一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法技术

本发明专利技术公开了周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，包括在硅衬底上旋涂P(VDF

【技术实现步骤摘要】
一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料领域，具体涉及一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法。

技术介绍

[0002]二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)是一种由过渡金属原子和硫族原子形成的具有类石墨烯六角蜂巢的准二维结构层状材料。因其层与层之间的范德华作用力较弱，TMDCs可以通过层层转移、堆垛形成范德华超晶格(vdWSL)。因其独特的晶体结构和电子结构，vdWSL具有类似于及异于石墨烯独特的物理、化学性质，如层数依赖的直接/间接带隙转变、较长的载流子弛豫寿命、较高的载流子迁移率、超导特性、二维铁电/铁磁、莫尔激子、丰富的多物理场耦合特性等。以vdWSL为主的功能器件具有优异的器件性能，包括超过100微安的源漏电流、高达107的开关比、高达105的整流比等。截止目前，vdWSL已经在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力，成为学术界、工业界备受瞩目的新材料。
[0003]vdWSL的制备通常采用机械剥离与层层转移模式的结合、化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上旋涂P(VDF
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TrFE)有机溶液，然后进行退火得到P(VDF
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TrFE)铁电薄膜；在P(VDF
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TrFE)铁电薄膜表面进行刻写得到具有周期性铁电畴结构的P(VDF
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TrFE)铁电薄膜；通过二维转移工艺将WSe2薄膜转移至具有周期性铁电畴结构的P(VDF
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TrFE)铁电薄膜表面，通过具有周期性铁电畴结构的P(VDF
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TrFE)铁电薄膜去极化过程中产生的静电场对WSe2薄膜进行诱导，使得WSe2薄膜形成类超晶格的能带结构。2.根据权利要求1所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，其特征在于，采用原子力显微镜针尖在P(VDF
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TrFE)铁电薄膜表面进行刻写，具体步骤为：分别设置原子力显微镜针尖每次刻写的扫描区域、原子力显微镜针尖的X方向移动偏移量或Y方向移动偏移量，以及刻写次数阈值；原子力显微镜针尖按照对设定的扫描区域进行第一次刻写后，按照X方向移动偏移量或Y方向移动偏移量将原子力显微镜针尖移动至目标位置进行下一次刻写，直至达到刻写次数阈值后停止刻写，得到具有周期性铁电畴结构的P(VDF
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TrFE)铁电薄膜；其中，每次按照设定的X方向移动偏移量或Y方向移动偏移量将原子力显微镜针尖移动到目标位置后，重新设置原子力显微镜针尖上的电压，重新设置电压的电压值为与上一次刻写时的电压值相同，电压方向为与上一次刻写时的电压方向相反。3.根据权利要求2所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，其特征在于，施加在所述原子力显微镜针尖上的电压为
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10－+10V。4.根据权利要求2所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格的制备方法，其特征在于，所述X方向移动偏移量为
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5－+5μm；所述Y...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮罗渊，白石根，宋睿烜，陈焕坚，杜瑀，唐燕如，林虹宇，单玉凤，俞国林，邓惠勇，戴宁，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：