液晶光栅的制备方法、液晶光栅的制备设备和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种液晶光栅的制备方法、液晶光栅的制备设备和存储介质，所述方法包括以下步骤：在基底上铺设配向层材料，对铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光；对所述基底上的光栅区进行二次曝光，并将所述一次曝光的区域和所述二次曝光的区域设置为配向层；将液晶混合物涂覆在所述配向层上以得到液晶光栅。通过本发明专利技术可以简化光栅制作的步骤，减小了光栅制作的工作量，提高了光栅制作的效率。提高了光栅制作的效率。提高了光栅制作的效率。

【技术实现步骤摘要】
液晶光栅的制备方法、液晶光栅的制备设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及光学
，具体涉及一种液晶光栅的制备方法、液晶光栅的制备设备和存储介质。

技术介绍

[0002]目前，液晶光栅的制作方法可以大致分为两类：干涉法和非干涉法。非干涉法采用接触或非接触曝光的方法制作，如掩膜版曝光、激光直写、数字微镜阵列(Micro
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mirror Device,DMD)动态掩膜、空间光调制器(Spatial Light Modulator,SLM)单步曝光等多种曝光方式。其中，采用掩膜版曝光的光配向方法是最简单的方式。这种方式通过对掩膜版样式的设计，可实现一些简单结构的光学元器件制作，但对于复杂结构的元件，往往需要制作不同的掩膜版并进行多次曝光，增加了生产成本和时间周期。干涉法通过两束不同旋向的圆偏振光以相应的夹角进行干涉并曝光基底，使配向层产生方位角不断变换的取向效果，诱导液晶形成光栅结构。干涉法虽然能够实现高精度元器件制作，但现有技术中干涉法通常采用一次曝光法，而一次曝光法仅曝光光栅区，未曝光的区域在旋涂液晶并固化液晶之后液晶分子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶光栅的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在基底上铺设配向层材料，对铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光；对所述基底上的光栅区进行二次曝光，并将所述一次曝光的区域和所述二次曝光的区域设置为配向层；将液晶混合物涂覆在所述配向层上以得到液晶光栅。2.如权利要求1所述的液晶光栅的制备方法，其特征在于，所述对铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光的步骤包括：若所述配向层材料为可擦写配向层材料，则使用线偏振光对铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光。3.如权利要求1所述的液晶光栅的制备方法，其特征在于，所述对铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光的步骤还包括：若所述配向层材料为不可擦写配向层材料，则将掩膜版设置在所述基底上；使用线偏振光对所述掩膜版以外的铺设有配向层材料的所述基底进行一次曝光。4.如权利要求1所述的液晶光栅的制备方法，其特征在于，所述对所述基底上的光栅区进行二次曝光的步骤包括：若所述配向层材料为可擦写配向层材料，则采用两束不同旋向的圆偏振光进行干涉并对所述基底上的光栅区进行二次曝光。5.如权利要求1所述的液晶光栅的制备方法，其特征在于，所述对所述基底上的光栅区进行二次曝光的步骤还包括：若所述配向层材料为不可擦写配向层材料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨镇源，吾晓，饶轶，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：