【技术实现步骤摘要】
一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法
[0001]本专利技术涉及薄膜晶体管制备
，特别是涉及一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法。
技术介绍
[0002]薄膜晶体管(Thin
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Film Transistors，TFT)是半导体工业中最基础、最重要的三端电子元器件。近年来，薄膜晶体管在存储、神经突触、平板显示等领域逐渐引起了人们的重视。常见的底栅型薄膜晶体管一般由栅极、介电层、沟道层和源漏电极组成。介电层是决定薄膜晶体管性能的关键之一。随着时代的进步，高介电常数(k)金属氧化物逐步替代氧化硅、氮化硅等传统材料用作介电层，以解决器件工作电压过高的问题。
[0003]目前一般多采用真空镀膜的方法制备金属氧化物介电层，但该方法存在加工温度高、设备昂贵、成膜速率慢且不利于大面积制备等问题。溶液法印刷因其成本低、操作简单以及适合大面积制备的优点备受关注。目前溶液法中多使用氧化锆、氧化铪等无机氧化物作为高k介电层材料，可以有效降低薄膜晶体管的工作电压，但是由于溶液印刷制备的薄膜晶体管在迟滞特性的调控方面仍存在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供衬底，并对所述衬底进行预处理；S2：将乙二醇甲醚和乙二醇以不同比例混合，得到混合溶剂，其中，乙二醇甲醚和乙二醇的体积比为1：(0.5
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1)；S3：将高介电前驱体材料粉末溶于所述混合溶剂中，得到前驱体溶液；S4：在所述前驱体溶液中加入驻极体材料粉末，得到共溶剂墨水；S5：将所述共溶剂墨水在所述衬底上印刷成膜，得到复合介电层；S6：在所述复合介电层上沉积沟道层；S7：在所述沟道层上沉积顶电极，得到薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，在步骤S3中，将所述共溶剂墨水在所述衬底上印刷成膜后，所述方法还包括：对印刷得到的薄膜结构进行紫外光处理；对紫外光处理后的薄膜结构进行热退火处理，得到所述复合介电层。3.根据权利要求1所述的一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，在步骤S1中，对所述衬底进行预处理，包括：将所述衬底分别放置于丙酮、异丙醇和去离子水中清洗；将所述衬底放置于UV
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，靖丽欣，陶瑞强，李育珊，刘浩楠，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：
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