纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管技术

本申请公开了一种纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管，涉及显示技术领域，该纳米颗粒具有核壳结构，核壳结构包括内核和包覆内核的壳层，内核为锗掺杂的第一金属氧化物；壳层为金属元素掺杂的第二金属氧化物；金属元素掺杂的第二金属氧化物的导带能级高于第二金属氧化物的导带能级本申请还公开了该纳米颗粒的制备方法以及采用该纳米颗粒为电子传输层材料的量子点发光二极管。本申请提供的纳米颗粒相较于现有的电子传输层材料有较高的导带能级和电子迁移率。有较高的导带能级和电子迁移率。有较高的导带能级和电子迁移率。

【技术实现步骤摘要】
纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种纳米颗粒及其制备方法、电子传输层、量子点发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dots,QDs)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加之其在应用过程中可通过印刷工艺制备，基于量子点的量子点发光二极管(即量子点发光二极管：Quantum Dots Light Emitting Doide Display,QLED)越来越受到人们关注，同时，QLED器件的性能也迅速提高。目前，QLED器件根据发光颜色主要分为绿光量子点器件、红光量子点器件和蓝光量子点器件。其中，如何提高蓝光量子点器件的寿命是研究的一个重要方向，由于蓝光量子点导带位置较高，约
‑
3.2eV，而电子传输层常用的材料其导带能级通常大于
‑
3.2eV，因此导致电子注入势垒较大，电子注入困难。为了提高电子传输层的材料的导带能级、减少其电子注入势垒，目前普遍在电子传输层的材料中掺杂金属元素以降低电子传输层的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米颗粒，其特征在于：所述纳米颗粒包括内核和包覆所述内核的壳层，所述内核为第一金属氧化物，所述第一金属氧化物中掺杂有锗；所述壳层为第二金属氧化物，所述第二金属氧化物中掺杂有金属元素；由所述金属元素掺杂后的所述第二金属氧化物的导带能级高于掺杂前的所述第二金属氧化物的导带能级。2.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物分别选自于ZnO、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO中的任一种。3.根据权利要求1或2所述的纳米颗粒，其特征在于：所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物均为ZnO。4.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述纳米颗粒的通式为Ge
x
Zn1‑
x
O@Zn1‑
y
M
y
O；其中，M表示所述金属元素；x的取值范围为0.01≤x≤0.1，y的取值范围为0.01≤y≤0.2。5.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述金属元素选自镁、铝、铟中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述内核的半径为3～6nm；和/或所述纳米颗粒的半径为6～11nm。7.一种纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一阳离子源、第二阳离子源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：