一种磁传感器及其制作方法技术

本申请公开了一种磁传感器，包括设有底电极的芯片，和设于所述芯片上的器件组，所述器件组包括：与所述底电极电连接的双磁隧道结，所述双磁隧道结包括由下至上堆叠的第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件，所述第一磁隧道结器件的宽度大于所述第二磁隧道结器件的宽度，且所述第一磁隧道结器件和所述第二磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反；设于所述第二磁隧道结器件上方的顶电极；与所述双磁隧道结中的自由层连接的信号引出部。本申请可以直接在芯片上形成惠斯通半桥，不需进行多个芯片的封装，可以减小磁传感器面积，简化工艺流程。此外，本申请还提供一种具有上述优点的磁传感器制作方法。磁传感器制作方法。磁传感器制作方法。

【技术实现步骤摘要】
一种磁传感器及其制作方法


[0001]本申请涉及磁传感器
，特别是涉及一种磁传感器及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，磁传感器基本上利用磁隧道结(Magnetic Tunneling Junction，MTJ)的隧穿磁阻效应(Tunneling Magnetoresistance，TMR)制备，并将其设置成惠斯通电桥(全桥或者半桥)的形式，以提高感应磁场的灵敏度。
[0003]现有的磁传感器在制备时需要先制备具有特定的电阻
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磁场变化模式的MTJ器件，然后通过串联多个相同的MTJ器件以形成惠斯通电桥的单臂。由于惠斯通电桥的工作原理要求不同桥臂的器件输出信号随着外磁场变化趋势要相反。为了实现全桥或者半桥的形式，需要同时得到具有相反的电阻
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磁场变化模式的MTJ器件并集成到一起，以形成惠斯通电桥的不同单臂。但是目前一次工艺流程只能制备输出信号变化趋势相同的MTJ器件，需要后续通过同时封装两个芯片以及特殊接线来形成惠斯通半桥或者全桥，导致磁传感器的面积较大。当将输出信号变化趋势相反的MTJ器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，包括设有底电极的芯片，和设于所述芯片上的器件组，所述器件组包括：与所述底电极电连接的双磁隧道结，所述双磁隧道结包括由下至上堆叠的第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件，所述第一磁隧道结器件的宽度大于所述第二磁隧道结器件的宽度，且所述第一磁隧道结器件和所述第二磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反；设于所述第二磁隧道结器件上方的顶电极；与所述双磁隧道结中的自由层连接的信号引出部。2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第一磁隧道结器件和所述第二磁隧道结器件的长轴方向相同。3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述第一磁隧道结器件和所述第二磁隧道结器件的形状为椭圆柱。4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，还包括，设于所述第二磁隧道结器件上表面的第一掩膜层。5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，还包括，设于所述第二磁隧道结器件周围且与所述第一掩膜层上表面齐平的第一绝缘层，所述信号引出部贯穿所述第一绝缘层。6.如权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，还包括：设于所述第一磁隧道结器件和所述第一绝缘层侧面的第二绝缘层。7.如权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述第一绝缘层包括：设于所述第二磁隧道结器件周围的第一绝缘单元层；设于所述第一绝缘单元层外表面的第二绝缘单元层。8.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为钽、氮化钽、氮化钛中的任一种。9.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述底电极的材料为氮化钽或者氮化钛。10.如权利要求1至9任一项所述的磁传感器，其特征在于，当所述器件组的数量为多个时，多个所述器件组形成惠斯通半桥，惠斯通半桥中第一预设数量个所述第一磁隧道结器件串联，第二预设数量个所述第二磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩隆，何世坤，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：