显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层；所述封装结构层包括沿着远离基底方向依次设置的n个封装层组，至少一个封装层组包括第一子层和设置在所述第一子层远离所述基底一侧的第二子层，所述第一子层和第二子层的材料不同，所述第一子层和第二子层的材料包括如下任意一种：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅和氧化铟锌，n为大于或等于1的正整数。本公开在保证薄膜封装信赖性的前提下，可以降低封装结构层的整体厚度，避免了串色问题。避免了串色问题。避免了串色问题。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光结构层、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，现有OLED显示装置存在像素串色问题，降低了显示品质。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有显示装置存在像素串色问题。
[0006]本公开提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的发光结构层以及设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层；所述封装结构层包括沿着远离基底方向依次设置的n个封装层组，至少一个封装层组包括第一子层和设置在所述第一子层远离所述基底一侧的第二子层，所述第一子层和第二子层的材料不同，所述第一子层和第二子层的材料包括如下任意一种：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅和氧化铟锌，n为大于或等于1的正整数。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅，所述第二子层的材料包括氧化硅或者氮氧化硅，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值为4至9。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的厚度为0.3μm至0.6μm，所述第二子层的厚度为0.03μm至0.12μm。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氧化硅或者氮氧化硅，所述第二子层的材料包括氮化硅，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值为0.1至0.6。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的厚度为0.1μm至0.2μm，所述第二子层的厚度为0.3μm至0.6μm。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅，所述第二子层的材料包括氧化铟锌，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值为4至9。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的厚度为0.3μm至0.6μm，所述第二子层的厚度为0.05μm至0.12μm。8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅，所述第二子层的材料包括碳氮化硅，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值为0.15至1。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的厚度为0.3μm至0.6μm，所述第二子层的厚度为0.6μm至2μm。10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括碳氮化硅，所述第二子层的材料包括氧化铟锌，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值为1至9。11.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙中元，刘文祺，倪静凯，薛金祥，安澈，袁广才，李春延，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：