本申请实施例提供了一种低频辐射单元、天线、多频共用天线及融合天线架构，该低频辐射单元，设置于金属反射板的侧边上，包括：PCB介质板10、介质支撑架70，同轴线缆80，10的正面与反面上设置的金属辐射体，70与金属辐射体连接，用于支撑该金属辐射体；80设置于70上，与该金属辐射体连接，对该金属辐射体进行馈电，可以解决相关技术中第二天线系统4G的阵元巴伦与嵌套其内的第一天线系统5G阵元之间的耦合较强，严重影响5G天线波宽、前后比和副瓣等辐射性能指标以及驻波和隔离度的电路性能指标的问题，实现了4G低频天线灵活置于5G高频天线上方，避免巴伦对5G高频天线的干扰，且低互耦，节约天线内部空间。节约天线内部空间。节约天线内部空间。
【技术实现步骤摘要】
低频辐射单元、天线、多频共用天线及融合天线架构
[0001]本申请实施例涉及天线领域，具体而言，涉及一种低频辐射单元、天线、多频共用天线及融合天线架构。
技术介绍
[0002]随着通信行业的发展，在当前4G和5G网络共存的大环境下，多频天线的需求越来越多，对性能指标的要求也越来越高，兼容4G及5G则成为了多频天线技术发展的潮流及必然趋势。此外为了优化资源配置，节省站址和天馈资源，低剖面、小型化的多频天线能更好地满足市场需求。
[0003]相关技术提出将4G低频基站天线与5G高频基站天线嵌套，即将位于下端的第二天线系统4G的部分阵元嵌套在第一天线系统5G Massive MIMO天线阵列中，但是在实现上述方案的过程中，第二天线系统4G的阵元巴伦与嵌套其内的第一天线系统5G阵元之间的耦合较强，严重影响5G天线波宽、前后比和副瓣等辐射性能指标以及驻波和隔离度的电路性能指标。
[0004]针对相关技术中第二天线系统4G的阵元巴伦与嵌套其内的第一天线系统5G阵元之间的耦合较强，严重影响5G天线波宽、前后比和副瓣等辐射性能指标以及驻波和隔离度的电路性能指标的问题，尚未提出解决方案。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供了一种低频辐射单元、天线、多频共用天线及融合天线架构，以至少解决相关技术中第二天线系统4G的阵元巴伦与嵌套其内的第一天线系统5G阵元之间的耦合较强，严重影响5G天线波宽、前后比和副瓣等辐射性能指标以及驻波和隔离度的电路性能指标的问题。
[0006]根据本申请的一个实施例，提供了一种低频辐射单元，设置于金属反射板的侧边上，包括：PCB介质板10、介质支撑架70，同轴线缆80，所述PCB介质板10的正面与反面上设置的金属辐射体，其中，
[0007]所述介质支撑架70与所述金属辐射体连接，用于支撑所述金属辐射体；
[0008]所述同轴线缆80设置于所述介质支撑架70上，与所述金属辐射体连接，对所述金属辐射体进行馈电。
[0009]在一示例性实施例中，所述金属辐射体包括极化正交设置的两对辐射振子20，馈电片31以及用于拓展带宽的加载线路60；
[0010]所述两对辐射振子20设置于所述PCB介质板10的反面；
[0011]所述馈电片31设置于所述PCB介质板10的正面与反面，其中，所述馈电片31与所述同轴电缆80通过焊接的方式连接。
[0012]在一示例性实施例中，所述馈电片31的一端设置有金属化过孔30，其中，所述金属化过孔30与所述同轴电缆80通过焊接的方式连接。
[0013]在一示例性实施例中，所述两对辐射振子20通过光刻工艺印刷在所述PCB介质板10的反面，形成
±
45
°
双极化辐射特性；和/或
[0014]所述两对辐射振子20为田字形结构；和/或
[0015]所述两对辐射振子20之间两两相间隔形成十字型缝隙50。
[0016]在一示例性实施例中，所述两对辐射振子20分别为第一辐射振子21、第二辐射振子22、第三辐射振子23以及第四辐射振子24，其中，所述第一辐射振子21和所述第三辐射振子23在同一极化，所述第二辐射振子22与所述第四辐射振子24在同一极化。
[0017]在一示例性实施例中，所述介质支撑架70包括环形支撑座71和固定架72，所述环形支撑座(71)位于所述金属辐射体的垂直正下方，所述环形支撑座71与所述金属辐射体连接。
[0018]在一示例性实施例中，所述固定架72上设置有导向槽74与卡夹槽75，所述卡夹槽75用于与所述金属反射板的侧边固定；
[0019]所述同轴线缆80穿过所述导向槽74后与所述金属辐射体连接。
[0020]在一示例性实施例中，所述环形支撑座71开设有定位柱73，所述定位柱73通过所述PCB介质板10上设置的通孔40固定所述PCB介质板10与所述金属辐射体。
[0021]在一示例性实施例中，所述介质支撑架70的一端位于所述金属辐射体的正下方，另一端向所述金属辐射体的侧边延伸的L形折线段与所述金属反射板的侧边固定。
[0022]在一示例性实施例中，所述同轴线缆80的一端用于通过与所述馈电片31焊接的方式进行馈电，另一端用于连接4G系统的移相器的输入口。
[0023]在一示例性实施例中，所述固定架72为L形。
[0024]在一示例性实施例中，所述固定架72由多个折线段组成，其中，所述固定架72上走线的所述同轴电缆80与所述PCB介质板10上的金属辐射体之间具有设定的间隔。
[0025]根据本申请的另一个实施例，还提供了一种天线，包括金属反射板100及至少两个上述的低频辐射单元，所述低频辐射单元设置在所述金属反射板100上。
[0026]在一示例性实施例中，所述低频辐射单元通过所述介质支撑架70的卡夹槽75固定在所述金属反射板100的侧边101上，所述同轴线缆80通过导向槽74在金属反射板100的侧边101上走线。
[0027]根据本申请的另一个实施例，还提供了一种多频共用天线，包括金属反射板100，均设于金属反射板100上的多个高频辐射单元200，至少两个上述的低频辐射单元，所述低频辐射单元设置于所述金属反射板100的侧边上。
[0028]在一示例性实施例中，所述多个高频辐射单元200以多个阵列的方式进行排列。
[0029]在一示例性实施例中，所述低频辐射单元下方至少覆盖一个所述高频辐射单元200。
[0030]根据本申请的另一个实施例，还提供了一种融合天线架构，包括一个独立可拆卸的5G有源天线单元和一个4G无源天线，其中，所述5G有源天线单元的天线上方设置有至少两个上述的低频辐射单元，且所述低频辐射单元的反射面共用所述5G有源天线单元的天线的反射面。
[0031]本申请实施例的低频辐射单元，设置于金属反射板的侧边上，包括：PCB介质板10、介质支撑架70，同轴线缆80，所述PCB介质板10的正面与反面上设置的金属辐射体，其中，介
质支撑架70与金属辐射体连接，用于支撑该金属辐射体；同轴线缆80设置于介质支撑架70上，与该金属辐射体连接，对该金属辐射体进行馈电，可以解决相关技术中第二天线系统4G的阵元巴伦与嵌套其内的第一天线系统5G阵元之间的耦合较强，严重影响5G天线波宽、前后比和副瓣等辐射性能指标以及驻波和隔离度的电路性能指标的问题，实现了4G低频天线灵活置于5G高频天线上方，避免巴伦对5G高频天线的干扰，且低互耦，节约天线内部空间。
附图说明
[0032]图1是根据本申请实施例的低频辐射单元的示意图；
[0033]图2是本申请实施例的金属辐射体的正面示意图；
[0034]图3是本申请实施例的金属辐射体的反面示意图；
[0035]图4是根据本申请实施例的低频辐射单元(俯视)的分解示意图；
[0036]图5是根据本申请实施例的低频辐射单元(仰视)的分解示意图；
[0037]图6根本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低频辐射单元，其特征在于，设置于金属反射板的侧边上，包括：PCB介质板(10)、介质支撑架(70)，同轴线缆(80)，所述PCB介质板(10)的正面与反面上设置的金属辐射体，其中，所述介质支撑架(70)与所述金属辐射体连接，用于支撑所述金属辐射体；所述同轴线缆(80)设置于所述介质支撑架(70)上，与所述金属辐射体连接，对所述金属辐射体进行馈电。2.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述金属辐射体包括极化正交设置的两对辐射振子(20)，馈电片(31)以及用于拓展带宽的加载线路(60)；所述两对辐射振子(20)设置于所述PCB介质板(10)的反面；所述馈电片(31)设置于所述PCB介质板(10)的正面与反面，其中，所述馈电片(31)与所述同轴电缆(80)通过焊接的方式连接。3.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述馈电片(31)的一端设置有金属化过孔(30)，其中，所述金属化过孔(30)与所述同轴电缆(80)通过焊接的方式连接。4.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述两对辐射振子(20)通过光刻工艺印刷在所述PCB介质板(10)的反面，形成
±
45
°
双极化辐射特性；和/或所述两对辐射振子(20)为田字形结构；和/或所述两对辐射振子(20)之间两两相间隔形成十字型缝隙(50)。5.根据权利要求2所述的低频辐射单元，其特征在于，所述两对辐射振子(20)分别为第一辐射振子(21)、第二辐射振子(22)、第三辐射振子(23)以及第四辐射振子(24)，其中，所述第一辐射振子(21)和所述第三辐射振子(23)在同一极化，所述第二辐射振子(22)与所述第四辐射振子(24)在同一极化。6.根据权利要求1所述的低频辐射单元，其特征在于，所述介质支撑架(70)包括环形支撑座(71)和固定架(72)，所述环形支撑座(71)位于所述金属辐射体的垂直正下方，所述环形支撑座(71)与所述金属辐射体连接。7.根据权利要求6所述的低频辐射单元，其特征在于，所述固定架(72)上设置有导向槽(74)与卡夹槽(75)，所述卡夹槽(75)用于与所述金属反射板的侧边固定；所述同轴线缆(80)穿过所述导向槽(74)后与所述金属辐射体连接。8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖瑞康，卜力，邵特，王荣理，孔胜伟，熊锡刚，刘水平，高翔，孙磊，李名定，林志滨，付灿，李占富，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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