一种带过渡层的氮氧传感器芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带过渡层的氮氧传感器芯片，包括芯片基体，芯片基体的检测端设有保护层，芯片基体的上表面和下表面均设有过渡层，过渡层设置在保护层与芯片基体之间，保护层不完全覆盖过渡层，过渡层为多孔过渡层，厚度为20

【技术实现步骤摘要】
一种带过渡层的氮氧传感器芯片


[0001]本技术涉及氮氧传感器芯片保护领域，具体是涉及一种带过渡层的氮氧传感器芯片。

技术介绍

[0002]目前氮氧传感器通常安装于汽车底盘尾部排气系统中，直接暴露于外部环境中，承受着汽车尾气高温、车辆行驶振动、外界环境剧烈变化等恶劣的工作条件，氮氧传感器芯片作为氮氧传感器的核心零部件，检测部位的温度需要一直维持在850℃左右，现有的氮氧传感器芯片无法阻隔尾气中水汽接触到芯片检测部，同时也因为尾气压力突变芯片结构受到的冲击，导致氮氧传感器芯片表面产生裂纹，现在陆续有技术在氮氧传感器芯片检测部制备保护层解决了此问题，但是由于芯片基体表面过于光滑平整，导致保护层与芯片基体结合不牢，容易脱落，可靠性较低，保护层的寿命与使用耐久性得不到保证，从而会导致芯片的受损，影响氮氧传感器整体使用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种带过渡层的氮氧传感器芯片，解决了保护层与芯片基体之间结合不牢的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术的一种带过渡层的氮氧传感器芯片的具体技术方案如下：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带过渡层的氮氧传感器芯片，包括芯片基体（1），所述芯片基体（1）的检测端设有保护层（2），其特征在于，所述芯片基体（1）的上表面和下表面均设有过渡层（3），所述过渡层（3）设置在保护层（2）与芯片基体（1）之间，所述保护层（2）不完全覆盖过渡层（3），所述过渡层（3）为多孔过渡层，厚度为20
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30um，孔隙率为20%
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60%。2.根据权利要求1所述的一种带过渡层的氮氧传感器芯片，其特征在于，所述芯片基体（1）为氧化锆芯片。3.根据权利要求1所述的一种带过渡层的氮氧传感器芯片，其特征在于，所述保护层（2）为多孔保护层，厚度50
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200um，孔隙率20%
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60%。4.根据权利要求1所述的一种带过渡层的氮氧传感器芯片，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：狄姣，
申请(专利权)人：徐州芯源诚达传感科技有限公司，
类型：新型
国别省市：