具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路制造技术

提供了与具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路相关的系统和方法。一种系统(700)包括被配置为在低温环境(<300K)中操作的多个器件(760)，其中与多个器件(760)相关联的阈值电压的第一分布具有第一值，该第一值指示阈值电压的扩展度测量。该系统(700)还包括控制逻辑(712,714)，其被耦合到多个器件(760)中的每个器件，该控制逻辑被配置为修改(714out)与多个器件(760)中的每个器件相关联的阈值电压，使得第一分布被改变为第二分布，该第二分布具有阈值电压的扩展度测量的第二值，该第二值表示多个器件的阈值电压之间的较低变化。低变化。低变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路

技术介绍

[0001]用于电子设备(诸如数字处理器)中的基于半导体的集成电路包括基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的数字电路。使用基于CMOS技术的处理器和相关部件的另一种方法是使用基于超导逻辑的器件。基于超导逻辑的器件也可以用于处理量子信息，例如量子位。

技术实现思路

[0002]在一个方面中，本公开涉及一种系统，该系统包括被配置为在低温环境中操作的多个器件，其中与多个器件相关联的阈值电压的第一分布具有第一值，该第一值指示阈值电压的扩展度测量。该系统还可以包括控制逻辑，其被耦合到多个器件中的每个器件，该控制逻辑被配置为修改与多个器件中的每个器件相关联的阈值电压，使得第一分布被改变为第二分布，该第二分布具有阈值电压的扩展度测量的第二值，该第二值表示多个器件的阈值电压之间的较低变化。
[0003]在另一方面中，本公开涉及包括具有相关联的阈值电压的多个器件的系统中的方法。该系统可以包括在低温环境中操作集成电路的同时确定多个器件的阈值电压之间的变化，其中多个器件中的每个器件包括浮置栅极。该方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于与量子位栅极接口连接的系统，包括：多个器件，被配置为在低温环境中操作，其中与所述多个器件相关联的阈值电压的第一分布具有第一值，所述第一值指示所述阈值电压的扩展度测量；以及控制逻辑，被耦合到所述多个器件中的每个器件，所述控制逻辑被配置为修改与所述多个器件的每个器件相关联的阈值电压，使得所述第一分布被改变为第二分布，所述第二分布具有所述阈值电压的所述扩展度测量的第二值，所述第二值表示所述多个器件的阈值电压之间的较低变化。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述扩展度测量选自以下项之一：方差、标准差或范围。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个器件中的每个器件包括浮置栅极。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述系统包括电荷泵，其中所述多个器件中的每个器件包括用于经由所述电荷泵接收修整电压的端子，并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件的每个器件相关联的阈值电压。5.根据权利要求3所述的系统，其中所述系统包括电荷泵，并且其中所述多个器件中的每个器件包括用于经由所述电荷泵接收电压的栅极端子，并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。6.根据权利要求3所述的系统，其中所述系统包括电荷泵，并且其中所述多个器件中的每个器件包括被耦合到分离栅极的端子，用于经由所述电荷泵接收修整电压，并且其中所述控制逻辑还被配置为通过将电荷注入到所述浮置栅极中或者从所述浮置栅极去除电荷来修改与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。7.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制逻辑还被配置为确定与所述多个器件中的每个器件相关联的阈值电压。8.一种系统中的方法，所述系统包括具有相关联的阈值电压的多个器件，所述方法包括：在低温环境中操...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：