【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及流体流动及控制，尤其涉及适于在超高纯或腐蚀 性应用中使用的流体流动控制系统。
技术介绍
例如半导体、制药、以及生物技术的许多产业都遇到了流体输送的 问题， 一般来说，这归咎于低流率、磨料化学流体的使用、腐蚀性化学 流体的使用、和对没有污染物、准确、紧凑且实时的流体输送及/或混合 系统的需要。例如，化学机械平面化(CMP)在半导体产业中是关键的过程，该关 键的过程包括将半导体的晶片表面压平的过程。在大多数应用中，涂有 浆液的磨光垫以被控制的速度相对于该半导体晶片旋转，以压平表面。 该浆液包括使表面化学地变软的化合物，还包括与磨光垫一起工作的研 磨剂，以机械地抛光表面。为了使CMP理想地工作，机械和化学的抛光 必须在精密的平衡下一起工作-该平衡的任何变化可能引起对晶片的损 坏或降低成品率。如果没有浆液，那么所有的抛光都是机械式的，就像 用砂纸来抛光玻璃一样。如果有过多的浆液，那么大多数的抛光是化学 式的，并且平衡再次被打破。晶片的抛光率高度依赖于流体的输送速度 以及在抛光操作过程中所输送的流体总量。对例如CMP的过程来说，浆液输送系统一般包括容积...
【技术保护点】
一种用于控制到ＣＭＰ工具的浆液流的方法，包括： 提供预先装有浆液的一次性袋； 使该一次性袋定位为与浆液出口流体连通； 将ＣＭＰ工具连接到所述浆液出口；和 压陷该一次性袋，以便将浆液以所希望的流率从该一次性袋排出到该Ｃ ＭＰ工具。
【技术特征摘要】
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