半导体封装、电子设备和电子设备制造方法技术

关于半导体封装(10)的信息被写在加强件(14)上，而不是写在半导体芯片(11)的上表面(11a)上。加强件(14)位于半导体芯片(11)的外边缘(11d)的外侧和封装基底材料(17)的外边缘(17d)的内侧。此外，具有流动性的导热材料(31)设置在半导体芯片(11)的上表面(11a)和散热器(50)之间。因此，半导体芯片提供了高冷却性能。半导体芯片提供了高冷却性能。半导体芯片提供了高冷却性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装、电子设备和电子设备制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装、电子设备和电子设备制造方法。

技术介绍

[0002]用作例如中央处理单元(CPU)或图形处理单元(GPU)的半导体芯片热连接到散热器，例如用于冷却目的的散热片或热管。现有的电子设备使用油脂作为设置在半导体芯片和散热器之间的导热材料(PTL 1)。此外，作为半导体芯片和散热器之间的导热材料，PTL 2和PTL 3中描述的电子设备使用流体金属或在电子设备工作期间改变其流动性并液化的另一种材料来代替油脂。
[0003]专利文献引用列表
[0004]PTL 1：日本专利公开No.2012
‑
69902
[0005]PTL 2：日本专利公开No.2007
‑
335742
[0006]PTL 3：PCT专利公开WO 2020/162417

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]优选的是，用作导热材料的液化金属均匀地散布在半导体芯片的表面上。然而，当通过激光或墨水在半导体芯片的表面上写入关于半导体芯片的信息，例如型号或唯一号码时，半导体芯片的表面变得不平坦，或者在半导体芯片的表面上形成液态金属和半导体芯片的表面之间的润湿性(接触角)不同的区域。因此，导热材料不会均匀地散布在半导体芯片的表面上。这使得难以提供高冷却性能。
[0009]问题的解决方案
[0010]本公开提出的电子设备的示例包括半导体封装和散热器。该半导体封装包括半导体芯片、其上安装半导体芯片的封装基底材料、以及位于半导体芯片的外边缘外侧和封装基底材料的外边缘内侧的部分。具有流动性的导热材料设置在半导体芯片的表面和散热器之间。关于半导体封装的信息写在半导体封装的上述部分上，而不是写在半导体芯片的表面上。根据上述电子设备，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0011]本公开提出的电子设备的另一个示例包括半导体封装和散热器。半导体封装包括半导体芯片、其上安装半导体芯片的封装基底材料、其上形成具有流动性的导热材料以通过导热材料将热量从半导体芯片传递到散热器的第一部分、以及不同于第一部分的第二部分。关于半导体封装的信息被写在第二部分上。根据上述电子设备，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0012]本公开提出的电子设备的又一示例包括半导体封装和散热器。半导体封装包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料。具有流动性的导热材料设置在半导体芯片的表面和散热器之间。半导体芯片的表面具有第一区域和第二区域。当半导体芯片工作时，第二区域具有比第一区域低的温度。关于半导体封装的信息被写入半导体芯片的第二
区域，而不是第一区域。根据上述电子设备，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0013]本公开提出的电子设备的又一示例包括半导体封装和散热器。半导体封装包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料。半导体芯片的表面具有写入关于半导体封装的信息的区域。在半导体芯片的表面上形成覆盖该区域的表面处理层。具有流动性的导热材料设置在表面处理层和散热器之间。根据上述电子设备，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0014]本公开提出的半导体封装的示例包括半导体芯片、其上安装半导体芯片的封装基底材料、以及在平面图中位于半导体芯片的外边缘外侧并且在封装基底材料的外边缘内侧的部分。关于半导体封装的信息写在半导体封装的上述部分上，而不是写在半导体芯片的表面上。根据上述半导体封装，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0015]本公开提出的半导体封装的另一个示例包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料。半导体芯片的表面具有第一区域和第二区域。当半导体芯片工作时，第二区域具有比第一区域低的温度。关于半导体封装的信息被写入半导体芯片的第二区域，而不是第一区域。根据上述半导体封装，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0016]本公开提出的电子设备制造方法的示例包括制备半导体封装的步骤，该半导体封装包括半导体芯片、其上安装半导体芯片的封装基底材料、以及位于半导体芯片的外边缘外侧和封装基底材料的外边缘内侧的部分，在半导体封装的上述部分上而不是在半导体芯片的表面上写入关于半导体封装的信息的步骤，以及在半导体芯片的表面上设置具有流动性的导热材料的步骤。根据上述电子设备制造方法，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0017]本公开提出的电子设备制造方法的另一个示例包括制备半导体封装的步骤，该半导体封装包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料，该半导体芯片具有包含第一区域和第二区域的表面，该第二区域在半导体芯片工作时具有比第一区域低的温度，在半导体芯片的第二区域中而不是在第一区域中写入关于半导体封装的信息的步骤，以及在半导体芯片的表面上设置具有流动性的导热材料的步骤。根据上述电子设备制造方法，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
[0018]由本公开提出的电子设备制造方法的又一示例包括制备半导体封装的步骤，该半导体封装包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料，该半导体芯片具有包含写入关于半导体封装的信息的区域的表面，形成覆盖半导体芯片表面上的区域的表面处理层的步骤，以及在表面处理层上设置具有流动性的导热材料的步骤。根据上述电子设备制造方法，半导体芯片通过使用具有流动性的导热材料来提供高冷却性能。
附图说明
[0019]图1是示出由本公开提出的半导体封装的示例的平面图。
[0020]图2是包括沿着图1中的线II
‑
II截取的半导体封装的电子设备的截面图。
[0021]图3是示出由本公开提出的半导体封装的另一示例的平面图。
[0022]图4是示出由本公开提出的半导体封装的又一示例的平面图。
[0023]图5是示出电子设备的修改的截面图。
[0024]图6是示出电子设备的另一变型的截面图。
[0025]图7是示出由本公开提出的半导体封装的又一示例的平面图。
[0026]图8是示出由本公开提出的半导体封装的附加示例的平面图。
[0027]图9是示出由本公开提出的半导体封装的又一附加示例的截面图。
[0028]图10是示出具有流动性的导热材料的接触角的视图。
具体实施方式
[0029]下文描述了本公开提出的电子设备和半导体封装。说明书描述了作为本公开提出的电子设备和半导体封装的电子设备1和半导体封装10。本公开提出的电子设备可以应用于例如视频游戏控制台、用于执行正在开发的各种程序(例如，游戏程序)的开发机器以及不同于视频游戏控制台的信息处理设备(例如，个人计算机、服务器设备或运输车辆控制设备)。
[0030]在下面的描述中，图1所示的X1和X2分别表示向右方向和向左方向，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子设备，包括：半导体封装，包括半导体芯片、封装基底材料及位于所述半导体芯片的外边缘外侧和所述封装基底材料的外边缘内侧的部分，所述半导体芯片安装在所述封装基底材料上；和散热器，其中具有流动性的导热材料设置在所述半导体芯片的表面和所述散热器之间，并且关于所述半导体封装的信息写在半导体封装的所述部分上，而不写在半导体芯片的表面上。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，安装在所述封装基底材料上的部件用作写入关于所述半导体封装的信息的部件。3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述半导体封装包括加强件，作为写入关于所述半导体封装的信息的所述部分，所述加强件安装在所述封装基底材料上。4.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述半导体封装包括电子部件，作为写入关于所述半导体封装的信息的所述部分，所述电子部件安装在所述封装基底材料上，并且配置为产生比所述半导体芯片更少的热量。5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述封装基底材料的部件用作写入关于所述半导体封装的信息的所述部分。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，指示关于所述半导体封装的信息的字母、符号和代码中的至少一个通过墨水、激光和密封中的至少一种被写在所述部分上。7.根据权利要求1的电子设备，其中，液态金属用作导热材料。8.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括：密封构件，围绕所述半导体芯片，其中写入关于所述半导体封装的信息的所述部分位于所述密封构件的外部。9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，写入关于所述半导体封装的信息的所述部分覆盖有可移除构件。10.一种电子设备，包括：半导体封装，包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料；和散热器，其中所述半导体封装包括第一部分和第二部分，所述第一部分配置为通过具有流动性的导热材料将热量从所述半导体芯片传递到所述散热器，所述导热材料形成在所述第一部分上，所述第二部分不同于所述第一部分，并且关于所述半导体封装的信息被写在所述第二部分上。11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述导热材料不附着于所述第二部分。12.一种电子设备，包括：半导体封装，包括半导体芯片和其上安装半导体芯片的封装基底材料；和散热器，其中具有流动性的导热材料设置在所述半导体芯片的表面和所述散热器之间，所述半导体芯片的表面具有第一区域和第二区域，所述第二区域在所述半导体芯片的操作期间具有比所述第一区域低的温度，并且关于所述半导体封装的信息...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原信之，神林明日香，铃木凉，
申请(专利权)人：索尼互动娱乐股份有限公司，
类型：发明
国别省市：