化钙及硫酸钡中的至少一种；所述有机聚合物选自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸苯酯及聚甲基丙烯酸乙酯中的至少一种。7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，在所述电子传输层中，所述纳米球均匀分散于所述电子传输材料中，所述电子传输材料与所述纳米球的体积比为(10～12)：1。8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米球的球径为4nm～6nm，和/或，所述纳米球的表面粗糙度小于0.5nm。9.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天朔，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：