改性聚铝硅氧烷制造技术

技术编号:3764010 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及改性聚铝硅氧烷。本发明专利技术提供不仅耐热性,而且透明性、粘合性、片材成型性良好的改性聚铝硅氧烷,含有该改性聚铝硅氧烷而成的光半导体元件封装材料,以及使用该封装材料封装光半导体元件而成的光半导体装置。所述改性聚铝硅氧烷是通过使式(Ⅰ)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的。式中,R↑[1]、R↑[2]及R↑[3],分别独立地表示烷基或烷氧基,X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基,其中,R↑[1]、R↑[2]及R↑[3]之中,至少2者为烷氧基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改性聚铝硅氧烷,含有该改性聚铝硅氧烷的光半导体元 件封装材料,和使用该封装材料封装光半导体元件而成的光半导体装置。
技术介绍
LED装置需要透明性和耐热性优异的封装树脂。环氧树脂在高温下 长时间使用则有变色,或发光二极管的辉度下降的情形。此外,聚铝硅氧烷是使聚硅氧烷和铝化合物反应而得的聚合物,由 于耐热性良好,可用于各种用途,例如涂覆剂、密封剂、粘合剂等。例如,专利文献1、 2中记载了各种铝硅氧烷和聚铝硅氧烷。但是 对LED装置的粘合性或成型加工性还存在需要改善的问题。特开平9-48787号公报特开2003-165841号公报
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供不仅耐热性,而且透明性、粘合性、片材成 型性良好的改性聚铝硅氧烷。本专利技术的课题还在于提供含有该改性聚铝 硅氧烷而成的光半导体元件封装材料,以及使用该封装材料封装光半导 体元件而成的光半导体装置。本专利技术涉及改性聚铝硅氧烷,其是通过使式(I)表示的硅烷偶联剂与聚铝 硅氧烷反应而得到的,(I)(式中,R1、 W及R3,分别独立地表示烷基或烷氧基,X表示甲基丙烯 酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基,其中,R本文档来自技高网...

【技术保护点】
改性聚铝硅氧烷,其是通过使式(Ⅰ)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的, *** (Ⅰ) 式中,R↑[1]、R↑[2]及R↑[3],分别独立地表示烷基或烷氧基,X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基,其中,R ↑[1]、R↑[2]及R↑[3]之中,至少2者为烷氧基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:片山博之赤泽光治
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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